Indium arsenide (original) (raw)
زرنيخيد إنديوم ثلاثي (بالإنجليزية: Indium arsenide) مركب كيميائي له الصيغة InAs، ويكون على شكل بلورات رمادية، وهي عبارة عن مادة نصف ناقلة تتألف من الزرنيخ والإنديوم.
| Property | Value |
|---|---|
| dbo:abstract | زرنيخيد إنديوم ثلاثي (بالإنجليزية: Indium arsenide) مركب كيميائي له الصيغة InAs، ويكون على شكل بلورات رمادية، وهي عبارة عن مادة نصف ناقلة تتألف من الزرنيخ والإنديوم. (ar) Indiumarsenid ist eine chemische Verbindung von Indium und Arsen. Sie ist ein Halbleiter und zählt zu den III-V-Halbleitern. (de) Indium arsenide, InAs, or indium monoarsenide, is a narrow-bandgap semiconductor composed of indium and arsenic. It has the appearance of grey cubic crystals with a melting point of 942 °C. Indium arsenide is similar in properties to gallium arsenide and is a direct bandgap material, with a bandgap of 0.35 eV at room temperature. Indium arsenide is used for construction of infrared detectors, for the wavelength range of 1–3.8 µm. The detectors are usually photovoltaic photodiodes. Cryogenically cooled detectors have lower noise, but InAs detectors can be used in higher-power applications at room temperature as well. Indium arsenide is also used for making of diode lasers. InAs is well known for its high electron mobility and narrow energy bandgap. It is widely used as terahertz radiation source as it is a strong photo-Dember emitter. The optoelectronic properties and phonon vibrations are slightly changed under the effect of temperature over the range form 0 K to 500 K., while the change is quite significant under the effect of pressure, for example InAs converted from a direct band gap semiconductor to an indirect band gap semiconductor. (en) El Arseniuro de indio(InAs), o monoarseniuro de indio, es un compuesto semiconductor formado por indio y arsénico. Este material se utiliza en detectores de infrarrojos, con rangos de longitud de onda de 1 a 3.8 μm. Debido a la alta (del orden de 40 000 cm2/(V*s)) y a su bajo valor de banda prohibida, se utiliza en emisores de Radiación terahertz. También se utiliza junto con el fosfuro de indio, para obtener un material con una banda prohibida dependiente de la proporción de estos componentes. (es) L'arséniure d'indium, InAs, est un semi-conducteur composite binaire de type III-V, composé d'arsenic et d'indium. Il a l'apparence d'un cristal cubique, gris, avec un point de fusion de 942 °C. L'arséniure d'indium est assez similaire à l'arséniure de gallium. Ses propriétés en sont assez proches, et comme celui-ci, il possède un gap direct. Il possède l'une des plus importantes mobilités d'électron parmi les semi-conducteurs, et son gap est l'un des plus petits. Il est toxique et dangereux pour l'environnement. L'arséniure d'indium est parfois utilisé en combinaison avec le phosphure d'indium (InP). Les alliages avec l'arséniure de gallium (GaAs) forment un semi-conducteur ternaire, l'arséniure d'indium-gallium (InGaAs), dont le gap dépend du ratio In/Ga. La différence de paramètre de maille entre l'arséniure d'indium et le phosphure d'indium ou l'arséniure