5 nm process (original) (raw)
5 nanòmetres (5 nm) és una tecnologia de fabricació de semiconductors en què els components tenen una dimensió de 5 nm. És una millora de la tecnologia de 7 nm. La llei de Moore diu que la superfície és redueix a la meitat cada 2 anys, per tant el costat del quadrat de la nova tecnologia serà de . Sabent que els àtoms de silici tenen una distància entre ells de 0,543 nm, llavors el transistor té de l'ordre de 8 àtoms de llargada.
| Property | Value |
|---|---|
| dbo:abstract | 5 nanòmetres (5 nm) és una tecnologia de fabricació de semiconductors en què els components tenen una dimensió de 5 nm. És una millora de la tecnologia de 7 nm. La llei de Moore diu que la superfície és redueix a la meitat cada 2 anys, per tant el costat del quadrat de la nova tecnologia serà de . Sabent que els àtoms de silici tenen una distància entre ells de 0,543 nm, llavors el transistor té de l'ordre de 8 àtoms de llargada. (ca) في تصنيع أشباه الموصلات، تحدد خارطة الطريق الدولية للأجهزة والأنظمة الخمسة نانومتر كعقدة تقنية موسفت بعد 7 نانومتر. اعتبارًا من عام 2019، بدأت إلكترونيات سامسونج وشركة تايوان لصناعة أشباه الموصلات المحدودة في إنتاج 5 نانومتر، وتخطط لبدء الإنتاج الضخم في عام 2020. سوف يكون هناك توجه إلى هكذا دقة لما سوف تحمله من قدرة هائلة وكبيرة في استيعاب أحجام الترانزيستور ضخمة جدا. الفائدة من دقة التصنيع هو أنها كلما كانت بدقة أقل كلما كان ذلك يعني أن المساحة أصبحت متوفرة من أجل ضخ المزيد من الترانزيستور لزيادة الأداء وخفض استهلاك الطاقة وحرارتها. ويعود ذلك، لأنه كلما أصبح الترانزيستور أصغر ومكدس أكثر بداخل الرقاقة ذات دقة تصنيع أصغر، فإن ذلك لن يتطلب من الالكترونات أن تنتقل لمسافة أبعد أثناء الانتقال بين بعضها البعض, مما يوفر أداء أفضل وطاقة أقل. ستسمح 5 نانو بدمج عدد هائل من الترانزستورات،يصل عددها إلى 30 مليار ترازستور في مساحة دقيقة جدا لا تتعدى حجم ظفر الأصبع. تقدم المعالجات المصنعة بدقة 5 نانومتر قوة في الأداء بنسبة 40 في المئة مقارنة بشرائح 10 نانومتر ، كما أنها توفر الطاقة بنسبة 75 في المئة مع الحفاظ على نفس الأداء. (ar) In semiconductor manufacturing, the International Roadmap for Devices and Systems defines the 5 nm process as the MOSFET technology node following the 7 nm node. In 2020, Samsung and TSMC entered volume production of 5 nm chips, manufactured for companies including Apple, Marvell, Huawei and Qualcomm. The term "5 nanometer" has no relation to any actual physical feature (such as gate length, metal pitch or gate pitch) of the transistors. According to the projections contained in the 2021 update of the International Roadmap for Devices and Systems published by IEEE Standards Association Industry Connection, a 5 nm node is expected to have a contacted gate pitch of 51 nanometers and a tightest metal pitch of 30 nanometers. However, in real world commercial practice, "5 nm" is used primarily as a marketing term by individual microchip manufacturers to refer to a new, improved generation of silicon semiconductor chips in terms of increased transistor density (i.e. a higher degree of miniaturization), increased speed and reduced power consumption compared to the previous 7 nm process. (en) En la fabricación de semiconductores, la Hoja de ruta internacional para dispositivos y sistemas define el proceso de 5 nm como el nodo de tecnología MOSFET que sigue al nodo de 7 nm. En 2020, Samsung y TSMC iniciaron la producción en volumen de chips de 5 nm, fabricados para empresas como Apple, Marvell, Huawei y Qualcomm. [1] [2] El nodo comercial de 5 nm se basa en la tecnología MOSFET de múltiples puertas (MuGFET), con FinFETs (transistores de efecto de campo de aletas). También