Стусь — Автор (original) (raw)
Стусь
Способ изготовления фотодиодов
Номер патента: 1840979
Опубликовано: 20.11.2014
Авторы: Пенцов, Слободчиков, Стусь, Филаретова
МПК: H01L 21/02
Метки: фотодиодов
1. Способ изготовления фотодиодов, включающий формирование на подложке InAs n-типа проводимости слоя InAs p-типа проводимости и нанесение контактов, отличающийся тем, что, с целью повышения дифференциального сопротивления, перед нанесением контактов на слой InAs p-типа проводимости наращивают слой широкозонного твердого раствора InAsSbP p-типа проводимости с концентрацией дырок 10 16 см-3<p<1018 см-3 .2. Способ по п.1, отличающийся тем, что слой InAs p-типа проводимости формируют в процессе наращивания слоя широкозонного твердого раствора InAsSbP p-типа проводимости.
Баллистический гравиметр
Номер патента: 1563432
Опубликовано: 27.02.2007
Авторы: Арнаутов, Калиш, Смирнов, Стусь, Тарасюк
МПК: G01V 7/14
Метки: баллистический, гравиметр
Баллистический гравиметр, содержащий вакуумную камеру, в центре верхнего фланца которой встроен электромагнит с сердечником из магнитомягкого материала и катушкой питания и регулирования, а также стабилизированный источник питания, свободно падающую пробную массу, в верхней плоскости которой симметрично оси электромагнита закреплены пластина из магнитомягкого материала и три опоры, оптический уголковый отражатель, жестко связанный с пробной массой, каретку-подъемник пробной массы с автоматически управляемым приводом, лазерный интерферометр, вход которого оптически связан с уголковым отражателем пробной массы, а выход - с электронным измерителем интервалов времени и ЭВМ, отличающийся тем,...
Способ лазерной подгонки прецизионных тонкопленочных резисторов
Номер патента: 1701049
Опубликовано: 10.10.1999
Авторы: Артемов, Казадаев, Осипов, Стусь
МПК: H01C 17/24
Метки: лазерной, подгонки, прецизионных, резисторов, тонкопленочных
1. Способ лазерной подгонки прецизионных тонкопленочных резисторов, включающий изготовление тестовых образцов резисторов на диэлектрической подложке, нанесение пробных резов перпендикулярно направлению линий тока тестовых резисторов с использованием различных режимов лазерного излучения, определение зависимости величины удельного поверхностного сопротивления утечки резов от мощности лазерного излучения, выбор оптимального режима работы лазерного излучения путем сравнения полученной величины сопротивления утечки резов на тестовых образцах с заданной величиной и подгонку номиналов тонкопленочных резисторов путем нанесения лазерных резов параллельно линиям тока в выбранном режиме, отличающийся...
Способ термообработки пленочных резисторов на основе сплава хрома и кремния
Номер патента: 1598730
Опубликовано: 20.07.1996
Авторы: Лазарев, Осипов, Стусь
МПК: H01C 17/00
Метки: кремния, основе, пленочных, резисторов, сплава, термообработки, хрома
1. Способ термообработки пленочных резисторов на основе сплава хрома и кремния, включающий многостадийную термообработку в диапазоне температур 350-450oС, каждая из которых содержит изотермическую выдержку, охлаждение до комнатной температуры, измерение величины сопротивления резисторов и расчет значений величин ТКС, причем операцию термообработки прекращают по достижении заданных значений величин ТКС, отличающийся тем, что, с целью повышения временной и температурной стабильности резисторов, после измерения величин сопротивления резисторов и расчета значений ТКС резисторы нагревают со скоростью 180-200oС/с до 460-500oC с последующим охлаждением и повторным измерением величин сопротивления резисторов и...