de gallium est cependant suffisante pour former des boîtes quantiques (quantum dots) : lors du dépôt d'une monocouche d'InAs sur un substrat d'InP ou de GaAs, en raison des tensions qui se forment à cause de cette différence de paramètre de maille, l'arséniure d'indium se réorganise en « nano-îles » formant à la surface d'InP ou de GaAs des boîtes quantiques. Il est également possible de former des boîtes quantiques dans l'arséniure d'indium-gallium ou dans l'arséniure d'aluminium-gallium. (fr) ヒ化インジウム(Indium arsenide)は、インジウムとヒ素からなる化学式InAsの半導体である。融点942℃の灰色の立方晶を形成する。 ヒ化インジウムは、波長が1-3.8 μmのの製造に用いられる。この検出器は、太陽光発電のフォトダイオードである。極低温に冷やした検出器のノイズは低くなるが、InAs検出器は室温で高出力でも使うことができる。また、InAsは半導体レーザーにも用いられている。 ヒ化インジウムはヒ化ガリウムと似て直接遷移金属である。リン化インジウムとともに用いられることもある。ヒ化ガリウムと合金を作り、ヒ化インジウムガリウムとなる。バンドギャップはIn/Ga比に依存し、窒化インジウムと窒化ガリウムから窒化インジウムガリウムの合金を作るのと同じ方法で作られる。 ヒ化インジウムは、電子の高い運動性と狭いエネルギーバンドギャップで知られている。テラヘルツの放射源として広く用いられている。 リン化インジウムやヒ化ガリウム上のヒ化インジウムの単一層は、量子ドットを形成しうる。素材の格子定数のミスマッチが表面の層に緊張を作り出し、これが量子ドットを作り出す。ヒ化インジウムガリウム中でも、ヒ化ガリウムマトリックス中のヒ化インジウムのドットとして量子ドットが形成される。 (ja) L'arseniuro di indio, o monoarseniuro di indio, è un semiconduttore composto da indio e arsenico con formula chimica InAs. Ha l'aspetto di cristalli cubici grigi con un punto di fusione di 942 °C. (it) Арсени́д и́ндия, — бинарное неорганическое соединение индия и мышьяка. Химическая формула соединения InAs. Кристаллизуется в структуре типа сфалерита. Является прямозонным полупроводник, относящимся к полупроводникам группы AIIIBV. При 300 К имеет ширину запрещённой зоны около 0,35 эВ. Применяется для изготовления сверхвысокочастотных транзисторов. Также, светодиодов и фотодиодов, работающих в инфракрасной области электромагнитного излучения, датчиков Холла магнитного поля, для организации ансамблей квантовых точек в некоторых полупроводниковых приборах. Ввиду низкой ширины запрещённой зоны, большинство полупроводниковых приборов, изготовленных из этого материала работают только при криогенных или очень низких температурах. (ru) 砷化铟是一种无机化合物，化学式InAs，是一种半导体材料。它是灰色的立方晶体，熔点942 °C。 (zh) Арсені́д індію (InAs) — кристалічна речовина, сполука індію з арсеном. Прямозонний напівпровідник, володіє дуже малою шириною забороненої зони (0.354 еВ при 300 K). (uk) |
| dbo:alternativeName | Indium monoarsenide (en) |
| dbo:iupacName | Indium(III) arsenide (en) |
| dbo:thumbnail | wiki-commons:Special:FilePath/Sphalerite-unit-cell-3D-balls.png?width=300 |
| dbo:wikiPageExternalLink | https://web.archive.org/web/20070107054525/http:/www.onr.navy.mil/sci_tech/31/312/ncsr/materials/inas.asp https://www.americanelements.com/indium-arsenide-1303-11-3/sds http://www.ioffe.rssi.ru/SVA/NSM/Semicond/InAs/index.html |
| dbo:wikiPageID | 3296181 (xsd:integer) |
| dbo:wikiPageLength | 7787 (xsd:nonNegativeInteger) |
| dbo:wikiPageRevisionID | 1116121510 (xsd:integer) |
