Райнов — Автор (original) (raw)
Райнов
Устройство для дыхания гипоксическими смесями
Номер патента: 1602543
Опубликовано: 30.10.1990
Авторы: Караш, Немеровский, Райнов, Рейдерман, Стахов, Чижов
МПК: A61M 16/00
Метки: гипоксическими, дыхания, смесями
...другом атмосферном отводебака5, выдыхаемый газ не проходит, этомупрепятствуют самодействующие клапанымикронасоса 7, При вдохе газ поступает к пациенту через клапан вдохаклапанной коробки 3 из бака 5, Приэтом в бак 5 из трубопровода 6 пере 40мещается объем газа, равный объемувдоха Через микронасос 7 атмосферныйвоздух практически не просасывается,поскольку сопротивление самодействующих клапанов микронасоса намного пре 45вышает гидравлическое сопротивлениетрубопровода 6.Поскольку объем трубопровода 6 заранее выбран таким, чтобы он намногопревышал средний дыхательный объем,50свежий атмосферный воздух при дыханиив бак 5 практически не поступает, Поэтому вследствие естественного поглощения кислорода пациентом концентрация кислорода в системе...
Устройство для определения емкости легких
Номер патента: 1450824
Опубликовано: 15.01.1989
Авторы: Немеровский, Райнов
МПК: A61B 5/08
...емкости 10 установлен подпружи-,ненный клапан 16 с наружной нажимнойкнопкой 17 и стержнем 18, расположенным соосно со штоком 12 с возможностью его перемещения,Устройство работает следующим образом,Пациент присоединяется к устройству с помощью загубника 2 и делаетпопытку выдоха в замкнутую полостьстакана 1, Тарельчатый клапан 6 механизма распределения газа открьгг, поэтому давление в стакане 1 передается в пневмосистему манометра 4 имембраны 7. На определенном заранееустановленном уровне давления, отре"гулированном с помощью винтового механизма 9 и контролируемом манометром 4, из-за перемещения жесткогоцентра 15 стержень-защелка 14 выходит из зацепления со штоком 12, который под действием пружины 13 перемещается, открывая проход...
Способ получения сернистого ангидрида из сульфита магния
Номер патента: 861295
Опубликовано: 07.09.1981
Авторы: Булычев, Быстров, Воронов, Галеев, Гурфинкель, Ежов, Живописцев, Кабанова, Калениченко, Котов, Краснушкин, Нечволодов, Одерберг, Петровский, Райнов, Симановская, Тарасова, Хмелевцов, Шитов, Якобсон
МПК: C01B 17/50
Метки: ангидрида, магния, сернистого, сульфита
...способ получения сернистого ангид.рида из сульфита магния путем обработки еготопочными газами при 1100 С в трубчатыхпечах 11,Однако по данннистый ангидрид к Наиболее близким к изобретению по техни ческой сущности и достигаемому результату является способ получения сернистого ангидри да из сульфита магния, заключающийся в термическом разложении сульфита магния при 600 С в одну стадию при подаче кислорода на слой сульфита магния и введения добавок в шихту (Ре О, СггОзЗЮ и боксит) (2Недостатком способа чвляется также получение сернистого ангидрида концентрации не более 6%.Цель изобретения - повышение концентрации целевого продукта. Д. Воронов, Н, И, Гапеев,А, Живоп(сцев, 3; гГХабанова,=Режим Показатель Нефть Коксо в доменн Природный гаэ...