se habían demostrado, pero no comercializados, nodos GAAFET (transistor de efecto de campo de puerta-todo alrededor) de 5 nm. (es) 5 nm désigne le procédé de fabrication des semi-conducteurs qui succède au procédé 7 nm. En 2018, le fabricant TSMC annonce que le début de la production en volume de microprocesseurs utilisant cette technologie commencerait en 2020, basée sur la photolithographie EUV. Apple utilise cette technologie pour ses puces A14, A15 et M1. En novembre 2020, Samsung Electronics présente son premier processeur 5 nm, l'Exynos 1080. Il est suivi en janvier 2021 par l'Exynos 2100, également 5 nm, qui équipe notamment les Galaxy S21. (fr) Il 5 nm (5 nanometri), evoluzione del precedente processo a 7 nm, è un processo produttivo della tecnologia dei semiconduttori in corso di realizzazione, con cui verranno prodotti i circuiti integrati a larghissima scala di integrazione (VLSI). Questo processo è attualmente in fase di realizzazione da alcune aziende del settore. La fonderia TSMC prevede di immetterlo sul mercato nel 2020 mentre la casa produttrice Intel non ha ancora rilasciato una precisa data di commercializzazione. Gli ultimi studi identificano questo processo a 5 nm come uno degli ultimi ad essere realizzato con le tecniche e materiali tradizionali (primo fra tutti il silicio) in quanto, ad una tale miniaturizzazione si è sempre più vicini al "limite fisico" del materiale, cioè alla dimensione al di sotto della quale risulta molto difficile, se non impossibile, l'utilizzo di un determinato elemento. Risulta quindi sempre più necessaria la ricerca di alternative al silicio, la riprogettazione della geometria dei transistor e nuove tecniche litografiche. Recenti studi sui materiali e progetti quali il Cedric, hanno spinto il team del Lawrence Berkeley National Laboratory (Berkeley Lab) capitanato dal professor , a realizzare il primo transistor funzionante con un gate da 1 nanometro, realizzando il tutto con nanotubi di carbonio e disolfuro di molibdeno (MoS2). (it) 半導体製造において、国際半導体技術ロードマップは5ナノメートルノードをノードの後のテクノロジーノードとして定義している。 (ja) Na fabricação de semicondutores, o processo de 5 nm refere-se ao nível de tecnologia do processo de fabricação de semicondutores MOSFET. Em 2020, a Samsung e a TSMC iniciaram a produção em volume de chips de 5 nm, fabricados para empresas como Apple, Marvell, Huawei e Qualcomm. (pt) 5 nm (рус. 5 нм) — маркетинговое название технологии для производства микросхем. В Международном плане по развитию полупроводниковой технологии 5-нм-технологический процесс упомянут как технология MOSFET, следующая за 7-нанометровым процессом. В 2020 году Samsung и TSMC начали массовое производство 5-нм чипов, производимых для компаний Apple, Marvell, Huawei и Qualcomm. Термин «5 нанометров» не имеет никакого отношения к какой-либо фактической физической характеристике (такой как длина затвора, шаг проводников или шаг затвора) транзисторов. Согласно прогнозам, содержащимся в обновлении Международной дорожной карты для устройств и систем на 2021 год, опубликованном Ассоциацией стандартов IEEE Industry Connection, ожидается, что узел длиной 5 нм будет иметь шаг контактного затвора 51 нанометр и максимально плотный шаг металла 30 нанометров. В коммерческой практике «5 нм» используется в основном как маркетинговый термин отдельными производителями микросхем для обозначения нового, улучшенного поколения кремниевых полупроводниковых чипов с точки зрения увеличения плотности транзисторов (то есть более высокой степени миниатюризации), увеличения скорости и снижения энергопотребления по сравнению с предыдущим 7-нм процессом. (ru) 5纳米制程是半导体制造制程的一个水準。在半导体器件制造中，《國際器件和系統路線圖》將5納米工藝定義為繼7納米之後MOSFET的又一技術節點。商用5納米製程基於具有FinFET（鰭式場效應晶體管）的多閘極電晶體（MuGFET）技術，還有已得到證明的5納米GAAFET（環繞柵場效應晶體管）技術，但尚未商業化。2020年9月15日，由台積電製造的Apple A14 Bionic成為首個公開發表的5纳米制程晶片。 (zh) |
