Троичная ячейка памяти | это... Что такое Троичная ячейка памяти? (original) (raw)
 |
Возможно, эта статья содержит оригинальное исследование. Добавьте ссылки на источники, в противном случае она может быть выставлена на удаление.Дополнительные сведения могут быть на странице обсуждения. (11 мая 2011) |
|---|
Троичная ячейка памяти используется [источник не указан 827 дней]в электронике, в пневмонике и в других областях.
Традиционно ячейка памяти определяется, как наименьшая часть памяти имеющая свой адрес. При таком определении троичная ячейка памяти может иметь несколько троичных разрядов в зависимости от системы адресации памяти троичной ЭВМ (компьютера).
По элементной основе троичные ячейки памяти могут быть построены
- на триггерах, подобно двоичной SRAM, высокое быстродействие, но дорого из-за большего числа транзисторов на ячейку;
- на конденсаторе с транзистором, подобно двоичной DRAM. Ёмкость в 1,5 раза больше, но в 1,5 раза ниже быстродействие и в 1,5 раза ниже помехоустойчивость.
Содержание
Классификация
Трёхуровневые
В них три потенциала разных уровней (положительный, нулевой, отрицательный) соответствуют трём устойчивым состояниям ячейки
Двухуровневые
В них элементарным устройством является двухуровневый инвертор с двумя потенциалами (высокий, низкий), а троичность работы достигается цепями обратных связей между тремя двухуровневыми инверторами. Такая ячейка памяти называется троичный двухуровневый триггер.
Двухразрядные
Трёхразрядные
Троичная SRAM
Проект троичной SRAM приведён в [1]
Троичная DRAM
Троичная DRAM построена, подобно двоичной DRAM, на элементе с одним конденсатором и одним аналоговым ключом, работающим и с положительными и с отрицательными сигналами, но с биполярным зарядом конденсатора. Положительный заряд соответствует одному из трёх состояний, отрицательный второму, а «0» — третьему состоянию. В схемах считывания-регенерации вместо одного компаратора, который делит весь диапазон амплитуд на две части, два компаратора, которые делят весь диапазон амплитуд на три части. Схемы записи при этом подают на ячейки и положительное и отрицательное напряжение.
Элемент такой троичной ячейки DRAM показан на рисунке справа.
При одинаковом числе конденсаторов ёмкость троичной трёхуровневой DRAM увеличивается в 1,5 раза.
При этом трёхуровневая DRAM, по сравнению с двухуровневой DRAM имеет в 1,5 раза меньшее быстродействие.
При одинаковом размахе напряжений трёхуровневая DRAM имеет меньшую помехоустойчивость.
Для достижения одинаковой с двухуровневой DRAM помехоустойчивости нужно увеличить размах напряжений, что потребует увеличение максимального допустимого напряжения почти всех элементов микросхемы DRAM.
Все эти свойства определяют область её применения: в 1,5 раза более медленные, с в 1,5 раза меньшей помехоустойчивостью, DRAM с в 1,5 раза большей ёмкостью.[2]