Соломоненко — Автор (original) (raw)
Соломоненко
Способ определения количества алкилфенолформальдегидных щелочерастворимых смол в составе полимерной основы фоторезистов
Номер патента: 1470071
Опубликовано: 10.11.1995
Авторы: Кольцов, Мозжухин, Соломоненко
МПК: G01N 33/44, G03C 1/72
Метки: алкилфенолформальдегидных, количества, основы, полимерной, смол, составе, фоторезистов, щелочерастворимых
СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ КОЛИЧЕСТВА АЛКИЛФЕНОЛФОРМАЛЬДЕГИДНЫХ ЩЕЛОЧЕРАСТВОРИМЫХ СМОЛ В СОСТАВЕ ПОЛИМЕРНОЙ ОСНОВЫ ФОТОРЕЗИСТОВ, отличающийся тем, что, с целью снижения трудозатрат при сохранении воспроизводимости фототехнических параметров фоторезиста при использовании смол разных партий, для каждой из смол определяют скорость растворения слоя смолы на подложке в водно-щелочном растворе проявителя и затем определяют содержание каждой из смол, используя следующие расчетные формулы:С2 100 С1, мас.где V скорость растворения слоя полимерной основы в водно-щелочном растворе проявителя;V1 и V2 скорости растворения в...
Экстрактор для системы твердое тело жидкость
Номер патента: 1706096
Опубликовано: 27.05.1995
Авторы: Аммосов, Артюшенко, Берлянд, Литвиненко, Мишев, Попова, Соломоненко
МПК: B01D 11/02
Метки: жидкость, системы, твердое, тело, экстрактор
ЭКСТРАКТОР ДЛЯ СИСТЕМЫ ТВЕРДОЕ ТЕЛО ЖИДКОСТЬ, содержащий вертикальный корпус с загрузочным штуцером и решетчатой перегородкой, расположенный в корпусе вал с радиально расположенными над перегородкой рабочими элементами, привод возвратно-поступательного перемещения вала и сборник экстракта, отличающийся тем, что, с целью интенсификации процесса, рабочие элементы выполнены в виде ножей, изогнутых по форме геликоида, ось которого совпадает с осью вала, с боковыми режущими кромками, а вал дополнительно снабжен приводом возвратно-поступательного перемещения, взаимосвязанным с приводом возвратно-поступательного перемещения, для сообщения ножам перемещения по винтовой траектории, шаг которой равен шагу геликоида, при этом вал установлен с...
Устройство записи и считывания информации для динамического накопителя на однотранзисторных запоминающих элементах
Номер патента: 727023
Опубликовано: 23.02.1993
Авторы: Минков, Соломоненко
МПК: G11C 11/409, G11C 7/00
Метки: динамического, записи, запоминающих, информации, накопителя, однотранзисторных, считывания, элементах
...столбец 5 матрицы15памяти (накопителя), усилители 6 считывания, буферный усилитель 7, шины8 ввода-вывода, ключи 9 выборки, дешифратор 10 строк, дешифратор 11столбцов и транзисторы 12 предзарядд числовых шин,Управляющие сигналы СЕ, Ф 1, Ф 2 иФ 3 вырабатываются схемой управлениякристалла ЗУ (на чертежах не показана).Перед обращением (интервал времени до момента ) все шины 1 через .открытые транзисторы 12 подключены копорному напряжению Евеличина которого выбрана средней между уровнями"0 и "1. В это время ключевые транзисторы элементов 1 закрыты, а усилители считывания 6 находятся в неак 25тивном состоянии, так как они отклюцены от общей шины и их нагрузочныетранзисторы закрыты (Ф 2 = О) . В момент временитранзисторы 12 закрываются, и...
Элемент памяти
Номер патента: 1275544
Опубликовано: 07.12.1986
Авторы: Лушников, Минков, Соломоненко
МПК: G11C 11/40
...1Изобретение относится к областимикроэлектроники и предназначено дляиспользования в больших интегральныхсхемах (БИС) динамических запоминающих устройств с произвольной выборкой (ЗУПВ),На чертеже представлено предлагаемое устройство.Элемент памяти содержит ключевойтранзистор 1, сток которого являетсявходом 2 элемента памяти, накопительный конденсатор 3, дополнительный ключевой транзистор 4, сток которого является выходом 5 элементапамяти, затворы транзисторов 1 и 4 являются входом 6 выборки элементапамяти. Пунктиром обозначены паразитные емкости шин записи - считывания (не указаны), к которым элементпамяти подключен через вход и выход.Так как элемент памяти подключендифференциально к двум шинам записисчитывания, то это дает...