| dbo:wikiPageWikiLink | dbr:Indium_gallium_arsenide dbr:Infrared_detector dbr:Zincblende_(crystal_structure) dbc:Arsenides dbr:Gallium_arsenide dbr:Photo-Dember dbr:Photovoltaic dbr:Photodiode dbr:Lattice_constant dbc:III-V_compounds dbc:III-V_semiconductors dbc:Zincblende_crystal_structure dbr:Band_gap dbr:Quantum_dot dbr:Terahertz_radiation dbr:Arsenic dbc:Indium_compounds dbr:Ternary_compound dbr:Direct_bandgap dbr:Indium dbr:Indium_antimonide dbr:Indium_nitride dbr:Indium_phosphide dbr:Semiconductor dbr:Wavelength dbr:Diode_laser dbr:KJ/mol dbr:Cubic_crystal |
| dbp:imagefile | Sphalerite-unit-cell-3D-balls.png (en) Indium arsenide.jpg (en) |
| dbp:iupacname | Indium arsenide (en) |
| dbp:othernames | Indium monoarsenide (en) |
| dbp:verifiedrevid | 477313298 (xsd:integer) |
| dbp:watchedfields | changed (en) |
| dbp:wikiPageUsesTemplate | dbt:Chembox dbt:Chembox_Hazards dbt:Chembox_Identifiers dbt:Chembox_Properties dbt:Reflist dbt:Cascite dbt:Chembox_Related dbt:Chembox_Structure dbt:Chembox_Thermochemistry dbt:Chemspidercite dbt:Fdacite dbt:GHS06 dbt:GHS08 dbt:H-phrases dbt:P-phrases dbt:Stdinchicite dbt:Arsenic_compounds dbt:Arsenides dbt:Indium_compounds dbt:Semiconductor_laser |
| dcterms:subject | dbc:Arsenides dbc:III-V_compounds dbc:III-V_semiconductors dbc:Zincblende_crystal_structure dbc:Indium_compounds |
| gold:hypernym | dbr:Semiconductor |
| rdf:type | owl:Thing dul:ChemicalObject dbo:ChemicalSubstance wikidata:Q11173 yago:WikicatArsenicCompounds yago:WikicatArsenides yago:WikicatCompoundSemiconductors yago:WikicatSemiconductorMaterials yago:Abstraction100002137 yago:Arsenide114610443 yago:Chemical114806838 yago:Cognition100023271 yago:Compound105870180 yago:Compound114818238 yago:Concept105835747 yago:Conductor114821043 yago:Content105809192 yago:Idea105833840 yago:Material114580897 yago:Matter100020827 yago:Part113809207 yago:PhysicalEntity100001930 yago:PsychologicalFeature100023100 yago:Relation100031921 yago:WikicatIII-VCompounds yago:WikicatIndiumCompounds dbo:ChemicalCompound yago:Semiconductor114821248 yago:Substance100019613 yago:Whole105869584 umbel-rc:ChemicalSubstanceType |
| rdfs:comment | زرنيخيد إنديوم ثلاثي (بالإنجليزية: Indium arsenide) مركب كيميائي له الصيغة InAs، ويكون على شكل بلورات رمادية، وهي عبارة عن مادة نصف ناقلة تتألف من الزرنيخ والإنديوم. (ar) Indiumarsenid ist eine chemische Verbindung von Indium und Arsen. Sie ist ein Halbleiter und zählt zu den III-V-Halbleitern. (de) El Arseniuro de indio(InAs), o monoarseniuro de indio, es un compuesto semiconductor formado por indio y arsénico. Este material se utiliza en detectores de infrarrojos, con rangos de longitud de onda de 1 a 3.8 μm. Debido a la alta (del orden de 40 000 cm2/(V*s)) y a su bajo valor de banda prohibida, se utiliza en emisores de Radiación terahertz. También se utiliza junto con el fosfuro de indio, para obtener un material con una banda prohibida dependiente de la proporción de estos componentes. (es) ヒ化インジウム(Indium arsenide)は、インジウムとヒ素からなる化学式InAsの半導体である。融点942℃の灰色の立方晶を形成する。 ヒ化インジウムは、波長が1-3.8 μmのの製造に用いられる。この検出器は、太陽光発電のフォトダイオードである。極低温に冷やした検出器のノイズは低くなるが、InAs検出器は室温で高出力でも使うことができる。また、InAsは半導体レーザーにも用いられている。 ヒ化インジウムはヒ化ガリウムと似て直接遷移金属である。リン化インジウムとともに用いられることもある。ヒ化ガリウムと合金を作り、ヒ化インジウムガリウムとなる。バンドギャップはIn/Ga比に依存し、窒化インジウムと窒化ガリウムから窒化インジウムガリウムの合金を作るのと同じ方法で作られる。 ヒ化インジウムは、電子の高い運動性と狭いエネルギーバンドギャップで知られている。