Применением давления, например гидротермическими способами — C30B 7/10 — МПК (original) (raw)
Способ выращивания монокристаллов кварца
Номер патента: 117452
Опубликовано: 01.01.1958
Автор: Бутузов
МПК: C30B 29/18, C30B 7/10
Метки: выращивания, кварца, монокристаллов
...монокристаллы. .С этой целью вьцэатциваниемоъто кристаллов ведут на затравкак, изготовляемых из многих одинаково ОрИЕНТИрОВНННЫХ И МСХЭНИЧССКНскрепленных меэкду собою пластов кварца.Автоклав объемом 9.4 г на 75 заполняют водным БЧЬ растворомсоды. В автоклав помещают квар цевые затравки, вырезанные параллельно большому ромбоэдру. затравки составлены из мгтогнх пластов кварца, скрепленных между собою платиновой проволокотт и прикрепленных к металлической пластинке из нержавеющей стали.растворения тетхапература зоны ЮСТЗСкорость роста в указанных условиях колеблется для разных частей крт-тсга.г 1.па в пределах 1,11,:1 п:.2 в сутки. Составные загравктт растут только в одну сторону. Кристаллы. нметоньттт больптхткз площадь, весит от 350...
Всесоюзная i1ата1т13-тхшне: нд виблиотенч i
Номер патента: 151297
Опубликовано: 01.01.1962
МПК: C30B 29/12, C30B 7/10
Метки: i1ата1т13-тхшне, виблиотенч, всесоюзная
...ется элок11 агревплавного следуи стабилсагреватедо комна способу были обесц(темно-фиолетовые вые) кристаллы флю отерь на растрескив По предлагаемому О пы разноокр ашенныелсные, голубые, розо та практически без п ече- зе- ориние. ен природныхита нагреваниечасосссссссся тем,астрескиваниянагревание ихированных ралением до 350 окрам до что, обес- про- ствоат,с. Обесцавтокласталловворе хорристогокислоты ечнвание ах, приме пдротерм ошо раство лития, хло под давлпроводитс яемых для льным сп римого эл истого ка нием 250 -в стальных синтеза крисобом в растстролита (хлольция, борной 350 атм,Известен способ обссцвечивания природных кристаллов нагреванием их до высоких температур.При этом способе происходит растрескивание кристаллов, особенно...
Способ выращивания монокристаллов флюорита
Номер патента: 169063
Опубликовано: 01.01.1965
Авторы: Аникин, Бутузов, Шушканов
МПК: C30B 29/12, C30B 7/10
Метки: выращивания, монокристаллов, флюорита
...ра хлорис ивания монокристаллов флюийся тем, что, с целью упроческой схемы и получения с равномерным распределемонокристаллы выращивают юорита путем перекристалли.флюорита в гидротермаль.автоклаве при 450 в 4 С и 200 атм с использованием в ителя водного 45 - 50%-ного того лития. Подпиская гоуггпа Известен способ выращивания монокр лов флюорита кристаллизацией из рас в вакууме при высокой температуре.Описываемый способ отличается от известного тем, что монокристаллы флюорита выращивают на затравку флюорита путем пере- кристаллизации исходного флюорита в гидротермальных условиях в автоклаве при 450 - 480 С и давлении около 200 атл с использованием в качестве растворителя водного 45 - 500/,-ного раствора хлористого лития. При применении...
Способ получения монокристаллов
Номер патента: 173202
Опубликовано: 01.01.1965
МПК: C30B 29/32, C30B 7/10
Метки: монокристаллов
...(088,8) ликовано 21 Ч 1,1965. Бюллетень15 ата опубликования описания 26,Ч 111.1 Авторыизобретения цов и Л. М. Кефели П аявитель СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ Общеизвестен способ получен таллов методом гидротермаль при температуре выше 400 С. рического состава, либ олибденового катализато монокрисо синтеза тов стехио шок желе пор Предмет 5 Способ получения жащих железо, гид при температуре 450 тем, что, с целью и либдата железа, их 10 водном растворе хло лов Ге О - ЗмоО;, и молибденового катализобретен монокристаллов,ротер мальным си- 500 С, отличаюолучения кристаллвыращивание веристого железа изли из порошка иизатора. идроучаеза способ голяет пол тбдат желедут в автоклаи температуре40 - 50%, велеза. Питаткислов исход одписная...