Композиция для вибропоглощающего материала
Номер патента: 1201257
Опубликовано: 30.12.1985
Авторы: Аксенова, Быков, Венерин, Жидкова, Кирсанова, Соломоненко
МПК: C04B 14/30, C04B 14/40, C04B 26/26 ...
Метки: вибропоглощающего, композиция
...вибропоглощающего материала заключается в следующем.20Сначала в смеситель периодического действия загружают половину содержащегося в составе битума, разогретого до 180-200 С, и перемешивают в течение 1 мин, затем при перемешивании загружают асбест, минеральный порошок, слюду, окись кальция и масло и перемешивают 5 мин. язкость испольэуемог5-40 сСт. Вводимая в композицию слюда имеетследующий гранулометрический состав: После этого заливают. оставшуюся часть битума и перемешивают 10-20 мин, Затем смесь подается в буферную емкость с мешалкой. Иэ этой емкости подается шнеком на каландр, где каландруется в листовой материал толщиной 2+0,2 мм. После чего сформированное полотно проходит через водяную охлаждающую ванну.При приготовлении...
Поршень бурового насоса
Номер патента: 1160099
Опубликовано: 07.06.1985
Авторы: Авилкин, Бученков, Затеев, Николич, Соломоненко
МПК: F04B 53/14
Метки: бурового, насоса, поршень
...выступов,включающим канавки, и уплотнительнуючасть, привулканизированную к концевым участкам цилиндрических выступов и примыкающую к опорной части 1 .Однако при работе поршня известного насоса под действием перепададавления уплотнительная часть манжеты деформируется в осевом направлении 20на такте нагнетания и возвращаетсяв первоначальноеположение на тактевсасывания.Такое циклическое, перемещение злементов уплотнительной манжеты отно.сительно сердечника ведет к преждевременному износу поршня в целом.цель изобретения- повышение долговечности.Поставленная цель достигается тем,З 0что в поршне бурового насоса, содержащем уплотнительную манжету и металлический сердечник, имеющий центральный бурт и расположенные по обе стороны бурта на...
Усилитель считывания
Номер патента: 1120405
Опубликовано: 23.10.1984
Авторы: Бочков, Лазаренко, Однолько, Соломоненко
МПК: G11C 7/06
Метки: считывания, усилитель
...конденсатора, затвор первого нагрузочного транзистора соединен с первой обкладкой второго конденсатора и стоком второго ключевого транзистора, исток первого усилительного транзистора соединен с истоком второго усилительного транзистора, пер-, вую и вторую шины управления, содержит третий и четвертый ключевые транзисторы, стоки которых являются соответственно первым и вторым входами устройства, исток третьего ключевого транзистора соединен со стоком первого ключевого транзистора, исток которого соединен с истоками первого усилительного и второго ключевого транзисторов и шиной нулевого потенциала, исток четвертого ключевого транзистора соединен со стоком второго ключевого транзистора, вторая обкладка первого конденсатора соединена с...
Ячейка памяти (ее варианты)
Номер патента: 1115106
Опубликовано: 23.09.1984
Авторы: Куварзин, Мальцев, Милошевский, Нагин, Однолько, Соломоненко, Тюлькин, Чернышев
МПК: G11C 11/40
Метки: варианты, ее, памяти, ячейка
...на шину 1 2 , а запись логического0 подаче низкого потенциыа на шину 1 1 и высокого на шину 1 2 . При этом на шину 1 7 подается положит ель ный потенциал ( + 5 Ч) . В р ез ул ьтате этого при записанной логич ес кой " 1 " триггер устанавливаетс я в состояние, когда потенциал на выходе 9 высокий , а на выход е 1 О низкий . Эт о состояние сохраняется после понижения потенциала на шич е 1 7 .Для считывания состояния ячейки необходимо подать положительный пот енциал на шину 1 7, контролируя при этом потенциал на шинах 1 1 и 1 2 . Высокий потенциал на шине 1 1 и низкий на шине 1 2 свидетельствует о т ом ,чт о в ячейке хранится логическая " 1 " . 11151 Ячейка памяти по второму варианту 55(фиг.2) отличается от первого лишьтем, что транзисторы...