Способ изготовления тонкопленочных резисторов на основе сплавов хрома и кремния
Номер патента: 1598726
Опубликовано: 20.07.1996
Авторы: Аванесян, Лазарев, Осипов, Савчук, Стусь
МПК: H01C 17/00, H01C 7/06
Метки: кремния, основе, резисторов, сплавов, тонкопленочных, хрома
1. Способ изготовления тонкопленочных резисторов на основе сплавов хрома и кремния, включающий последовательное нанесение резистивных и проводниковых слоев на диэлектрическую подложку методом термического испарения в вакууме, формирование проводниковых и резистивных элементов методом фотолитографии, многократную термообработку в диапазоне температур 250 550°С, включающую нагрев, охлаждение, измерение сопротивления резисторов и расчет значений ТКС, изотермическую выдержку, подгонку величины сопротивления, причем термообработку прекращают по достижении заданных значений ТКС, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности изготовления за счет временной стабильности резисторов, подгонку величины сопротивления осуществляют в два этапа,...
Газоанализатор
Номер патента: 1672814
Опубликовано: 20.05.1996
Авторы: Борзых, Борисов, Зотова, Марков, Матвеев, Ремизов, Семенов, Стусь, Талалакин, Хорошев
МПК: G01N 21/31
Метки: газоанализатор
1. Газоанализатор, содержащий излучающий диод, p-n-переходы которого выполнены идентичными в одном и том же кристалле, фокусирующую оптическую систему по крайней мере с одним элементом, выполненным в виде вогнутого отражателя, в фокусе которого расположен фотоприемник, и электронную схему выделения полезного сигнала, подключенную к фотоприемнику, отличающийся тем, что, с целью расширения функциональных возможностей газоанализатора за счет определения качественного состава газовой смеси, на поверхности по крайней мере одного из отражателей нанесена дифракционная решетка и/или газоанализатор содержит дифракционную решетку, в меридиональной плоскости которой на направлениях главных дифракционных максимумов расположены диод и фотоприемник,...
Светоизлучающий диод
Номер патента: 1428141
Опубликовано: 10.05.1995
Авторы: Зотова, Карандашев, Матвеев, Рогачев, Стусь, Талалакин
МПК: H01L 33/00
Метки: диод, светоизлучающий
СВЕТОИЗЛУЧАЮЩИЙ ДИОД, содержащий варизонную структуру на основе InAsSbP с p-n-переходом и омические контакты, отличающийся тем, что, с целью повышения квантового выхода в области длин волн, больших 3,9 мкм, за счет обеспечения стимулированного режима работы светодиода, вариозная структура с p-n-переходом выполнена в виде пленки InAsSb, расположенной на варизонной пленке InAsSbP толщиной 60-90 мкм, торцовые грани диода сколоты по плоскостям, сходящимся в центре под углом , причем пленки InAsSb и InAsSbP выполнены в виде концентрических шаровых слоев, прилегающих к InAsSbP, n-область InAsSb имеет толщину 2-4 мкм, периоды решеток в обеих пленках линейно возрастают в направлении...
Способ изготовления полупроводниковых структур
Номер патента: 1178263
Опубликовано: 10.04.1995
Авторы: Билинец, Голович, Матвеев, Стусь, Талалакин, Федак
МПК: H01L 21/208
Метки: полупроводниковых, структур
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУРInAs InAs1-x-ySbxPyметодом жидкофазной эпитаксии, включающий приготовление раствора-расплава, содержащего индий, мышьяк, сурьму и фосфор, приведение его в контакт с буферной пластиной арсенида индия при температуре начала эпитаксиального наращивания, изотермическую выдержку в течение 30 45 мин, приведение раствора-расплава в контакт с подложкой арсенида индия и последующее наращивание согласованных на границе с подложкой слоев твердого раствора путем принудительного охлаждения системы, отличающийся тем, что, с целью улучщения качества структур за счет снижения плотности дислокаций в эпитаксиальном слое,...