Установка для выращивания кристаллов
Номер патента: 220959
Опубликовано: 01.01.1968
МПК: C30B 7/10
Метки: выращивания, кристаллов
...камеры растворения в камеру роста, ось автоклава будет смещаться относительно горизонтали. Скорость роста кристалла, соответствующую скорости переноса вещества в автоклаве, можно определить, подвешивая к соответствующей отсчетной точке груз, необходимый для установления прикрепленной к коромыслу стрелки в нулевое положение, при котором ось автоклава горизонтальна.Наблюдение за перемещением стрелки осуществляется через отсчетный микроскоп 13. ываемая устафиг, 2 - то же,оклав 1, помещенционированным наорого регулируютасположен в полоцевой подставки 5, а жестко прикрепосей б ножевых на расположена в На фиг. 1 изображена о новка, поперечный разрез; продольный разрез.Установка включает авт ный в полость печи 2 с сек гревателем 3, секции 4...
Автоклав для выращивания кристаллов в гидротермальных условиях
Номер патента: 262857
Опубликовано: 01.01.1970
Авторы: Васенин, Икорникова, Институт, Лобачев, Сабуренков, Специальное
МПК: C30B 7/10
Метки: автоклав, выращивания, гидротермальных, кристаллов, условиях
...от паров раствора, что позволяет наблюдать за ростом кристалла,в процессе его вьтращивания.На чертеже изсбражен предложенный автоклав (разрез) и разрез по А - А.В многослойном корпусе 11 автоклава размещены кристаллизационный вкладыш 2, снабженный фторпластствым силыфоном 3, газовая камера 4 и нагревательный элемент 5. Автоклав снабжен блоком терморегулирования 6. В средней части автоклава расположены три окна 7, 8, 9, два напротив одно другого, третье под углом 90 к первым. Для регистрирования процесса, идущего в автоклаве, используют блок киносьемки 10, состоящий, например, из кинокамеры Красногорск с тремя смешанными объективами и цинтрофера, регулирую щего скорость съемки.Автоклав работает следующим образом.В кристаллизационный...
Автоклав для выращивания кристаллов и синтеза химических соединений в гидротермальныхусловиях
Номер патента: 280449
Опубликовано: 01.01.1970
Авторы: Сабуренков, Штернберг
МПК: B01J 3/04, C30B 7/10
Метки: автоклав, выращивания, гидротермальныхусловиях, кристаллов, синтеза, соединений, химических
...изображено предложенное устройство, общий вид. Автоклав состоит из многослойного корпуса, собраннного из конических, впрессованных друг в друга втулок (1 - .т) 1-1 а наружной поверхности внутренней втулки Л нарезана винтовая канавка для прохождения охлаждающей установку воды. В центральном канале втулки 8 помещен нагреватель 4 (вкладыш). В нижней части автоклава имеется обтюратор затвора 5 с резиновым и медным уплотнительным кольцами. Через этот оотюратор пропущена опаянная серебрянымприпоем термопара б.Обтюратор 5 подпирается нажимной гайкой 7, Автоклав легко поворачивается вокруг5 своей Оси.Автоклав поворачивают обтюратором 5вверх, отвинчивают нажимную гайку 7 и извлекают обтюратор. В нагреватель 4 помещаюттермопару б с...
402506
Номер патента: 402506
Опубликовано: 01.01.1973
МПК: C30B 29/16, C30B 7/10
Метки: 402506
...ведут при концентрации водного раствора фтористого калия 10 - 40 вес.% и фтористого натрия концентрацией 2 - 10 вес.%,П р и м е р 1. 50 г порошкообразного ЯЬеО загружают на дно реактора, куда заливают 400/О-ный водный раствор КР и 10 ф,-ный водный раствор ХаР.Реактор герметизируют, ставят в печь и нагревают до температуры 540 С, вследствие чего в нем создается давление в 1765 атм. Температурный перепад по высоте реактора составляет 30 С. Время выдержки в режиме 8 суток, В результате в верхней зоне реактора кристаллизуются кристаллы окиси сурьмы модификации сепармонтита, причем выход монокристаллов 40 г.Пример 2. Шихту состава ЯьОт в количестве 50 г загружают в реактор, куда заливают смешанныи водный раствор КГ (Скг= =30 вес.",о) и а...