Формирователь импульсов
Номер патента: 1003348
Опубликовано: 07.03.1983
Авторы: Бочков, Лазаренко, Лушников, Минков, Однолько, Соломоненко
МПК: H03K 19/08
Метки: импульсов, формирователь
...1 ретьего МДП-транзисторов, исток второго МДП- транзистора. подключен к затвору пятого МДП-транзистора, затвор третьего МДП-тран. зистора подключен через второй конденсатор к стоку шестого и истоку седьмого МДП- транзисторов и непосредственно к истоку 25 восьмого МДП-транзистора, сток и затвор которого подключены к шине питания, сток седьмого МДП-транзистора подключен к шине питания, исток шестого МДП-транзистора подключен к общей шине, затворы первого и четвертого МДП-транзисторов соединены/ дополнительно введены первый и второй двухтактные каскады, девятый, десятый, одиннадцатый и двенадцатый МДП-транзисторы, третий, четвер 1 ый и пятый конденсаторы, причем первый и второй входы первого двухтактного каскада подключены к первой и...
Адресный формирователь
Номер патента: 970460
Опубликовано: 30.10.1982
Авторы: Гафаров, Минков, Соломоненко, Уросов
МПК: G11C 7/24
Метки: адресный, формирователь
...транзистора связи, причем стоки транзисторов связи этих пар и затворы входного и опорного транзисторов подключены к соответствующим плечамтриггера, затворы транзисторов связиподключены к первой тактовой шине,.исток опорного транзистора одной пары транзисторов подключены к шиненулевого потенциапа, а исток входного транзистора другой - к входнойшине, введен компенсирующий элемент,выполненный в виде конденсатора, одна обкладка которого подключена квходному плечу триггерами а втораяк шине нулевого потенциала.Емкость конденсатора выбираетсятакой, чтобы скомпенсировать действия двух рассмотренных выше Факторов,обуславливающих зависимость порогасрабатывания от фронта стробирующего сигнала,На Фиг. 1.приведена принципиальная электрическая схема...
Матричный накопитель для интегрального запоминающего устройства
Номер патента: 928412
Опубликовано: 15.05.1982
Авторы: Гафаров, Минков, Соломоненко
МПК: G11C 11/34
Метки: запоминающего, интегрального, матричный, накопитель, устройства
...шин выборки с одной из полушин числовых шин.На фиг. 1 изображено .взаимное расположение элементов на кристалле ЗУПВ;на фиг, 2 - фрагмент топологии матричного накопителя,, Накопительподанному изобретению использованн в и нтегральном ЗУПВ емкостью".16384 бита, Запоминающее устройство,изготовленное по о -канальной МОП тех Знологии с самосовмещенными кремниевыми затворами и с двумя уровнями разводки иэ поликристаллического кремния, содержит элементы памяти 1, состоящие изМОП-конденсатора 2 и ключевого транзистора 3, Шины выборки 4 выполненыиз поликристаллического кремния второго уровня и являются одновременнозатворными шинами ключевых транзисторов 3. Числовые полушипы 5, соединен- Бнные с ключевыми транзисторами 3, выполнены из...
Усилитель считывания для интегрального запоминающего устройства
Номер патента: 928405
Опубликовано: 15.05.1982
Авторы: Минков, Соломоненко
МПК: G11C 11/40, G11C 7/06
Метки: запоминающего, интегрального, считывания, усилитель, устройства
...отсутствуют цепи статического потребления и дифференциальный выходной сигнал на сигнальных шинах равен напряжению питания.Это имеет большое значение для интегральных динамических ЗУ большой и сверхбольшой емкости, так квк мощность, потребпяемая известными усилителями считывания, состагдяет 70-80",о мощности потребления ЗУ. Применение предлагаемогоусилителя позволит снизить мощность потребления ЗУ в 2-3 3 92840быстродействие за счет заряда параэитной емкости схемы.1 Ьдь изобретения - уменьшение потребляемой мощности и увепичение быстродействия усилителя считывания.5Поставленная цель достигается тем,что усилитель ссдержит два МОП-конденсатора и два ключевых транзистора, стокпервого ключевого транзистора соединенС ЗатВОРОМ ПЕРВОГО...