Способ изготовления структур с p-n-переходом в системе inas ingaas
Номер патента: 1433324
Опубликовано: 20.01.1995
Авторы: Билинец, Головач, Матвеев, Стусь, Талалакин
МПК: H01L 21/208
Метки: ingaas, p-n-переходом, системе, структур
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СТРУКТУР С p-n-ПЕРЕХОДОМ В СИСТЕМЕ InAs - InGaAs, включающий приготовление насыщенного раствора-расплава индий-галлий-мышьяк, приведение его в контакт с лицевой стороной подложки из арсенида индия, принудительное охлаждение системы, формирование p-n-перехода и сплошного индиевого омического контакта к тыльной стороне подложки, отличающийся тем, что, с целью упрощения технологии изготовления омического контакта и сокращения времени изготовления структур, предварительно тыльную сторону подложки толщиной 120 - 360 мкм приводят в контакт с пластиной сапфира, при температуре 970 - 1030 К лицевую поверхность подложки подвергают контактированию с раствором-расплавом, содержащим 0,01 - 0,06 ат. долей галлия, проводят...
Газоанализатор
Номер патента: 2001388
Опубликовано: 15.10.1993
Авторы: Борисов, Марков, Матвеев, Стусь, Талалакин, Тарасова
МПК: G01N 21/61
Метки: газоанализатор
...индикации тока 15, где с помощью вычислительного устройства и предварительно введенной в память устройства зависимости Х = 1( 2), осуществляХется вывод концентрации газа (х) на индикаторную панель.Гаэоанализатор был реализован в лабораторных электронных полупроводников ФТИ им, А.Ф.Иоффе АН СССР.На оптической плите на расстоянии 5 см друг от друга были смонтированы оптически сопряженные фотоприемник ФР, изготовленный объединением "Позитрон", и светодиоды, снабженные параболическими отражателями, излучающие нд длинах волн 3,32 мкм (измерительный канал) и 2,9 мкм (опорный канал). Излучающая поверхность светодиодов имела площадь 500 х 500 мкм. В схеме выделения полезного сигнала блоки накопления были изготовлены по известным схемам и...
Способ формирования протектора
Номер патента: 1657409
Опубликовано: 23.06.1991
Авторы: Балашов, Вещев, Городецкий, Калинин, Россин, Стусь
МПК: B29D 30/60
Метки: протектора, формирования
...лучшей адгезией заготовки(ввиду нагретой в процессе переработки резиновой смеси) к последующим навиваемымслоям.Возможны другие исполнения прозаготовки 2, благоприятные для ориции навиваемых слоев протектора, например трапецеидальный профиль,Далее с помощью узла формования резиновой смеси, например, червячной машины с валковой головкой 5 (фиг.1), припостоянной скорости шприцевания выпускают эластичную полосу 6 с поперечным657404 12 Фиг.2 сечением, образованным из двуходинаковых профилей, например,трапецеидальных (фиг.5). Полосу 6 перед вращающимся каркасом 4 покрышки разделяют режущим и разворачивающим устройством 7 вдоль оси 5 симметрии а-а на две ленточки 8 и 9, которые с помощью укладчиков 10 и 11 (на фиг.1 показаны условно)...
Устройство для отображения информации на экране телевизионного индикатора
Номер патента: 1469518
Опубликовано: 30.03.1989
Авторы: Ожередов, Стусь, Тульгук
МПК: G09G 1/16
Метки: индикатора, информации, отображения, телевизионного, экране
...ввидеокод, соответствующий изображению текущей строки символа,20С выхода знакогенератора 5 параллельный видеокод текущей строки символа поступает на вход регистра 6сдвига и загружается по разрешающемусигналу на входе 7, а последователь"ный видеокод извлекается из него счастотой импульсов, поступающих натактовый вход С.Последовательный видеокод с выхода регистра 6 сдвига через формирователь 7 видеосигнала поступает навидеовход ЭЛТ для модуляции луча пояркости с целью получения иэображения символа на экране.Так как длительность импульса ви деокода, определяющая размер элемента изображения символа н строке (по горизонтали), зависит от частоты на входе С регистра 6 сдвига, то, уменьшая н два раза частоту его загрузки 40 и сдвига, можно...