Фонд вноертш
Номер патента: 400139
Опубликовано: 25.02.1974
Авторы: Власов, Дистлер, Лобачев, Мельников, Триедина
МПК: C30B 23/00, C30B 7/10
...ти, хам якро- травках е через СОКОй С частцос чеством ыс ца за рсдмет цзобретец 1 лИзобретение может использоваться прц выращивации моцокристаллов любыми способами, осцовяццыми ца примецециц моцокрцсталлических затравок.Известны способы выращивания моцокристаллов ца затравках, которые це устраняют дефектности используемых моцокристалличе- СКИХ ЗЯ 11 РЯОК.Для получения бездефектцых моцокристяллов с повышенной степенью совершенства рсальцой структуры предлагается затравки предварительно покрывать гряци ппми слоями из материалов, отличных от маеридлов затравок. Для более эффективного теплоотВодя В по ялс роста и испол ьзОВ я и и 51 макси мальцой толщины граничных слоев, обладающих ицформяциоццыми свойствами, в качестве материалов для...
Способ изменения окраски кристаллов непрозрачного природного кварца
Номер патента: 430877
Опубликовано: 05.06.1974
Авторы: Бел, Всесоюзный, Дунин, Зуева, Лисицына, Шапошников
МПК: C30B 29/18, C30B 7/10
Метки: изменения, кварца, кристаллов, непрозрачного, окраски, природного
...мариона по 15 лучают 100 кг цитрина и 117 кг раухтопаза.Экономический эффект по осветлению217 кг мориона равен 45000 руб. (с вычетом1000 руб. на переработку и 4000 руб, на огранку).20 Предмет изобретения Способ изменения окраски кристаллов непрозрачного природного кварца при высоких температурах и давлениях, отличающийся тем, что, с целью улучшения ювелирных качеств и повышения ценности камня, кристаллы кварца нагревают в 0,2 - 2%-ном растворе карбонатов щелочных металлов до температуры 230 - 320 С и давления 150 - 200 атм,Изобретение относится к способам изменения окраски природных минералов, например кварца (дымчатый кварц, морион и др,) в гидротермальных условиях.Известны способы изменения окраски природных минералов при...
Аппарат высокого давления и температуры
Номер патента: 1045642
Опубликовано: 23.08.1985
Авторы: Белобородов, Иванов, Ишбулатов, Капустин, Комаров, Рыжков, Щербаков
МПК: B01J 3/06, C30B 7/10
Метки: аппарат, высокого, давления, температуры
...ния на Обгазег особенно при высоких темп )ра гурах )О обусловленная принцип)ом,)абст) т п)п Рата, ОСЦОБаННОМ На И. - :Г)ЕГ)тзГЗ, ЦИ:ТвтРЧт)ГОЙ СРЕГЬ) тот)1 )1 ЗРЕ)А) ) Рт ТТНЕЗОБМОЖНОСТЬ тО)11)ОГО 133 Гр)Н)5 1;)БПения связана, по кр; йнсй мере,. Г;1:, -М 51 П)ГНИ НаМИ, ВО-".1)тпБЬГХ; ГтС) бо;11, -КИМ УДЕЛЬНЫМ УСИЛИЕМ (ттсК) Итсс-Н;Ощад)Ь, тБЕрдОЕ ЭЕщЕСТВО ХараКТЕри")тетСЯ СЛОЖН 1 тм НаП,"ЯЖЕ ННЫ ) СОСТОЯ:110)Г, ШИ КОТОРОМ ТЕН 3 ОРЬГ;.Тат;ТРГКГ тт)5:. Гт; - О ЮТ ЕЗЛИЧНЫЕ 3 НЗЧС 1 Я, НГ) - )ТТО",)ЬГХ зт) Г)ГЕТ БНУТРЕЦ 1)ГЗГО ГРЕН 5, Д: ЯПОЦ)тз ЗОВОЙ ЯЧЕЙКИ ХРРЕТКТЕР)111 1 Г)БЕТ)Г т ь ет а Вл е и и я г 0 о т 0 му д Г) )351 Р Г иР, 01) Р ДРЛЕН)ОР Б СЕной ТО 1;Р:):ГС СОСТБ;)Т - СТЗТУЕТ Б РУГОИ. т Е, )ГаЛЕНГГт Обр)зтчт ожет быть Опрее;с)Ясно...
