Etude de l'effet de la temp�rature de d�p�t ou de recuit sur la formation de l'interface Au/GaSb(100) par diffraction d'�lectrons lents et spectroscopies d'�lectrons Auger ou de pertes d'�nergies (original) (raw)

Caractérisation des interfaces CIGS / CdS : Effet de l’Ammoniaque

Anne Migan

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Observation des effets de diffraction électronique dus aux zones de Guinier-Preston de l'aluminium–agent, l'aluminium-zinc et l'aluminium–magnésium

A. Dauger

Physica Status Solidi (a), 1973

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Etude des effets d'interface sur les propriétés en basse fréquence des couches minces ferroélectriques de Pb(Zr,Ti)O3

Yves Sama

Http Www Theses Fr, 2010

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Caract�risation au-dessous du seuil de doubles h�t�rostructures lasers GaInAsSb/GaAlAsSb �mettant vers 2,37�?m

J. Lazzari

Journal de Physique III, 1993

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Dislocations d'interface et défauts de volume dans l'hétérostructure GaSb/GaAs

Fabio Ferreira da Silva

Revue de Physique Appliquée, 1990

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Optimisation des contacts Métal/Semi-conducteur et caractérisation électrique de matériaux grand gap à base de nitrure de gallium

Sidi Ould Saad Hamady

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Caractérisation Raman des contraintes et des défauts d'interface dans GaAs/Si

Robert Carles

Revue de Physique Appliquée, 1990

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Influence des param�tres de d�p�t sur la morphologie de films minces de t�traborate de lithium obtenus par le proc�d� ?PYROSOL

Veronique Bornand

Journal de Physique III, 1997

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Étude de l’interaction de l’oxygène avec des surfaces monocristallines de platine par diffraction des électrons lents et spectroscopie Auger

Bernard CARRIERE

Journal de Chimie Physique, 1974

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Croissance et caractérisation d'interfaces de fullerènes sur substrats métalliques et semiconducteurs

Petra Rudolf

1998

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Propriétés des défauts de surface produits par recuit laser continu sur GaAs

ghanem MARRAKCHI

Revue de Physique Appliquée, 1987

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La spectroscopie des lectrons Auger

Jean-Paul DEVILLE

1968

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Preparation et �tude de diodes laser a GaInAsSb-GaAlAsSb fonctionnant en continu � 80K

Claude Alibert

Journal de Physique III, 1991

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Etude du champ lointain de la double hétérostructure laser GaInAsSb/GaAlAsSb

Milohum Mikesokpo DZAGLI

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Étude Des Perturbations Thermiques Induites Par Des Hétérogénéités De Contact À L'Interface Outil-Copeau en Usinage

Denis Mazuyer

2013

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Mesure par thermographie infra-rouge du taux de restitution d'énergie critique d'interfaces de composites stratifiés UD et tissés

Stephanie P Jaminion

2017

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Effet de l'environnement sur le processus d'hadérence des particules d'usure sur les surfaces du contact du couple magnétisé Laiton/acier XC48

mohamed amirat

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Étude de la variation du paramètre de réseau de solutions solides Cu-Ni par diffraction des rayons X

Baya alili

Journal de Physique IV (Proceedings), 2004

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R�le de la zone interfaciale dans la qualit� des propriet�s �lectriques du syst�me Al 2 O 3 /As//InP

M. Gendry

Journal de Physique III, 1991

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ÉTUDES DES PARAMETRES DES LASERS A DOUBLE HETEROSTRUCTURE Ga1-xAlxAsySb1-y/Ga1-x’Inx’Asy’Sb1-y’/Ga1-xAlxAsySb1-y A. Messanh MOHOU *, Milohum M. DZAGLI et

Milohum Mikesokpo DZAGLI

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Caractérisation thermique d’une couche mince de Ge2Sb2Te5 en fonction de la température dans une expérience pompe-sonde résolue en temps

Andrzej Kusiak

2010

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Spectroscopie d'impédance electrochimique locale : caracterisation de la de lamination des peintures et de la corrosion des alliages Al-Cu

Jean-baptiste Jorcin

2007

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Conception de Processus Fabrication basée sur le Nano Matériaux Th (3,81 UO + 2,88 SrDU) sur un Cyclotron à Angle étroit à Alimentation Quantique avec une Plage de 617,44 tesla par 290,12 Mhz au Groupe Betha de CERN

Dr Mohamad Hardiyanto

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Effet des neutrons rapides sur la conductivité thermique et le pouvoir thermoélectrique du germanium. mesures aux basses températures

nguyen van dong

Journal de Physique, 1966

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Perturbation de l'echange electronique rapide par les lacunes cationiques dans Fe 3− x O 4 (x⩽ 0, 09)

Jmd Coey

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EFFET DES DISLOCATIONS SUR LES PROPRIETES ELECTRIQUES ET OPTIQUES DE CdTe

kamel guergouri

Sciences & Technologie, 2000

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Elaboration et caractérisation de couches minces de cuivre, indium, gallium et sélénium (CIGS) pour cellules solaires

Armel Ignace

2024

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Mise en évidence de l'anisotropie d'un substrat par l'analyse des fonctions de distribution radiales (Cas de l'Au sur (100)BrCs)

Valéry Psyché

1998

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Propri�t�s �lectriques d'h�t�rostructures a-GaAs/c-GaAs(n) et de structures de type MIS a-GaAsN/c-GaAs(n)

Khalifa AGUIR

Journal de Physique III, 1995

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Cellules solaires au GaAlAs/GaAs à faible et fort niveaux de courant. Optimisation détaillée du rendement de conversion

Jean-eric Bourée

Revue de Physique Appliquée, 1980

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Influence de la saturation des niveaux d’impuretés sur la dynamique de la luminescence de couches épitaxiées de nitrure de gallium

P. Gilliot

L'optique non linéaire et ses matériaux

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Préparation de lames minces par FIB et étude MET de la patine de bronze noir

Marc Aucouturier

2006

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Influence du deutérium sur le gap optique de films de carbone (Diamond-Like-Carbon DLC)

Cathy Meunier

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L'étude des pertes de tensions à l'interface des électrodes d'une Cellule Solaire Sensibilisée à Colorant (CSSC)

IPCO Academy, dennai benmoussa

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Couches minces supraconductrices � haute temp�rature critique : corr�lation entre conditions de d�p�t et propri�t�s

M. Guilloux-viry

Journal de Physique III, 1993

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