Установка для получения эпитаксиальных слоев
Номер патента: 401272
Опубликовано: 25.02.1975
Авторы: Гулидов, Данилков, Палиенко, Райнов, Райнова, Селиверстов, Чистяков
МПК: H01L 7/68
Метки: слоев, эпитаксиальных
...подложек 6 и выполнен, например, из графита в виде П-образных петель, имеющихвертикально расположенные рабочие поверхности, на которых размещены подложки, Ко 30 личество П-образных петель, крепящихся на Однако неконтролируемыи характер газодинамических параметров (линейная скорость потока парогазовой смеси в разных точках реакционных камер) в таких установках приводит к нарастанию слоев или пленок, неравномерных по толщине. Эта же причина вызывает неравномерное легирование по площади растущих эпитаксиальных слоев. Кроме того, значительная длина трубопроводов газовакуумной системы на участке между испарителем и реакционной камерой не позволяет получать высокую чистоту поступающей в реакционную камеру смеси.5 1 О 15 20 25 зо 35 40 45...
Негативный фоторезист
Номер патента: 427906
Опубликовано: 15.05.1974
Авторы: Винославский, Каменский, Макаров, Михайловский, Мозжухин, Никольский, Новожилов, Райнов
МПК: G03F 7/004
Метки: негативный, фоторезист
...олигомеров по ряду характеристик превосходит известные фоторезисты.Олигомеры получают из доступного сырья(фурфурол, ацетон и формальдегид) просты ми спосооами. Таблица Негативный фоторезист Свойства На основе На основе Синтез кетоноформальдегидных олигомеров осуществляют на установках для получения фенолформальдегидных смол путем кон девсации соотвепст 1 вующего кетона (1 моль)и формальдегида (1 - 3 моля) в среде изопропилового спирта в течение 4 - б час при температуре 60+5 С и рН среды 9,5 - 10,0. ФКф ПВЦ Разрешающая способность, лин/м я 200 в 3 400 Адгезия к нитр иду крем- ния Неудов- летвори- тельная:орошая 40 20 54 Стойкость в 0%-ном растворе щелочи, мин Неустончив 45 20 26 Максимальная концентрация фоторезиста,35 - 40 15 50...
Устройство для измерения неэлектрических величин
Номер патента: 324523
Опубликовано: 01.01.1972
Авторы: Кривоносов, Кривоносоз, Ксенофонтов, Папков, Райнов, Суровипов
МПК: G01L 1/18
Метки: величин, неэлектрических
...уменьшения габаритов в предложенном устройстве пружина вылолнена в виде плоского диска, с наружной и внутренней 1/-образньеми,прорезями, образующими три балки равного сопротивления на которые нанесены полупроводниковые тен зорезисторы,На чертеке показано предло оиства осуществляют незмерения и имеют значи Устройство содержит корпус 1, оильфон 2, шток 3 и пружину, выполненную в виде плоского диска 4, например из сапфира, с наруж. Раииов, А, И. КривоносоИ. Кривоносов ЕЭЛЕКТРИЧГСКИХ ВЕЛИЧИН ной и внутренней Ъ-образными прорезями о, образующими три балки Б, В и Г равного сопротивления, на которых нанесены, например, с помощью процессов гетероэпитаксиального наращивания,и фотолитографии, полупроводниковые тензорезисторы б.Работает устройство...
Устройство для измерения неэлектрических величин
Номер патента: 324510
Опубликовано: 01.01.1972
Авторы: Кривоносое, Ксенофонтов, Папков, Райнов, Смыслов, Суровиков
МПК: G01K 7/22, G01P 15/08
Метки: величин, неэлектрических
...периферийная часть которой Зо служит для закрепления ее в корпусе. Такой элемент является унифицированным, поскольку может быть использован в датчиках для из. мерения различных неэлектрических величин, при этом в зависимости от назначения датчика меняется лишь конструкция его корпуса.На чертеже приведена конструкция предлагаемого устройства.Предлагаемое устройство состоит пз чувствительного элемента 1, выполненного в виде язычка, образованного криволинейной прорезью 2 в пластине 3 монокристалла.На обеих сторонах чувствителыного элемента по интегралыной технологии выполнена полупроводниковая схема 4, от которой выведены напыленные металлические дорожки 5, оканчивающиеся пятачками 6.Периферийная часть защищает чувствительный...