Способ получения люминесцирующей кристаллической окиси цинка
Номер патента: 1560644
Опубликовано: 30.04.1990
Авторы: Данчевская, Ивакин
МПК: C30B 29/16, C30B 7/10
Метки: кристаллической, люминесцирующей, окиси, цинка
...и заливают 200 см 17.-ного водного раствора 2 пС 1. Концентрация ЕпС 1 равизобретения - повьппение интенсивности люминесценции, Окись цинка обрабатывают в парах воды при 380-450 Си давлении 100-300 атм в,присутствиихлорида цинка в количестве 0,05-5,003от массы окиси цинка. Получена кристаллическая окись цинка с высокой интенсивностью люминесценции в зеленойобласти спектра. 1 ил., 1 табл. на 2 Е от веса 2 пО. Вкладыш помещают в автоклав объемом 1 л, который нагревают до 400 С и выдерживают при данной температуре 24 ч. Затем автоклав охлаждают до комнатной температуры, вскрывают и выгружают продукт. Конечный продукт представляет собой кристаллическую окись цинка с размером зерен .2-8 мкм и габитусом бипирамицы, люминесцирующую в...
Способ выращивания монокристаллов l т о
Номер патента: 1562363
Опубликовано: 07.05.1990
Авторы: Дыменко, Пополитов, Цейтлин, Яшлавский
МПК: C30B 29/30, C30B 7/10
Метки: выращивания, монокристаллов
...фзы к твердой/= 4:1,1. Автоклав герметически закры вют и помещают в двухзонную печь сопротивления. Температура зоны раст" варения равна 430 С, температурный перепад равен 30 С, При данном нагреве давление жидкой Фазы составляет 530 атм. Процесс получения 1,1 ТаО;, протвкает по схеме, описанной в примере 1. Средний размер монокристаллов 1 1 ТдОз от 3 до 4 мм,Предложенный способ эффективен, прост в техническом оформлении, воспроизводим, не требует дорогостоящей футеровки, позволяет получать цистые монокристаллы ЬаТаОз и увеличивать 25 их размеры при пониженных температурНЫх параметрах процесса, цто необходимо для их практического использования в кацестве рабочих элементов в приборах специального назначения.При этом количество получаемых...
Способ выращивания монокристаллов висмута
Номер патента: 1562364
Опубликовано: 07.05.1990
Авторы: Дыменко, Пополитов, Цейтлин, Яшлавский
МПК: C30B 29/02, C30B 7/10
Метки: висмута, выращивания, монокристаллов
...одновремен ным восстановлением и последующей кристаллизацией монокристаллов висмута. Потенциометрическое исследование остаточных растворов показало, что оптимальный выход монокристаллов висмута достигается при величине окислительно-восстановительного потенциала 0,95 эВ. Выход монокристаллов висмута составляет 97,23 от стехиометрицес кого количества висмута, содержащегося в оксиде висмута, Чистота моно- кристаллов по сумме примесей составляет 10- 10 т .Пример .дицеского действия,156236 Й Формула изобретения Составитель Е, ЛебедеваТехред Л.Сердюкова Корректор Э, Лонцаковат Редактор А. Мотыль Заказ 1038 Тираж 3 А ПодписноеВНИИПИ Государственнос о комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. сс/5...
Способ гидротермального выращивания кристаллов со структурой типа ктр
Номер патента: 1583477
Опубликовано: 07.08.1990
Авторы: Демьянец, Мельников, Триодина
МПК: C30B 29/14, C30B 7/10
Метки: выращивания, гидротермального, кристаллов, ктр, структурой, типа
...Р, КН РО 4 при 1000 СПРоцесс ведут при соотношениижидкой и твердой Фаз, равном 10:15:1 по объему.4 1583477 Шнхт Концентрация ра створите ие ическая а мас. Стекло КГКА 1 РО Г 5О,КА 1 РО Г 100% 0,7 0,6 КА 1 РО Г (скоростьроста уменьшаетсяна порядок) КА 1 Р 04 Г (100%)кристаллы в видепластин 150 О,РО с талл100%) иэомермы 0 0,8 0 ской 5 КАУРО,Г (100%) КА 1 РОГ размером 0,5 см удлиненно Формы (100%)длиненная форма 0 4 10 100 0,7 У Г (г 0%),о КА 1 РОГ (80%)4 Г (50%) р+ Си (50%) 300 ст 5 5КНГ На дно автоклава объемом 160 см,футерованного медным вкладышем, помещают 40 г шихты, представляющейсобой фториднофосфатное стеклостехиометрического состава (КА 1 РОГ).Вкладыш с шихтом заполняют растворителем КГ концентрацией 5 мас.%с коэффициентом...
