Шушканов — Автор (original) (raw)

Шушканов

Устройство для управления резонансным объектом

Номер патента: 1564599

Опубликовано: 15.05.1990

...(два импульса от верхней части и один от нижней), а при прерывании луча обеими частями шторки 5 - четыре импульса что соответствует положительному отклонении. Импульсы формирователя 4 записываются в счетчик 7 и поступают на вход синхронизатора 6, который в простейшем исполнении может содержать два последовательно соединенных элемента задержки. В зависимости от состояния счетчика 7 в момент поступления импульса с выхода синхронизатора б де-, шифратор 8 формирует управляющие сигналы.При отрицательном отклонении амплитуды колебаний от заданного значения на первом выходе дешифратора 8 формируется 0, который на первом выходе триггера 9 устанавливает "1", разрешающую счет реверсивным счетчиком 11 в режиме сложения количества импульсов...

Устройство для вывешивания автотранспортного средства

Номер патента: 1296456

Опубликовано: 15.03.1987

Авторы: Воробьев, Равич, Шурупов, Шушканов

МПК: B60S 5/00

Метки: автотранспортного, вывешивания, средства

...а сверху - рычаги 7, соединенные посредством пружин 8 с поперечными балками 2. На поперечных балках 2 с возможностью перемещения по ним установлены упоры 9. В нижней части рамы выполнено гнездо для взаимодействия с подъемником. При положении, в котором устройство поднято вверх на высоту больше высоты опоры 6, оси 5 имеют возможность поворота вокруг собственных осей совместно с опорами 6 в сторону поперечных балок 2 и в противоположную от них сторону. При этом каждое крайнее положение фиксируется путем усилий натяжения пружин 8 за рычаги 7.Устройство для вывешивания автотранспортного средства работает следующим образом.Для перевода устройства в транспортное положение его с помощью траншейного домкрата или любого другого подъемника...

Способ обработки материалов давлением

Номер патента: 940987

Опубликовано: 07.07.1982

Авторы: Горбатюк, Лобанов, Магазинер, Покровский, Попов, Сергеев, Слобцов, Шахновский, Шушканов

МПК: B21J 5/00

Метки: давлением

...выдавливания пуансоном 1 заготовки 2 через матрицу 3 с отверстием диаметром д из контейнера 4 в полость контейнера 5, в ,котором пуансоном 6 создается давление, обеспечивающее осадку выдавливаемой через матрицу заготовки до величины диаметра й, полости контейнера 5. По мере выдавливания заготовки 2 в полость контейнера 5 пуансон 6 отводится. При этом объем полости, контейнера 5 увеличивается на величину, равную приращению объема выдавленного материала.После завершения цикла выдавливание - осадка из полости контейнера 4 в полость контейнера 5 производится анало. гичный цикл в обратном направлении, пуансон 6 производит выдавливание заготов.,Р 1000: 31,6. 2 4Л 4 - )Г 1000: 2)38. 30 Составитель В. Бещековагирова Техред Н. Герасименко...

Способ обработки материалов давлением

Номер патента: 856636

Опубликовано: 23.08.1981

Авторы: Горбатюк, Кундиков, Лобанов, Магазинер, Покровский, Слобцов, Шахновский, Шушканов

МПК: B21J 5/00

Метки: давлением

...быть использовано при изготовлении изделий с улучшенными механическими свойствами, достигаемыми засчет проработки материала с высокимистепенями деформации.Известен способ обралов давлением, включающние заготовки через отвцы в замкнутую полость,рой увеличивают в працена величину, равную привыдавленного материалаНедостаток известного способа определяется невысокими физико-механическими свойствами обработанного материала.Целью изобретения является улучшение физико-механических свойствматериала эа счет-.повьеаения суммарной степени деформации и сниженияанизотропии,Поставленная цельчто согласно способуриала давлением, вклюванне заготовки черезрицы в замкнутую полорой увеличивают в про изображена схема предсоба обработки...