Штамм культивируемых клеток почки sаigататаriса, для вирусологических исследований
Номер патента: 1463756
Опубликовано: 07.03.1989
Авторы: Демченко, Кекух, Кирюхина, Стусь
МПК: C12N 5/00
Метки: sаigататаriса, вирусологических, исследований, клеток, культивируемых, почки, штамм
...активности приходится на 3-и сутки культивирования и составляет 40-457,.При посевной дозе клеток 10 /мл сплошной монослой Формируется в матрасах, флаконах и пробирках на 2- 3-и сутки культивирования.формирование клеточного монослоя возможно и при пересеве 1:6,1:8, при этом монослой образуется на 5-7-е сутки культивирования.Клетки снимают со стекла 0,02 Е- ным раствором версена, подогретого до 37 (25 ч.), с добавлением 0,257 трипсина (1 ч,). При этом предварительно старую питательную среду удаляют, клеточный монослой промывают раствором Хенкса и в сосуд добавляют версен с трипсином в укаэанномсоотношении, Сосуды оставляют в тер-; мостате при 37 С на 5-10 мин, После разобщения клеток монослоя (наблюдение ведут визуально или с помощью...
Способ определения устойчивости эритроцитов к гемолизу
Номер патента: 1426522
Опубликовано: 30.09.1988
Авторы: Куракса, Стусь
МПК: A01N 1/02
Метки: гемолизу, устойчивости, эритроцитов
...определяз и по формуле+ 0%2 мин + 2,95 х 2,5 мнп + 13,85%к х 3,0 + 19.55% 3,5 мин + 16,85%4 мин+ .ф 13.9%ф 4,5 мип + 11,65%ф 5,0 + + 9,75%ф 5,5 мин +7,15%М 60 мин + + 3,0%ф 6,5 мнн + 1,1%,ф 7,0 мип + + 07.7,5 мин) = 4,29 мин.Такйм образом, среднее время гемолиза эритроцитов крови в кислотном гемолитике равно 4,29 мин Следовательно, кровь донора У 1 можно ис" пользовать дпя трансфузий в течение двух недель.Сделанный вывод подтвержден данными анализа состояния эритроцитов в процессе хранения, которое оценивали по коли" еству свободного гемоглобина в надосадке консервированнойкрови.Определили содержание свободного гемоглобина в кон"ервированной крови донора1, в зависимости от сроков хранения Срок хранения, Количество свободного сутки...
Способ определения криорезистентности эритроцитов
Номер патента: 1394129
Опубликовано: 07.05.1988
Авторы: Гордиенко, Куракса, Стусь
МПК: G01N 33/48
Метки: криорезистентности, эритроцитов
...мин; 40 Б , - исходное количество эритроцитов в единице объема пробы(принимается за 1007.);ЙБ - количество эритроцитов, гемолизированных за время Йг. (7.), 5П р и м е р 1. Из флакона с кровью, взятой на "глюгицире", отбирают эритроциты, разводят их в соотношении 1:1000 физиологическим раствором. Затем в кювете фотоэлектроколориметра ФЭКМ смешивают 2 мл суспензии эритроцитов с 2 мл 0,004 н, НС 1. Каждые 30 с производят отсчет показаний при" бора по шкале экстинкции. Затем вычисляют среднее время гемолиза в растворе соляной кислоты11 мин (-1,57.)+1,5 мин100%+ 3, О мин 1, 57+3, 5 мин 1 д, 3% + . +4 мин 17,6%+4,5 мин 16,97+5,0 мин 15,47+5,5 мин, 2 КЬ,О мин 10,37+ +6,5 мин 8,8 +7,0 минф 5,1%+7,5 мин2,2%+8 мин 071 = 5,07 мин.Ошибка...