Способ получения монокристаллов стибиотанталата калия
Номер патента: 1641899
Опубликовано: 15.04.1991
МПК: C30B 29/30, C30B 7/10
Метки: калия, монокристаллов, стибиотанталата
...3,9-4,5 мм,Основные параметры процесса получеиия монокристаллов К БЬТаО представлены в таблице,Определение химического состава и идентификацию монокристаллов осу ществляли методом рентгеноспектрального и рентгеноструктурного анализа.В рентгеноструктурных исследованиях использованы методы Лауэ, Вейсенберга и порошка при СцК 0-излуче нин аУстановлено, что монокристэллы относятся к дитригональнопирамидальному (3 щ) классу тригональной сингонии с параметрами элементарной ячейки: а = 10,653+0,004, с= 11,597++0,005 А (в гексагональной установке).Изучение систематики погасанийрефлексов на вейсенбергограммах,симметрии лауэграмм с учетом изучения пироэффекта позволяет выбрать длямонокристаллов К БЬТа 0 полярнуюпространственную группу...
Способ получения монокристаллов оксида сурьмы
Номер патента: 1641900
Опубликовано: 15.04.1991
Авторы: Дыменко, Пополитов, Цейтлин, Яшлавский
МПК: C30B 29/16, C30B 7/10
Метки: монокристаллов, оксида, сурьмы
...последовательности операций и проведения эксперимента аналогична примеру 1, Основные физико-химические параметры ведения процесса получения монокристаллов ЗЬ 20 з кубической модификации следующие: количество ЯЬС 1 з 40 г, концентрацияводных растворов НМОз и НгОг составляет 14 и 6 мас,;(, соответственно, объемное соотношение Ч нйозЧнгог= 3:1 Ч нио з + н гогЧ эьоз=3,5:1,1. температура 150 С,температурныйперепад 45 С,давление 12 атм. При установившемся стационарном режиме происходит образование монокристаллов оксида сурьмы с выходом 92,5 . Размеры кристаллов составляют 6- 6,5 мм.П р и м е р 3, Методика оформления, последовательности операций и проведение эксперимента аналогична примеру 1, Физико-химические параметры проведения...
Способ получения монокристаллов соединения sc sb о
Номер патента: 1643633
Опубликовано: 23.04.1991
Авторы: Бичурин, Пополитов, Цейтлин
МПК: C30B 29/22, C30B 7/10
Метки: монокристаллов, соединения
...градиента температуры 1,6-2,1 град/см, Получают мснокристаплы в виде удлиненныхксаганальных призм длиной 3-б мм. Выд кристаллов 83 - 90;4 2 табл. клава происходит образование манакристаллав Яс 2 ЯЬ 409. Полученные манокристаплы кристаплизуются в виде удлиненных гексагональных призм, длина которых колеблется от 1 до 3 мм, Указанная область получения манокристаппов Яс 2 ЯЬ 409 ограничена параметрами: ЯЬ 20 з:Яс 20 з= 1.2;1=620 С; Л 1= 1,6 град/см, СсзР = 18 мас.,4.П р и м е р 2. Исходные компоненты шихты ЯЬ 20 з и Яс 20 з, взятые в мапьнам отношении 1,5;2,4, помещают на дно автоклава, устанавливают перегородку и затем заливают водный раствор фтаристага цезия концентрацией 36 мас,0/ Отношение жидкой фазы к твердой составляет б:1. Автоклав...
