Теруков — Автор (original) (raw)

Теруков

Полупроводниковый фотоприемник

Номер патента: 1806425

Опубликовано: 30.03.1993

...Это приводит к.тому, что при прочих равных условиях фотоносители в аморфном полупроводнике рождаются значительно ближе к поверхности раздела металл-полупроводник и долкны уходить в металл, Это обстоятельство и является прйчиной падения квантовой эффективности в фотоприемниках из кристаллических полупроводников и а - 5:Н в Уф-области,Благодаря предложенной совокупности признаков мы впервые выявили свойство, состоящее в том, что этот неблагоприятный фактор полностью и с избытком компенсируется крайне малыми длинами свободного пробега фотоносителей в сплавах а - %1-хСх.Н из-за чего, рождаясь даже очень близко к поверхности раздела, они не могут ее достичь и выйти в металл, а также рекомбинировать на поверхности, Для...

Элемент управления матричной жидкокристаллической панели

Номер патента: 1772821

Опубликовано: 30.10.1992

Авторы: Абаньшин, Коньков, Митрохин, Найдис, Николаев, Теруков, Харина

МПК: G09F 9/35

Метки: жидкокристаллической, матричной, панели, элемент

...контакты Шоттки 4 и слой прозрачного материала 5 для формирования индикаторного электрода.Устройство работает следующим образом,На рис. 3 01 и 02 - диоды Шоттки, В - сопротивление, создаваемое слоем аморфнога кремния и его квазиомическим контактом со слоем титана. Система двух встречно включенных диодов работает на обратных ветвях ВАХ диодов, т, е, в режиме пробоя. Когда на диод 01 подано напряжение Ч 1, в соответствии с ВАХ (рис. 4) уровень тока в нем будет. Диод 02, включенный в прямом направлении, пропустит ток 1, и емкость Сжк накопит заряд на своих обкладках - информация записана. Смена полярности напряжения (условие работы ЖК - индикатора) приведет к прохождению другой ветви ВАХ и аналогичному результату, обкладки ЖК -...

Фотопроводящий материал

Номер патента: 1700046

Опубликовано: 23.12.1991

Авторы: Атаев, Васильев, Мездрогина, Теруков

МПК: C09K 9/00, H01L 31/0264

Метки: материал, фотопроводящий

...-ности н У(1 в области спектра,До настоящего времени це было известно о влиянии П) ца повьппение фоточувстнительности в У в облас сцектРЯБЬ 3 О 31 Рппт, известно О Влияниина изменение фоточунстнительцости вдлинцоволноной Облясттт спектра 0,59 О,б 5 мкм, что объяснялось общим уве -личсИием Фоточунстнительцости пленокЯ-Б).:Н с Гу.Известно также, что ВнеДЕЦИЕ Н НЕупорядоченнуто структурную сетку я-Б 1Нможет приводить к умРны 1.цию плотнос -Ги локллизонацшх состояцРп, а следовательно, тс увеличенито фоточунстнительности, Однако в данной работе использовалась концентрация 0,1 мас.%.11 ожцо лтппь предположить, что увеличение концентрации 37 У более 0,1% приведет к уменьшению фоточувствительностиза счет увеличения концентрации...

Способ определения распределения плотности состояний в запрещенной зоне аморфных полупроводников

Номер патента: 1127488

Опубликовано: 30.03.1991

Авторы: Андреев, Коньков, Теруков

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: аморфных, запрещенной, зоне, плотности, полупроводников, распределения, состояний

...К Егде е - заряд электрона,Ч 1 - функция распределения плотности состояний в запрещенной зоне полупроводника,смэВэнергия, эВ;Ц(х) - профиль потенциала в ОПЗ,В.При приложении к структуре внешнего напряжения "-" на электроде 1,"+" на электроде 4 (см.фиг.1), происходит изменение профиля потенциала в полупроводнике, что иллюстрируется Фиг.З.При таком профиле потенциала плотность заряда в ОПЗ определяется выражением 25 Г.щ(х)На фиг. представлена исследуемая структура; на фиг.2 - профиль распределения потенциала в структуре с барьером Шоттки в отсутствии внешнего напряжения; на Фиг.З - профиль распределения потенциала при приложении к структуре внешнего напряжения; на Фиг. 4,5,6 - представлена временная диаграмма, разъясняющая порядок...

Фотометрическое устройство

Номер патента: 1467404

Опубликовано: 23.03.1989

Авторы: Андреев, Коньков, Косарев, Коугия, Теруков, Шувалов

МПК: G01J 1/04

Метки: фотометрическое

...пропускация измеряемого света в фото 1 чувствительный слой 4. Назначение прозрачного проводящего электрода 2 состоит в прапускации света к фоточувствительному слою 4, сборе фото- носителей и обеспечении контакта с узлом 7 регистрации, и в сл 3 необходим для формирования омического контакта Р В фоточувствительном слое 4 происходят генерация и разделение фотоносителей. Слой 5 металла с высокой работой выхода обеспечивает формирование электрического поля в фоточувствительном слое 4. Герметикобеспечивает защиту ФУ от влияния внешней среды со стороны противоположной освещаемой, а узел 7 регистрации регистрирует фототок.ФУ работает следующим образом.Измеряемый свет, пройдя подложку 11, прозрачный проводящий электрод 2, 1467404и+-слой 3,...

Управляющее устройство

Номер патента: 1241315

Опубликовано: 30.06.1986

Авторы: Калиновский, Теруков

МПК: H01P 1/22

Метки: управляющее

...мощности,На фиг. 1 представлено управляющее устройство, на фиг. 2 - амплитудно-частотная характеристика управля-, Оющего устройства; на фиг. 3 - зависимость модуля коэффициента отражения управляемого элемента от длительности световых импульсов (видзависимости однозначно определяется 15составом пленки управляемого элемента и может быть изменен с помощьюлегирования или изменения стехиометрического состава),Управляющее устройство содержит 20волноводный тройник 1 с несимметричным закороченным плечом 2, в котором установлен управляемый элемент 3,выполненный в виде пленки из окиславанадия вида Ч О . Управляемый эле 2мент 3 расположен на расстоянии(2 п)ъ 8 /4 от места 4 разветвленияволноводного тройника 1 и на расстояниии/2 от...