Устройство для извлечения секторного дорна из литой покрышки
Номер патента: 1390043
Опубликовано: 23.04.1988
Авторы: Вещев, Любартович, Оборин, Сидоров, Стусь, Шуникова
МПК: B29C 33/48, B29C 35/02
Метки: дорна, извлечения, литой, покрышки, секторного
...вертикальные стержни 11 смонтированы с возможностью радиального перемещения. Для 5этого захваты 8 с шестернями 9 и зубчатые передачи 14 смонтированы наплите 7 с помощью пластин 15, перемещаемых в пазах 16 плиты 7.Для радиального перемещения стерж ней 11 в плите 7 имеются пазы 17.Жесткая Фиксация стержней 11 осуществляется с помощью крепежных деталей 18,Устройство работает следующим образом.На стол 1 помещается литая покрышка 19 с секторным дорном 20 так,что посадочные гнезда секторного дорна находятся под концами захватов 8. Покрышка 19 Фиксируется средством 2, Гидроподъемником 6 опускается платформа 3 с приспособлением 4 до жесткого сцепления захватов 8 с секторами дорна 20.С помощью силового цилиндра 5 поднимается основание 10 со...
Способ борьбы с листогрызущими чешуекрылыми насекомыми, преимущественно с американской белой бабочкой нyрнаnтriа cunea drury
Номер патента: 1288954
Опубликовано: 15.10.1987
Авторы: Гавриленко, Гольдин, Гольдина, Кандыбин, Сиренко, Стусь
МПК: A01N 63/00
Метки: cunea, drury, американской, бабочкой, белой, борьбы, листогрызущими, нyрнаnтriа, насекомыми, преимущественно, чешуекрылыми
...эфирных масел вызывает гибель более 50% гусениц на 1 О-е сутки. На 15-е .сутки гибнет 70-100% гусениц (н контроле - без обработки - нсе гусеницы живы), Лучшие результаты получены при использовании фракций, выделенных иэ сестона тепловой сушки.Было установлено, что по энтомоцидной активности фракции эфирных масел, содержащаяся в дистилляте после отгонки, приблизительно н 100 раз превышает исходный материал - высушенный сестон водорослей, Так, сестон тепловой сушки в количестве 100 мг на пятые сутки вызывает гибель 43% гусениц американской белой бабочки, а 1 мг эфирных масел, извлеченных из сестона, в течение такого же промежутка времени, убивает 50-56,7% насекомых. Доза, равная 1 мг сестона 542тепловой сушки, вообще...
Устройство для отображения информации на экране телевизионного индикатора
Номер патента: 1339627
Опубликовано: 23.09.1987
Авторы: Ожередов, Стусь
МПК: G09G 1/16
Метки: индикатора, информации, отображения, телевизионного, экране
...отображению, преобразуется знакогенератором 12 в видеокод, который записывается в регистр 25 сдвига, а признаки символа записываются в регистр 4 признаков, и формирование изображения символа на экране индика.тора осуществляется аналогично описанному.Одновременно код текущего адреса с выхода счетчика 4 адреса поступает на первый вход блока 11 сравнения, на второй вход которого с выхода первого коммутатора 9 поступает код позиций маркера. В момент совпадения этих кодов на выходе блока 11 сравнения появляется сигнал, поступающий на вход узла 19 синхронизации блока 8 управления и на первый вход нервого элемента И 26, По этому сигналу блок 8 управления формирует сигналы редактирования изменение символа в энакоместе, обозначенном...
Вулканизационный дорн
Номер патента: 1337272
Опубликовано: 15.09.1987
Авторы: Бекин, Веткин, Оборин, Стусь, Хабаров
МПК: B29C 33/50, B29C 35/04
Метки: вулканизационный, дорн
...5. К сильфону 5 крепится фла- Зо нец 6, В складках сильфона 5 установ" лена арматура в виде металлических колец 7. Полость сильфона 5 через отверстие а в нижнем диске 1 сообщена с полостью диафрагмы 3. Сильфон 5 и диафрагма 3 заполнены заполнителем, который состоит из металлического расплава 8 и шариков 9, изготовленных из химически инертного к металлическому расплаву материала, удельный 4 О вес которого меньше удельного веса металлического расплава. Причем ме" таллический расплав 8 имеет температуру затвердевания в соответствии с технологическими параметрами литья 4 б большую или равную температуре вулка" низации покрышки Диафрагма 3 и силь" фон 5 выполнены иэ теплостойкой резины, например, на основе бутилкаучука или другого...