Формирователь импульсов
Номер патента: 911692
Опубликовано: 07.03.1982
Авторы: Лазаренко, Лушников, Минков, Однолько, Соломоненко
МПК: H03K 3/353
Метки: импульсов, формирователь
...транзистора 8в течение всего переходного процес 55 са. Второй щдэаряж щий транзистор12 закрыт. Емкость С затвор-каналтранзистора 9 действует в качествеобратноЯ связи в этом переходномпроцессе, и повышение напряжения60 на истоке транзистора 9 передаетсяна его затвор.Таким образом, высокая проводимость, определяемая напряжением затвор-исток коммутирующего транзистора65 9 сохраняется в течение всего пеНа фиг. 1 представлена принципиальная схема формирователя; нафиг. 2 - временная диаграмма работыформирователя.Формирователь импульсов содержитшины питания 1, общую 2, йЬрвуювходную 3, вторую входную 4, выходную 5, МДП-транзисторы 6 - 12 икрнденсатор 13, Истоки первого би второго 7 заземляющих транзисторовобогащенного типа соединены с...
Статическая ячейка памяти на мдптранзисторах
Номер патента: 799004
Опубликовано: 23.01.1981
Авторы: Гафаров, Лушников, Минков, Соломоненко, Уросов
МПК: G11C 11/40
Метки: мдптранзисторах, памяти, статическая, ячейка
...5, затвор которого соединен с числовой шиной б, Междустоком транзистора 2 и разряднойшиной 7 включен транзистор 8, затвор 25которого также соединен с числовойшиной б. Между стоком транзистора 1и разрядной шиной 4, и между стокомтранзистора 2 и разрядной шиной 7включены, соответственно, элементы 9и 10, сопротивление утечки которых .меньше сопротивления утечки стокаМДП-транзистора 1 или 2 в закрытомсостоянии.В режиме хранения информации числовая шина б имеет потенциал нижепорогового напряжения транзисторов5 и 8 (логический 0). Еслисток транзистора 1 имеет потенциалвыше порогового напряжения транзистора 2 (логическая ф 1 ф), а сток транзистора 2 имеет потенциал логического 0, то это состояние хранитсянеограниченно длительное...
Способ оценки срока пригодности фоторезисторов
Номер патента: 792204
Опубликовано: 30.12.1980
Авторы: Кольцов, Мозжухин, Соломоненко
МПК: G03C 5/00
Метки: оценки, пригодности, срока, фоторезисторов
...40 мощью ИК-спектростепень разложеОпреде фотометра ния е 0Исходя энергии а енная сначальн0, 081.из изветивации-2,8О преен степенуле стипо дельно до ПР Ое 1 т лооре игодности ри 25 С,рок мер опре зист 13ь+26 2 1,49 Еп еореО 5имер мого ма об ие кон фотоВ качес ла беру иру нове 0-нафтохинондиаэида. Выпускается в виде жидкой композиции с содержанием 15-ного растворенного светочувствительного вещества.10 г фоторезиста помещают в про-. бирку, соединенную с вольтметром, и термостатируют при 90 С в условиях, исключающих засветку образца, регистрируя объем выделящегося азота ЧС в течение 5-6 ч через каждые 20- 60 мин. Объем газа после завершения ееакции разложения У приведенныйусловиям опыта, определяют исходя иэ известного содержания азота в...
Устройство для регулирования температуры
Номер патента: 590718
Опубликовано: 30.01.1978
Автор: Соломоненко
МПК: G05D 23/20
Метки: температуры
...опорного напряжения подключен к общей точке эмиттера транзистора б и опорного диода 7, а другой - к точке соединения эмиттера транзисторного нагревателя 8 и ограничительного элемента 9. Один вывод термочувствительного генератора тока, состоящего из включенных последовательно500718 Составитель В, КрюковТехред А. Камышникова Редактор Н, Громов Корректор В. Гутман Заказ 1008/2066 Изд.208 Тираж 1109 НПО Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий Москва, Ж, Раушская наб д. 4/5Подписное Тип, Харьк. фил. пред, Патент усилительного транзистора 10, чувствительного транзистора 11 и резистора 12, подсоединен к нагрузочному резистору 13, а другой - к точке соединения резистора 2 и стабилизирующего...