Способ выращивания монокристаллов l в о (он)
Номер патента: 1656014
Опубликовано: 15.06.1991
Авторы: Бичурин, Бондарева, Дыменко, Ломонов, Пополитов, Телегенов
МПК: C30B 29/22, C30B 7/10
Метки: выращивания, монокристаллов, оn
...р и м е р 2. В автоклав, футерованный фторопластом, помещаютхимические реактивы тетрабората литияи борной кислоты при их массовомсоотношении 2, 0: 1, О, затем заливаютэтанол (98 мас.7) и размещают перегородку для регулирования конвекциидля заданного температурного перепада, Отношение жидкой фазы к твердой3,0:1,0. Автоклав герметически закрывают и помещают в двухзонную печьсопротивления, где его нагревают дотемпературы (Т) 300 С (зона растворения) с температурным перепадом ( Т)о35 С. При данном нагреве давлениежидкой среды составляет 125 атм,20Процесс получения монокристаллов протекает по схеме, описанной в примере 1. Выход монокристаллов 98,1 Е,размеры до 5,7 мм.П р и м е р 3. В автоклав, футеро 25ванный фторопластом, помещают...
Способ получения монокристаллов оксида цинка для лазеров
Номер патента: 1668495
Опубликовано: 07.08.1991
Авторы: Кузьмина, Лазаревская, Никитенко, Стоюхин
МПК: C30B 29/16, C30B 7/10
Метки: лазеров, монокристаллов, оксида, цинка
...выращенном в данных условиях, возрастает по сравнению с исходным образцом, полученным без добавления металлического цинка в шихту, в 3 раза.П р и м е р 2. Технология выращивания соответствует режимам примера 1, но шихту вводят 2,3 мас.% металлического цинка, Усиление ЭФЛ составляет около 2.П р и м е р 3. Технология выращивания соответствует режимам примера 1, но в шихту вводят 4 мас,% металлического цинка. Интенсивность ЭФЛ меньше, чем у исходных монокристаллов, выращенных без добавления цинка в шихту.На графике показаны спектры фотолюминесценции при лазерном возбуждении (ЛГИ) и Т=80 К кристаллов ЕпО, полученных гидротермальным методом из необогащенной (кривая 1) и обогащенной ионами цинка среды: кривая 2 - с добавкой 2,3 мас.%...
Способ получения монокристаллов (sв bi )nво, где х = 0, 1 0, 3
Номер патента: 1668496
Опубликовано: 07.08.1991
Авторы: Адхамов, Дыменко, Пополитов, Цейтлин
МПК: C30B 29/30, C30B 7/10
Метки: nво, где, монокристаллов
...исходные компоненты ИЬг 05, ЗЬгОз, В 1 гОз, взятые в мольном отношении 1,2:1,4;0,4. В автоклав заливают водные растворы КР кон центрацией 32 мас и НгС 20 а концентрацией 6 мас взятые в объемном соотношении 4,0:1,2, Соотношение объемов жидкой и твердой фазы составляет 4,5:1,3. Заряженный автоклав с размещенной пере городкой герметически закрываю и помещают в печь сопротивления, где его нагревают до 420 С, вследствие чего давление жидкой среды в нем достигает порядка 760 атм. Температурный градиент составля ет 1,5 градсм. При установившемся стационарном режиме происходит синтез монокристаллов твердых растворов (ЗЬ 1-хВ 1 х)ЙЬ 04, выход которых составляет соответственно 90 от веса исходной ших ты, что в среднем в шесть раз превышает...
Способ получения окрашенных монокристаллов оксида цинка
Номер патента: 1673651
Опубликовано: 30.08.1991
Авторы: Комарова, Кузьмина, Лазаревская, Никитенко, Стоюхин, Цур
МПК: C30B 29/16, C30B 7/10
Метки: монокристаллов, окрашенных, оксида, цинка
...из печи и затем открывают и извлекают из него вкладыш, Вкладыш раскрывают, вынимают выращенный кристалл,промывают его дистиллированной водой от 10следов щелочного раствора, высушивают ивзвешивают,Получают прозрачный кристалл оксидацинка краСно-оранжевого цвета, ограненный двумя моноэдрами, призмой, пирамидой, массой 3,4 г.П р и м е р 2. Основные параметры ростасоответствуют примеру 1. Для окрашиваниякристалла в красно-оранжевый цвет используют оксид марганца в концентрации 200,01 масПолучают прозрачный слабоокрашенный в красноватый цвет монокристалл оксида цинка.П р и м е р 3. Режимы роста соответствуют примеру 1, концентрация оксида марганца в растворе 3 масПолучают непрозрачный темно-красного оттенка монскристалл оксида...