Способ получения структур с -переходом на основе полупроводников типа
Номер патента: 928942
Опубликовано: 07.02.1987
Авторы: Есина, Зотова, Матвеев, Рогачев, Стусь, Талалакин
МПК: H01L 21/208
Метки: основе, переходом, полупроводников, структур, типа
...кон 6 - 3 центрации дырок не менее 5 10 см / /мкм).В соединениях А В подвижностьш чэлектронов значительно больше подвижности дырок, например для 1 пАз их отношение составляет 50 при 300 К. Это обуславливает преимущественную инжекцию электронов в р-область.Поскольку вероятность излучательной рекомбинации можно считать пропорциональной концентрации дырок на диффузионной длине от р-п в перехо, то эффективность излучения р-п-перехода с резким профилем распределения дырок вблизи р-п-перехода значительно (по крайней мере, на порядок) выше, чем в р-п-переходах, полученных известным способом, а наиболее оптимальный интервал легирования, как показывает опыт, находится в пределах 510 - 110 смй . в -3 Указанный состав жидкой фазы определяют на...
Устройство для изготовления покрышек пневматических шин
Номер патента: 1260242
Опубликовано: 30.09.1986
Авторы: Бекин, Веткин, Оборин, Стусь, Хабаров
МПК: B29C 35/02, B29C 45/02, B29D 30/06 ...
Метки: пневматических, покрышек, шин
...5 - кольцевой выступ Р для взаимодействия с пазом Й,Так как кольцевой вкладыш 5 имеет возможность относительного перемещения по запорной гильзе 4, то обеспечивается надежное центрирование и 10 герметичное соединение переходного узла с пресс-формой. При этом, если во время работы устройства резиновая смесь попадает в систему: выступ е - паз А, все равно обеспечивается на дежная стыковка и герметизация переходного узла и пресс-Формы за счет самоустановки вкладыша 3. Для нагрева пресс-формы в верхней 1 и нижней 2 полуформах, элементах 11 и 12, нижних обоймах 24 переходного узла выполнены гнезда 1 для установки электронагревателей. Снаружи литьевой и переходной узлы и пресс в фор запираются охватывающим кольцом 29 с 25 приводом (не...
Устройство для отображения информации
Номер патента: 1239746
Опубликовано: 23.06.1986
Авторы: Ожередов, Стусь, Чмутов
МПК: G09G 1/16
Метки: информации, отображения
...11,Генератор 9 знаков представляетсобой специализированное запоминающее устройство, осуществляющее преобразование кода символа в видеосигнал, обеспечивающий формированиеизображения символа блоком 2 отображения. Видеосигнал с выхода генератора знаков поступает на первый входкоммутатора 11.Регистр 7 признаков служит дляхранения признаков цвета символов,признака мерцания, признака инверсии, а также признака режима отображения информации, Признак режимаотображения информации поступает науправляющие входы коммутатора 11 иобеспечивает передачу на выход коммутатора сигналов, поступающих с выхода блока 10 или с вьхода генератора9 знаков,Признаки цвета, инверсии, мерцания поступают с выхода регистра 7 признаков на вход формирователя 12...
