Рамус — Автор (original) (raw)

Рамус

Полупроводниковый датчик состава газов и способ его изготовления

Номер патента: 1797027

Опубликовано: 23.02.1993

Метки: газов, датчик, полупроводниковый, состава

...только в рабочей зоне датчика. Поверх защитного покрытия расположен ГЧС 5, например из ЯпОг, ЕпО, на котором размещены электроды 6.При подаче электрической мощности с аккумуляторного источника питания (на чертеже не показан) на нагреватель 2 он разогревается до рабочей температуры 350-550 С, в зависимости от регистрируемого газа (СО, СгН 5 ОН, СН 4 и др,), и передает тепловую энергию на ГЧС 5, В связи с тем, что предлагаемый датчик выполнен на диэлектрической подложке а нагреватель закрыт защитным слоем пористой окиси алюминия 4 по подслою плотного оксида вентильного металла 3, обладающих высокой теплопроводностью, то тепловая энергия от нагревателя в первую очередь будет передаваться в сторону ГЧС 5, обеспечивая тем самым локальный...