Мойнов — Автор (original) (raw)
Мойнов
Вихретоковое устройство неразрушающего контроля
Номер патента: 1500927
Опубликовано: 15.08.1989
Авторы: Кружков, Мойнов, Попов, Федоров
МПК: G01N 27/90
Метки: вихретоковое, неразрушающего
...24, поступает через компенсатор 3 на предварцтельный усилитель 4 и усилители 14, 15на входы фазочувствительных детекторов 7, 8, разлагающих его на двеортогональные составляющие, которыечерез модуляционные фильтры 16, 17и двухполупериодные выпрямители18, 19 поступают на входы компараторов 9, 10. При воздействии на преобразователь 2 внутренних дефектов,имеющих составляющие сигналы Ч )) 1 Ч(Фиг.2), срабатывает комларатор 9, открывается ключ 20, пропускающий с модуляционного фильтра16 канала 5 информацию на регистратор 22 внутренних дефектов. Приналичии наружных дефектов с составляющими сигнала 1 Ч(1 Ч р срабатывает компаратор 10, открываетсяключ 21 и на регистратор 23 наружных дефектов поступает составляющаяс модуляционного фильтра...
Способ определения сопротивления тела коллектора транзистора
Номер патента: 1370635
Опубликовано: 30.01.1988
Авторы: Баумберг, Воскобойник, Кахишвили, Мойнов, Носова, Рухадзе
МПК: G01R 27/00, G01R 31/28
Метки: коллектора, сопротивления, тела, транзистора
...Ес определяется коллекторным током через выходной транзистор, который соответствует предельно допустимому значению мощности рессеивания зависящему с од 145 ной стороны, от допустимой температуры перехода Т , температуры окружающей среды Ти теплового сопротивления переход - среда К 1, а с другой стороны, от тока 1, протекающего через транзистор, и падения напряжения перехода коллектор - эмитДопустимая температура перехода составляет не менее 150 С для кремниевых транзисторов, а тепловое со 35 2противление Кнаходится в пределах 0,5-0,7 град/мВт для транзисторов в интегральных микросхемах, типовое значение Кдля интегральных транзисторов, используемых в схемах цифровых элементов, равно 5-100 м.Измеряют вольт-амперную характеристику...