Энтомоцидное средство
Номер патента: 1166772
Опубликовано: 15.07.1985
Авторы: Гольдин, Кандыбин, Стусь
МПК: A01N 63/00
Метки: средство, энтомоцидное
...года).Данный вид оказал сильное энтомоцидное действие на личинки .и гусе 35ницы листогрыэущих насекомых,2Работа проводилась лабораторией микробиологии и патологии грызунов и насекомых ВНИИ сельскохозяйственной микробиологии при участии отдела почвенной микробиологии Южной зоны СССР.П р и м е р 1. В лабораторных опытах, яйцеклетки колорадского жука и корм, которым питались отродившиеся личинки, опрыскивались автолизатом МерЬгосЬХогдз задрепа Саггег,При обработке яйцеклеток 8,27. яиц погибали.Из выпупившихся личинок, питающихся обработанным кормом, к 10 дню отмирало 91,9 Х. Энтомоцидное действие автолизата на личинки колорадского жука 11 возраста, питающиеся обработанным кормом, проявлялось несколько слабее (см. табл. 1).При этом питание...
Ингибитор питания чешуекрылых насекомых
Номер патента: 1095483
Опубликовано: 23.04.1985
Авторы: Гольдин, Кандыбин, Семаков, Стусь
МПК: A01N 63/00
Метки: ингибитор, насекомых, питания, чешуекрылых
.... Листья платанаопрыскивают автолизатом двухмясячнойкультуры Р 1 агчпюпав чгИ 1 в, выделен ной иэ проб морской воды и выращенной на среде Гольдберга. На обработанные листья помещают гусениц 11 и111 возраста американской белой бабочки (НурЬапйгда сцнеа Пгигу) природной популяции. В качестве контроля используют листья, обработанныечистой средой Гольдберга,После 3-х дней питания обработанным кормом гусениц пересаживают в новые садки, где они продолжают питаться листьями платана, не подвергшими ся обработке.Опыт ставят в 4-кратной повторности в течение 10 сут. о истеченииукаэанного срока проводят взвешиваниеопытных и контрольных гусениц с цельюопределения замедления роста благодаря антифидантному действию автолизатов. Под влиянием...
Средство защиты растений от насекомых-фитофагов
Номер патента: 951776
Опубликовано: 15.03.1984
Авторы: Гольдин, Кандыбин, Стусь
МПК: A01N 63/00
Метки: защиты, насекомых-фитофагов, растений, средство
...257 хранится под регистрационным номером 257 в коллекции культур микроскопических. водорослей лаборатории микробиологии и патологии грызунов и насекомых Всесоюзного научно-исследовательского института сельскохоэяйСтвенной микробиологии. Хорошо культивируется на ряде известных питательных сред: эльмана, Ариона, Томаса, Фитцджеральда в модификации Цендера, и Горема. Такое разнообразие сред способствует промышленному культивированию укаэаъной водоросли в больших масштабах.П р и м е р. Листья платана опрыскивают культуральной жидкостью А,пЫцапв шт. 257. На обработанные листья помещают гусениц американской белой бабочки, которые в течение трех суток питаются этими листьями. Затем листья заменяют свежими необработанными листьями.Е качестве...
Способ определения параметров варизонного полупроводника
Номер патента: 1056315
Опубликовано: 23.11.1983
Авторы: Есина, Зотова, Матвеев, Неуймина, Стусь, Талалакин
МПК: H01L 21/66
Метки: варизонного, параметров, полупроводника
...при указанном способе возбуждения направлено навстречу неосновным носителям, образующимся 10 при возбуждении кристалла. В результате основные носители скапливаются в небольшой области вблизи поверхности полупроводника, где Е равно Е,к ,. Поскольку спектр излучения (пик люминесценции) Формируют неосновные носители, то Е мюк "макс+ +АМ, гДе Ем- шиРина запРещенйой эоны на узкозонной поверхности полупроводника Ьмакс - энергия пика краевой люминесценции, т,е. энергия излученного кванта, при кото-ром интенсивность люминесценции имеет максимальное значение, а АЯ некоторая поправка, учитывающая положение уровня Ферми, глубину залегания примеси, через которую идет рекомбинация, а также особенности формирования пика люминесценции...
