Шультц — Автор (original) (raw)

Шультц

Устройство для управления швейной машиной

Номер патента: 1440989

Опубликовано: 30.11.1988

Авторы: Липман, Шультц

...к штепсельному кон-,такту 3 через сопротивление 19 иконденсатор 20, Неинвертирующий вход89 6компаратора 29 через сопротивление 24 подключен как к делителю напряжения, состоящему из сопротивлений 22 и 23, так и через конденсаторы 30 и 31 - к внешним контактам фиксируемой кнопки 34, причем эти внешние контакты через сопротивления 32 и 33 соединены с положительным полюсом источника напряжения. Средний контакт фиксируемой кнопки 34 соединяет один внешний контакт с отрицательным полюсом 5 источника напряжения. Выход компаратора 29 через сопротивление 38 соединен с положительным полюсом 1 источника напряжения, через сопротивление 39 - с входом установки блока памяти 41, подключенным через конденсатор 37 к положительному полюсу 1 источника...

Приемный стол для контроля и обработки полупроводниковых пластин

Номер патента: 1359662

Опубликовано: 15.12.1987

Авторы: Баттиг, Диттрих, Оертел, Остерланд, Рюккнагел, Шелер, Шультц

МПК: G01B 9/00

Метки: пластин, полупроводниковых, приемный, стол

...пластину 3, установленную на определенном расстоянии от поверхности стола 1. Полупроводниковая пластина 3 ограниченакоординатами х и у с помощьюупоров 4. Стол 1 представляет собойединый стеклокерамический блок, имеющий на двух ортогональных гранях отражающие поверхности 5 и 6, служащиедля отражения падающих измерительных пучков 7 и 8 лазерных систем 9 и 0измерения пути, Нри помощи лазерныхсистем 9 и 10 измерения пути, которые испускают измерительные пучки7 и 8, центры которых точно находятся в плоскости полупроводниковойпластины 3, возможно позиционирование в двух координатах почти без ошибок. Подложки 2 для полупроводниковой пластины 3 представляют собой всасывающие сопла 11, которые предотвращают скольжение полупроводниковой пластины...

Способ получения гранулированного моющего средства

Номер патента: 1081203

Опубликовано: 23.03.1984

Авторы: Заксе, Зиг, Кюнне, Мерл, Миттельстрас, Шмидт, Шультц

МПК: C11D 11/02

Метки: гранулированного, моющего, средства

...всшств используют триполифосфат натрия с содержанием фазы П 90-100 и кажущейся плотностью более чем 700 г/л, предпочтительно 900- 1000 г/м, при содержании мелкой фракции с диаметром зерна менее 0,2 мм в количестве 70-1003 и приперемешивании и гранулировании скорость газа в рабочей зоне негомогенного псевдоожиженного слоя устанавливают между скоростью точки псевдоожижения наиболее крупных частиц и десятикратной скоростью уноса средних частиц, причем расход газа составляет 800-2000 кг/м , твердых веществ2300-1000 кг/м и жидких веществ 60- 200 кг/мгНа чертеже дана схема, реализующая предлагаемый способ,1 О152025 Порошкообразные скелетные веществаиз системы бункеров 1 подают по со 1ответствующим транспортерам 2 к ве Осам 3. С весов...