Устройство для определения микро-количеств элементов

Номер патента: 836572

Опубликовано: 07.06.1981

Авторы: Лявшин, Мосичев, Николаев, Харцызов, Шушканов

МПК: G01N 21/00

Метки: микро-количеств, элементов

...ячейки 1, патрубков 2 для ввода растворителя, соединенных с ячейкой 1, патрубка 3 для ввода газа-носителя,опущенного в ячейку 1, дозатора 4,соединенного с патрубками 2 для ввода растворителя, атомизатора 5 с патрубком 6 для ввода газа, выполненного в виде трубы с нагревателем 7 итрубопровода 8, соединяющего верхнюючасть ячейки 1 с патрубком 6 для ввода газа. Патрубки 2 для ввода растворителя соединены тангенциально снижней частью ячейки и расположенынавстречу друг другу. Атомизатор 5снабжен окном 9, закрепленным на одном из его торцов, к которому примыкает патрубок 6 для ввода газа,причем атомизатор 5 и окно 9 выполнены из кварца.Устройство работает следующим образом. 25Растворяют образец анализируемогоматериала, помещают...

Контактная система электромагнитного реле

Номер патента: 336709

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Бин, Иванов, Шушканов

МПК: H01H 50/04, H01H 50/56

Метки: контактная, реле, электромагнитного

...а на другом конце коцусное утолщение для ограничения движения клинового прижима в отверстиях основания реле.На фиг. 1 показана конструкция клинового прижима описываемой контактной системы; на фцг, 2 - крепление контактной пла. стины в изоляционном осповаци Пр помощи клинового прижима.Клиновой прижип имеет прямоугольный зуб 1, фиксирующий контактную пластину . в определенном положении, выступ,3, входящий в отверстие контактной пластины, пружинный изгиб 4, обеспечивающий крепление контактной пластины в отверстии изоляцпо- ного основания б, и конусцое утолщение 6, которое препятствует сквозному прохождению прижима вдоль отверстий основания. Таким образом, крепление контактных пластин обеспечивается только двумя деталями - изоляционным...

Способ выращивания монокристаллов флюорита

Номер патента: 169063

Опубликовано: 01.01.1965

Авторы: Аникин, Бутузов, Шушканов

МПК: C30B 29/12, C30B 7/10

Метки: выращивания, монокристаллов, флюорита

...ра хлорис ивания монокристаллов флюийся тем, что, с целью упроческой схемы и получения с равномерным распределемонокристаллы выращивают юорита путем перекристалли.флюорита в гидротермаль.автоклаве при 450 в 4 С и 200 атм с использованием в ителя водного 45 - 50%-ного того лития. Подпиская гоуггпа Известен способ выращивания монокр лов флюорита кристаллизацией из рас в вакууме при высокой температуре.Описываемый способ отличается от известного тем, что монокристаллы флюорита выращивают на затравку флюорита путем пере- кристаллизации исходного флюорита в гидротермальных условиях в автоклаве при 450 - 480 С и давлении около 200 атл с использованием в качестве растворителя водного 45 - 500/,-ного раствора хлористого лития. При применении...

Всесоюзная i1ата1т13-тхшне: нд виблиотенч i

Номер патента: 151297

Опубликовано: 01.01.1962

Авторы: Аникин, Шушканов

МПК: C30B 29/12, C30B 7/10

Метки: i1ата1т13-тхшне, виблиотенч, всесоюзная

...ется элок11 агревплавного следуи стабилсагреватедо комна способу были обесц(темно-фиолетовые вые) кристаллы флю отерь на растрескив По предлагаемому О пы разноокр ашенныелсные, голубые, розо та практически без п ече- зе- ориние. ен природныхита нагреваниечасосссссссся тем,астрескиваниянагревание ихированных ралением до 350 окрам до что, обес- про- ствоат,с. Обесцавтокласталловворе хорристогокислоты ечнвание ах, приме пдротерм ошо раство лития, хло под давлпроводитс яемых для льным сп римого эл истого ка нием 250 -в стальных синтеза крисобом в растстролита (хлольция, борной 350 атм,Известен способ обссцвечивания природных кристаллов нагреванием их до высоких температур.При этом способе происходит растрескивание кристаллов, особенно...