Способ изготовления покрышек пневматических шин
Номер патента: 1030198
Опубликовано: 23.07.1983
Авторы: Бекин, Веткин, Наумов, Оборин, Стусь
МПК: B29H 17/00
Метки: пневматических, покрышек, шин
...покрышки, кроме того, нарушается равномерное распределение нитей корда каркаса, что создает неблагоприятные условия работы каркаса в процессе эксплуатации. Таким образом, при изготовлении покрышек известным способом не обеспечивается их надлежащее качество. Целью изобретения является повышение качества покрышек за счет обеспечения постоянного натяжения нитей каркаса в процессе образования протектора и боковин.Поставленная цель достигается тем, что согласно способу изготовления покрышек пневматических шин, при котором предварительно собранный каркас покрышки устанавливают на жестком сердечнике концентрмчно относительно узла подачи эластомерной смеси и формуют протектор и боковины при наложении эластомерной смеси вдоль образующей...
Способ изготовления покрышек пневматических шин
Номер патента: 1009800
Опубликовано: 07.04.1983
Авторы: Бекин, Веткин, Наумов, Оборин, Стусь
МПК: B29H 17/00
Метки: пневматических, покрышек, шин
...смещаются при литье, а сила сцейления резиновой смеси с обрезиненным кордом каркаса больше, чем сила сцепления обрезиненного корда с жестким сердечником, то осуществляется вытяжка корда, Причем в месте жесткой фиксации бортов каркаса вытяжки корда не происходит, а по мере перемещения потока резиновой смеси вдоль каркаса от эафиксированного борта перед фронтом потока происходят ослабление натяжения нитей каркаса и вытяжка корда, которая при значительном удалении Фронта потока от места Фиксации бор та достигает значительных величин.В результате перед потоком резийовой смеси образуются складки на каркасе покрышки, что может привести к частичному или полному перекрытию формующей полости между каркасом и формой и разнотолщинности покрышки,...
Установка для изготовления строительных изделий
Номер патента: 992192
Опубликовано: 30.01.1983
Авторы: Дубовик, Кремлин, Стусь, Ходосевич
МПК: B28B 7/22
Метки: строительных
...штанге 13 жестко укреплены упоры 14 рычагов 12. В нижней части штанги 13 жестко укреплен груз 15, в котором выполнены направляющие отверстия для штырей 16. Одними торцами щиты 10 и 11 соединены друг с другом непосредственно, а противоположными - через дугообразные рычаги 17. В верхней части вибросердечника 35 на рычагах 17 смонтированы фиксаторы 18 раздвинутого положения вибросердечника. На внутренней поверхности щитов 10 и 11 укреплены вибраторы 19. Для операций подъема, перемещения или опускания основные узлы установки снабжены петлями для крюков грузоподъемных средств. Так, наружные стенки снабжены петлями 20, вибросердечник - петлей 21, крышка - петлей 22. К щитам 1 и 2 наружной формы могут быть прикреплены щиты рельефной оснаст ки...
Вулканизационный дорн
Номер патента: 981008
Опубликовано: 15.12.1982
Авторы: Бекин, Веткин, Оборин, Стусь
МПК: B29H 5/18
Метки: вулканизационный, дорн
...или под углом до 450 к последней,Сплав 5 имеет температуру расплавления в соответствии с технологическими параметрами литья - большую или равную температуре вулканизации, Злеменгы 7 для увеличения аагезиы к сплаву 6 могут быть, например, латунированы.Дорн размещается в лигьевой пресс форме (фиг. 5), сотояшей из двух полу- форм 8 и 9 и установленной между плидми 10 и 11 пресса. Подготовка сердечника к работе осуществляется следующим образом.Через отверстия а и в в полости би г подается геплоносигель (пар иливоздух), температура которого равнаили больше температуры плавления спла -ва 6, после расплавления которого производится продольное перемещение дисков 1 и 2 с одновременной подачей давления формирования в полость б, Приэтом профиль...