Пепел — Автор (original) (raw)
Пепел
Способ получения кристаллической -формы гидрохлорида 1-4 амино-6, 7-диметокси-2-хиназолинил-4-2-фуроил-пиперазина
Номер патента: 1206277
Опубликовано: 23.01.1986
Авторы: Дитц, Леман, Пепел, Фауст, Фидлер
МПК: C07D 307/46, C07D 405/14
Метки: 7-диметокси-2-хиназолинил-4-2-фуроил-пиперазина, амино-6, гидрохлорида, кристаллической, формы
...при значительно более низ 45 ких температурах и с меньшим количеством растворителей, а значит, с лучшим выходом.и временем.Эта цель достигается тем, чтогидрохлорид 1-(4-амино,7-диметок- О си-хиназолинил)-4-(2-Фуроил) -пиперазина в кристаллической форме, такой как 1 - или 1 - форма, или ихгидрат, ангидрат, или сольват переводят в кристаллическую е 5 -форму, 5 причем в качестве органического растворителя используют диметилсульфоксид, диметилформамид или смесь их друг с другом, или ароматическим.,углеводородом, таким как бензол илитолуол, или галогенизированным углеводородом, таким как хлороформ иличетыреххлористый углерод, или кетоном, таким как ацетон, или простым эфиром, таким как диоксан, илиспиртом, содержащим от 2 до 4...
Способ крепления тонкостенных сферических деталей к технологической оправке
Номер патента: 355205
Опубликовано: 01.01.1972
Авторы: Журавлев, Задерей, Пепел, Перминов, Половников, Шипицын
Метки: крепления, оправке, сферических, технологической, тонкостенных
...226 175 157 1Изобретение относится к механической обработке металлов и предназначено для создания базирующей поверхности при механической обработке тонкостенных крупногабаритных сферических деталей. Предел прочности,кг/смУдельный вес, г/смРаспространениев промышленностиПрименяемость приработе Нетоксичен до температуры 400 СНевзрывоопасен до температуры ЗООСНагретая смесь до температуры ЗОО С не вызывает ни окислсния, ни обезуглероживания в металле Хорошо растворя- ется355205 Составитель Г. СошинаТехред А, Евдонов Корректор О Тюриьа Редактор Л. Ушакова Заказ 4245 у 8 Изд. М 1815 Тираж 406 Подписное ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР Москва, Ж, Раушская наб д, 45 Типография, пр. Сапунова, 2...
Диодно-транзисторный логический элемент
Номер патента: 332576
Опубликовано: 01.01.1972
Авторы: Пац, Пепел
МПК: H03K 19/084
Метки: диодно-транзисторный, логический, элемент
...овень, опна базо и диодмет изобретен Диодно-тр содержащий следовательн зисторах с отличающий надежности, стора первог ды соответс транзистора Известны диодно - транзисторные логические элементы, содержащие входную диодную цепь, два последовательно включенных инвертора на транзисторах с диодами смещения в цепи базы,Целью изобретения является повышение надежности устройства.Это достигается тем, что коллектор и база транзистора первого инвертора соединены через диоды соответственно с коллектором и базой транзистора второго инвертора.На чертеже приведена принципиальная схема предложенного элемента. Элемент содержит входной инвертирующий каскад, состоящий из транзистора 1, резистора 2, задающего начальное смещение транзистору 1, резистора...
Импульсный усилите. ль мощностивсесоюзнаянг10 тхш1сяд••ь; п.; 01тка
Номер патента: 323842
Опубликовано: 01.01.1972
Авторы: Пац, Пепел
МПК: H03F 3/20
Метки: 01тка, импульсный, мощностивсесоюзнаянг10, тхш1сяд••ь, усилите
...трансформатором 14 представляют собой собственно мотцный каскад усил 1 ггеля с трансформаторнь 1 м выходом,Диод 15, резистор 16 и конденсатор 17 прсдохр 11 цяют транзистор 18 от возможцого пробоя в результате появления перенапряжеций при закрывании транзистора и транзистор 12 от нежелательного огкрывация его по кодлекторному переходу положительным импульсом, который может трансформироваться с обмотки 1 Г при появлении перенапряжений.Бмкост 1 17 заряжается до двойного напряжения источника питания С/,. При появлении напряжеииш, больших 11 ь диод 15 открывается, и выорос поглощается конденсатором 17,Резистор 18 в цепи базы транзистора 18 служит для ее надсжнсго заиирания во вр- мя переходных процессов, когда ца обмотке обратной связи Кз...