| dbo:wikiPageExternalLink | https://en.wikichip.org/wiki/5_nm_lithography_process |
| dbo:wikiPageID | 31882635 (xsd:integer) |
| dbo:wikiPageLength | 30144 (xsd:nonNegativeInteger) |
| dbo:wikiPageRevisionID | 1124644177 (xsd:integer) |
| dbo:wikiPageWikiLink | dbr:Cadence_Design_Systems dbr:Qualcomm dbr:Samsung dbr:Samsung_Electronics dbr:Apple_A14 dbr:Huawei dbr:Huawei_Mate_40 dbr:International_Roadmap_for_Devices_and_Systems dbr:GAAFET dbc:International_Technology_Roadmap_for_Semiconductors_lithography_nodes dbr:Quantum_tunnelling dbr:NEC dbr:Apple_Inc. dbr:Apple_M1 dbr:MOSFET dbr:Gate-all-around dbr:7_nm_process dbr:3_nm_process dbr:FinFET dbr:Wikipedia:Disruptive_editing dbr:Semiconductor_device_fabrication dbc:Japanese_inventions dbr:HiSilicon dbr:Technology_node dbr:TSMC dbr:Transistor dbr:Marvell_Technology_Group dbr:IBM dbr:IMEC dbr:IPhone_12 dbr:Intel dbr:Interconnects_(integrated_circuits) dbr:Nanometre dbr:Silicon dbr:Extreme_ultraviolet_lithography dbr:Silicon-on-insulator dbr:Semiconductor_manufacturing dbr:Wikipedia:RfPP |
| dbp:list | MOSFET semiconductor device fabrication process (en) |
| dbp:next | 3.0 |
| dbp:prev | 7.0 |
| dbp:reason | Persistent disruptive editing; requested at WP:RfPP (en) |
| dbp:small | yes (en) |
| dbp:wikiPageUsesTemplate | dbt:As_of dbt:Main dbt:No dbt:Partial dbt:Pp-protected dbt:Reflist dbt:Semiconductor_manufacturing_processes dbt:Sequence dbt:Short_description dbt:Unknown dbt:Use_dmy_dates dbt:Yes |
| dcterms:subject | dbc:International_Technology_Roadmap_for_Semiconductors_lithography_nodes dbc:Japanese_inventions |
| rdfs:comment | 5 nanòmetres (5 nm) és una tecnologia de fabricació de semiconductors en què els components tenen una dimensió de 5 nm. És una millora de la tecnologia de 7 nm. La llei de Moore diu que la superfície és redueix a la meitat cada 2 anys, per tant el costat del quadrat de la nova tecnologia serà de . Sabent que els àtoms de silici tenen una distància entre ells de 0,543 nm, llavors el transistor té de l'ordre de 8 àtoms de llargada. (ca) 5 nm désigne le procédé de fabrication des semi-conducteurs qui succède au procédé 7 nm. En 2018, le fabricant TSMC annonce que le début de la production en volume de microprocesseurs utilisant cette technologie commencerait en 2020, basée sur la photolithographie EUV. Apple utilise cette technologie pour ses puces A14, A15 et M1. En novembre 2020, Samsung Electronics présente son premier processeur 5 nm, l'Exynos 1080. Il est suivi en janvier 2021 par l'Exynos 2100, également 5 nm, qui équipe notamment les Galaxy S21. (fr) 半導体製造において、国際半導体技術ロードマップは5ナノメートルノードをノードの後のテクノロジーノードとして定義している。 (ja) Na fabricação de semicondutores, o processo de 5 nm refere-se ao nível de tecnologia do processo de fabricação de semicondutores MOSFET. Em 2020, a Samsung e a TSMC iniciaram a produção em volume de chips de 5 nm, fabricados para empresas como Apple, Marvell, Huawei e Qualcomm. (pt) 5纳米制程是半导体制造制程的一个水準。在半导体器件制造中，《國際器件和系統路線圖》將5納米工藝定義為繼7納米之後MOSFET的又一技術節點。商用5納米製程基於具有FinFET（鰭式場效應晶體管）的多閘極電晶體（MuGFET）技術，還有已得到證明的5納米GAAFET（環繞柵場效應晶體管）技術，但尚未商業化。2020年9月15日，由台積電製造的Apple A14 Bionic成為首個公開發表的5纳米制程晶片。 (zh) في تصنيع أشباه الموصلات، تحدد خارطة الطريق الدولية للأجهزة والأنظمة الخمسة نانومتر كعقدة تقنية موسفت بعد 7 نانومتر. اعتبارًا من عام 2019، بدأت إلكترونيات سامسونج وشركة تايوان لصناعة أشباه الموصلات المحدودة في إنتاج 5 نانومتر، وتخطط لبدء الإنتاج الضخم في عام 2020. سوف يكون هناك توجه إلى هكذا دقة لما سوف تحمله من قدرة هائلة وكبيرة في استيعاب أحجام الترانزيستور ضخمة جدا. (ar) In semiconductor manufacturing, the International Roadmap for Devices and Systems defines the 5 nm process as the MOSFET technology node following the 7 nm node. In 2020, Samsung and TSMC entered volume production of 5 nm chips, manufactured for companies including Apple, Marvell, Huawei and Qualcomm. (en) En la fabricación de semiconductores, la Hoja de ruta internacional para dispositivos y sistemas define el proceso de 5 nm como el nodo de tecnología MOSFET que sigue al nodo de 7 nm. En 2020, Samsung y TSMC iniciaron la producción en volumen de chips de 5 nm, fabricados para empresas como Apple, Marvell, Huawei y Qualcomm. [1] [2] (es) Il 5 nm (5 nanometri), evoluzione del precedente processo a 7 nm, è un processo produttivo della tecnologia dei semiconduttori in corso di realizzazione, con cui verranno prodotti i circuiti integrati a larghissima scala di integrazione (VLSI). Questo processo è attualmente in fase di realizzazione da alcune aziende del settore. La fonderia TSMC prevede di immetterlo sul mercato nel 2020 mentre la casa produttrice Intel non ha ancora rilasciato una precisa data di commercializzazione. (it) 5 nm (рус. 5 нм) — маркетинговое название технологии для производства микросхем. В Международном плане по развитию полупроводниковой технологии 5-нм-технологический процесс упомянут как технология MOSFET, следующая за 7-нанометровым процессом. В 2020 году Samsung и TSMC начали массовое производство 5-нм чипов, производимых для компаний Apple, Marvell, Huawei и Qualcomm. (ru) |
| rdfs:label | معالجات 5 نانو (ar) 5 nanòmetres (ca) 5 nm process (en) 5 nanómetros (es) 5 nm (fr) 5 nm (it) 5ナノメートル (ja) 5 nm (ru) 5 nanômetros (pt) 5纳米制程 (zh) |
| owl:sameAs | wikidata:5 nm process dbpedia-ar:5 nm process dbpedia-ca:5 nm process dbpedia-es:5 nm process dbpedia-fa:5 nm process dbpedia-fr:5 nm process dbpedia-it:5 nm process dbpedia-ja:5 nm process dbpedia-pt:5 nm process dbpedia-ru:5 nm process dbpedia-zh:5 nm process https://global.dbpedia.org/id/4JDsF |
| prov:wasDerivedFrom | wikipedia-en:5_nm_process?oldid=1124644177&ns=0 |
| foaf:isPrimaryTopicOf | wikipedia-en:5_nm_process |
| is dbo:wikiPageRedirects of | dbr:5_nanometer dbr:5_nm dbr:5nm |
| is dbo:wikiPageWikiLink of | dbr:4N dbr:Process–architecture–optimization_model dbr:Apple_A14 dbr:Apple_A15 dbr:Apple_A16 dbr:List_of_Mac_models_grouped_by_CPU_type dbr:List_of_Nvidia_graphics_processing_units dbr:List_of_semiconductor_scale_examples dbr:Ryzen dbr:Epyc dbr:Gallium_arsenide dbr:GeForce_40_series dbr:Apple_M1 dbr:Apple_M2 dbr:Apple_silicon dbr:Zen_4 dbr:Hopper_(microarchitecture) dbr:7_nm_process dbr:5_nanometer dbr:Ada_Lovelace_(microarchitecture) dbr:3_nm_process dbr:Google_Tensor dbr:List_of_Intel_CPU_microarchitectures dbr:ARM_Cortex-A78 dbr:TSMC dbr:Table_of_AMD_processors dbr:IPhone_12 dbr:IPhone_12_Pro dbr:IPhone_14_Pro dbr:Intel dbr:Intel_Xe dbr:Kiryat_Gat dbr:Orders_of_magnitude_(length) dbr:RDNA_(microarchitecture) dbr:Radeon_RX_7000_series dbr:IMac_(Apple_silicon) dbr:N4 dbr:Multigate_device dbr:Sierra_Forest dbr:Transistor_count dbr:5_nm dbr:5nm |
| is dbp:fab of | dbr:GeForce_40_series |
| is dbp:process of | dbr:Hopper_(microarchitecture) dbr:Ada_Lovelace_(microarchitecture) dbr:RDNA_(microarchitecture) |
| is dbp:sizeFrom of | dbr:Zen_4 dbr:Sierra_Forest |
| is foaf:primaryTopic of | wikipedia-en:5_nm_process |