Способ получения диоксида германия тетрагональной модификации
Номер патента: 1682413
Опубликовано: 07.10.1991
Авторы: Абдрафиков, Бичурин, Новоселов, Пополитов
МПК: C30B 29/16, C30B 7/10
Метки: германия, диоксида, модификации, тетрагональной
...Чыс: Чн 2 о 2 =-: 9.0; 1,2.Подготовленный к эксперименту реактор герметически закрывают и гюмещают в печь сопротивления с двумя нагревателями. Реактор нагревают до 150 С, вследствие чего внем создается давление порядка 11,2 атм,Температурный перепад между зонами растворения и роста поддерживают равным4 С, время выдержки в стационарном рекиме 8 сут, Процесс протекает аналогичнопримеру 1, Выход монокристаллов = Ое 0292,4%, их размеры находятся в пределах от1,35 до 1,4 мм.П р и м е р 3, Методика и технологияперекристаллизации диоксида германиятетрагональной мсдификации аналогичнапримерам 1 и 2, Физико-химические параметры ведения процесса следующие: концентрация водного раствора ОС) 1,5 мас. и Н 202 2 мас, , температура 160 С, давление...
Способ получения монокристаллов нефелина
Номер патента: 1701756
Опубликовано: 30.12.1991
МПК: C30B 29/22, C30B 7/10
Метки: монокристаллов, нефелина
...автоклава, в верхней его части (высотой 20 мм) наблюдается даже при минимальном ЛТ (10 С) значительное образование спонтанных кристаллов нефелина, вплоть до образования "крыши", толщиной 5 - 7 мм. Границы интервала концентраций также определяются, с одной стороны (ниже 3 мас.%), низкими скоростями роста, с другой (выше 17 мас.) - образованием спонтанных кристаллов гидроканкринита, нефелина или содалита, в зависимости от температуры.При проведении процесса в растворах йаОН (С 1 чаон 3 - 17 мас.) скорость роста кристаллов низка, Урюк0,02 мм/сут, при использовании КОН образуется другая фаза - КА 31 О 4 со структурой кальсилита, При использовании смеи 3 анного раствора йаОН + КОН с объемным соотношением меньше 1:2 при тех же исходных...
Способ получения монокристаллов твердых растворов на основе ортотанталата сурьмы
Номер патента: 1710602
Опубликовано: 07.02.1992
Авторы: Дыменко, Пополитов, Сыч
МПК: C30B 29/30, C30B 7/10
Метки: монокристаллов, ортотанталата, основе, растворов, сурьмы, твердых
...отношение жидкой и твердой фаз являетсясущественным для поддержания длитель-.ного пересыщения в зоне синтеза, Если,например, взять количество твердой фазы45 по объему равной жидкой, то практическиполучается вязкий раствор, который затрудняет массоперенос и снижает подвижность растворенных компонентов, Этообстоятельство лимитирует синтез и вы 50 ход монокристаллов твердых растворов(ЯЬ 1-, Вх) Та 04,Таким образом, все отличительныепризнаки способа причинно связаны сцелью изобретения и достаточны для его55 осуществления. Нарушение того или иногопараметра приводит к невоспроизводимости предложенного способа. Разработанный способ позволяет синтезироватьмонокристаллы (ЯЬ 1-, Вх) Та 04 с выходом80 - 93 мас.от исходной шихты с содержанием 0,1...
Способ получения монокристаллов йодида свинца
Номер патента: 1710603
Опубликовано: 07.02.1992
Авторы: Дыменко, Орипов, Пополитов, Цейтлин
МПК: C30B 29/12, C30B 7/10
Метки: йодида, монокристаллов, свинца
...скорости конвективного движения раствора оказалась оптимальной для получения монокристаллов РЫ 2 заданного вы хода. Было найдено, что при В/ 14 см/с(Я - скорость конвективного движения раствора) массоперенос растворенных форм иодида свинца от границы шихта -40 45 50 55 раствор недостаточен, что лимитирует выход РЫ 2.смПри И/ 17 выход монокристалловсРЫ 2, как показали эксперименты, практически не зависит от этого параметра. Такимобразом, интервал 14 И/ 17 - являетсмсся оптимальнымдля получения монокристаллов иодида свинца с заданнымвыходом. Концентрация водного раствораСНзСООН составляет 16-20 мас,%, что всочетании с другими параметрами процессавполне достаточно для растворения шихтыРЫ 2 и образования насыщенного...