Формирователь импульсов
Номер патента: 298064
Опубликовано: 01.01.1971
Авторы: Еременко, Пац, Пепел, Скрипник
МПК: H03K 5/02
Метки: импульсов, формирователь
...напряжения на базе транзистора 8. Резистор 21 является эмиттерной нагрузкой тран зистора 8.В исходном состоянии на базе транзистора 1 устацавливается положттеляцотсц" пиал, определяемый источником ппташя Ь ц резистором 22. В результате транзистор 1 за ппрается, транзстор 2 опкрывается. Ца оллекторе транзистора 2 устанавливается цагтряопределяемое источником пптаня Ь.ц падением напряжения на диоде 11. Дополнительный диод 9 и стабилитроны 10 заперты, ЗО На базе транзистора б устанавливается цагряЗаказ 1117111 Изд,477 Тираж 473 ПодписноеЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССРМосква, Ж, Рвунская наб., д. 45 Типография, пр. Сапунова, 2 жение, определяемое источником питания Уз и падением напряжения на диодах...
Способ получения трубных заготовок
Номер патента: 258799
Опубликовано: 01.01.1970
Авторы: Вакс, Ведь, Гребенников, Морозов, Пепел, Сергеев, Федотова
МПК: C23C 16/08
...заготовлью ю подложку легмеханическим путем. заготовку требуемого нки заготовки опрсдстью процесса наращинара щива графитовы с наружнь диаметру вую или уг полностью ркониевую олщина стс лжительиос металлов тсрйодидов этих жкс, отли порожки (оправгли угольные Изобретение относится к получешцо тугоплавких металлов термодиффузионным способом.Известный способ получения циркония и других тугоплавких металлов высокой степени чистоты заключается в том, что цирконий, образующийся в результате термического разложения йодида циркония, нарацтивается на нагретую до температуры 1200 - 1 д 00"С вольфрамовую или циркониевую нить или ленту для получения стержней циркония высокой степени чистоты, из которых затем изготавливаются требуемые...
Устройство для двусторонней сварки термопластов
Номер патента: 250432
Опубликовано: 01.01.1969
Авторы: Новинштейн, Пепел
МПК: B29C 65/10
Метки: двусторонней, сварки, термопластов
...на теплоотра жающих бусах. Такое выполнение электрона гревательного элемента исключает рассеива ние тепла. Для устранения влияния линейногс расширения горелка снабжена крепежным уст ройством 9, а спираль змеевика скреплена шинами 10. Прижимной элемент 4 для совме. щения верхней части с нижней снабжен фик саторами 11.Такое выполнение устройства для двустонней сварки пластмасс обеспечивает качево провара по глубине сварного шва при арке пакета полиэтиленовых пленок.Предлагаемое устройство работает следующим образомСвариваемый материал укладывается на нижнюю половину прижимного элемента 4. Теплоноситель, например сжатый воздух, проходя по трубопроводу 7 нагретому электронагревательным элементом 8, нагревается до250432 Предмет...
Абразивной очистки поверхности листовой и профильной стали
Номер патента: 257315
Опубликовано: 01.01.1969
Автор: Пепел
МПК: B24C 3/12
Метки: абразивной, листовой, поверхности, профильной, стали
...очистку стали с четырех взаимнопротивоположных сторон, Очищаемая сталь 4 перемещается через камеру 1 стационарно установленным рольгангом, снабженным горизонтально расположенными валками 5, на которых имеются кольцевые выступы о, расстояние между которыми не превышает ширины зоны очистки от одного аппарата. Выступы предотвращают смещение обрабатываемой профильной стали от заданного направления перемещения. В стенках камеры 1 имеются прорези, необходимые для прохода рольганга с обрабатываемой сталью. Прорези закрываются эластичными стержнями 7, плотно прижатыми друг к другу. Для удаления нессыпавшихся частиц абразива и отходов очистки на выходе камеры 1 установлены два устройства типа флюсоотсосника 8, Для беспрерывного удаления и...