Способ получения монокристаллов оксида висмута
Номер патента: 1723211
Опубликовано: 30.03.1992
Авторы: Дыменко, Пополитов, Цейтлин, Яшлавский
МПК: C30B 29/16, C30B 7/10
Метки: висмута, монокристаллов, оксида
...висмута, Значение температурного перепада также является существенным с точки зрения достижения цели изобретения. Понижение температурного перепада (ЬТ 20 С) приводит к уменьшению пересыщения, необходимого для роста кристаллов, а следовательно, к увеличению длительности процесса получения монокристаллов оксида висмута. Увеличение же значения температурного перепада ( ЬТ30 С) способствует интенсивному массопереносу исходной шихты(В 20 з) в верхнюю зону реакционного пространства автоклава. Это обстоятельство приводит к высокой скорости зародыше- образования по сравнению с ростом кристаллов ВгОз, которые имеют малые размеры, Так, например, при ЬТ = 32 С и при прочих равных параметрах размер монокристалловоксида висмута составляет не...
Способ получения монокристаллов хлорида свинца
Номер патента: 1726570
Опубликовано: 15.04.1992
Авторы: Дыменко, Орипов, Пополитов, Цейтлин
МПК: C30B 29/12, C30B 7/10
Метки: монокристаллов, свинца, хлорида
...многочислен ные зародыши, скорость образования которых превышает скорость их роста. Одной из характеристик, влияющих на скорость отвода растворяемого вещества от границы шихта-раствор, является скоро сть конвекционного движения раствора, При введении в кварцевый реактор перегородок, разделяющих зону растворения и роста, с диаметром отверстий 1-5 мм скорость конвективного движения раствора 15 при температуре 100-145 С, ЬТ 4-7 С изменялась от 12 до 16 см/с. Указанная величина скорости конвекционного движения раствора оказалась оптимальной для получения монокристаллов РЬС 2 заданного выхода. Было найдено, что при ЧЧ 12 см/с ЧЧ - скорость конвекционного движения раствора) массоперенос растворенных форм хлорида свинца от границы...
Способ получения шихты для выращивания монокристаллов кварца
Номер патента: 1740504
Опубликовано: 15.06.1992
Авторы: Абаджян, Готальская, Егоров, Жуков, Кабанович, Мурадян, Рыжков
МПК: C30B 7/10
Метки: выращивания, кварца, монокристаллов, шихты
...кварца отличается тем, что для обеспечения получения высокопрочных брикетов-кусков, в качестве исходного материала берут аморфный диоксид кремния при влажности 20 - 25%, а обжиг прессованных брикетов осуществляется при 1350-1400 С в шахтных печах в атмосфере водяных пэров в течение 2 ч, после чего брикеты дробят на куски размерами 20 - 35 мм,Установлено, что снижение влажности исходного диоксида кремния способствует уменьшению пористости, а повышение температурыы обжига укорачивает длительность процесса обжига максимум до 4 ч.Предложенный способ подготовки шихты бып испытан в лабораторных и полупромышленных условиях.Способ реализуют следующим образом.Исходный аморфный диоксид кремния с суммарным содержанием микропримесей не более 5...
Способ получения монокристаллов оксида тантала у
Номер патента: 1747544
Опубликовано: 15.07.1992
Авторы: Дыменко, Орипов, Пополитов, Цейтлин
МПК: C30B 29/16, C30B 7/10
Метки: монокристаллов, оксида, тантала
...существенны с точки зрения достижения цели изобретения, т,е. до получения максимального выхода монокристаллов оксида тантэ ла, Значение температурного перепадатакже является существенным с точки.зрения достижения цели изобретения. Понижение температурного перепада ( ЛТ20 С) приводит к уменьшению пересыщения, не обходимого для роста кристаллов, а следовательно, к увеличению длительности процесса получения монокристэллов оксида тантала (Ч). Увеличение значения температурного перепада ( ЛТ30 С) 35. способствует интенсивному массопереносуисходной шихты Та 205 в верхнею зону реакционного пространства реактора.Это обстоятельство приводит к сильнойскорости зародышеобразования по сравне нию с ростом криСталлов Та 205 и последниеимеют малые...