テラヘルツの放射源として広く用いられている。 リン化インジウムやヒ化ガリウム上のヒ化インジウムの単一層は、量子ドットを形成しうる。素材の格子定数のミスマッチが表面の層に緊張を作り出し、これが量子ドットを作り出す。ヒ化インジウムガリウム中でも、ヒ化ガリウムマトリックス中のヒ化インジウムのドットとして量子ドットが形成される。 (ja) L'arseniuro di indio, o monoarseniuro di indio, è un semiconduttore composto da indio e arsenico con formula chimica InAs. Ha l'aspetto di cristalli cubici grigi con un punto di fusione di 942 °C. (it) 砷化铟是一种无机化合物，化学式InAs，是一种半导体材料。它是灰色的立方晶体，熔点942 °C。 (zh) Арсені́д індію (InAs) — кристалічна речовина, сполука індію з арсеном. Прямозонний напівпровідник, володіє дуже малою шириною забороненої зони (0.354 еВ при 300 K). (uk) Indium arsenide, InAs, or indium monoarsenide, is a narrow-bandgap semiconductor composed of indium and arsenic. It has the appearance of grey cubic crystals with a melting point of 942 °C. Indium arsenide is similar in properties to gallium arsenide and is a direct bandgap material, with a bandgap of 0.35 eV at room temperature. InAs is well known for its high electron mobility and narrow energy bandgap. It is widely used as terahertz radiation source as it is a strong photo-Dember emitter. (en) L'arséniure d'indium, InAs, est un semi-conducteur composite binaire de type III-V, composé d'arsenic et d'indium. Il a l'apparence d'un cristal cubique, gris, avec un point de fusion de 942 °C. L'arséniure d'indium est assez similaire à l'arséniure de gallium. Ses propriétés en sont assez proches, et comme celui-ci, il possède un gap direct. Il possède l'une des plus importantes mobilités d'électron parmi les semi-conducteurs, et son gap est l'un des plus petits. Il est toxique et dangereux pour l'environnement. (fr) Арсени́д и́ндия, — бинарное неорганическое соединение индия и мышьяка. Химическая формула соединения InAs. Кристаллизуется в структуре типа сфалерита. Является прямозонным полупроводник, относящимся к полупроводникам группы AIIIBV. При 300 К имеет ширину запрещённой зоны около 0,35 эВ. Применяется для изготовления сверхвысокочастотных транзисторов. Также, светодиодов и фотодиодов, работающих в инфракрасной области электромагнитного излучения, датчиков Холла магнитного поля, для организации ансамблей квантовых точек в некоторых полупроводниковых приборах. (ru) |
| rdfs:label | زرنيخيد إنديوم ثلاثي (ar) Arsenur d'indi (ca) Indiumarsenid (de) Arseniuro de indio (es) Indium arsenide (en) Arseniuro di indio (it) Arséniure d'indium (fr) ヒ化インジウム (ja) Indiumarsenide (nl) Арсенид индия (ru) Арсенід індію (uk) 砷化铟 (zh) |
| owl:sameAs | freebase:Indium arsenide yago-res:Indium arsenide wikidata:Indium arsenide dbpedia-ar:Indium arsenide http://azb.dbpedia.org/resource/آرسنید_ایندیوم dbpedia-ca:Indium arsenide dbpedia-de:Indium arsenide dbpedia-es:Indium arsenide dbpedia-fa:Indium arsenide dbpedia-fr:Indium arsenide http://hi.dbpedia.org/resource/इण्डियम_आर्सेनाइड dbpedia-it:Indium arsenide dbpedia-ja:Indium arsenide dbpedia-nl:Indium arsenide dbpedia-ru:Indium arsenide dbpedia-sh:Indium arsenide dbpedia-sr:Indium arsenide http://ta.dbpedia.org/resource/இண்டியம்_ஆர்சினைடு dbpedia-uk:Indium arsenide dbpedia-vi:Indium arsenide dbpedia-zh:Indium arsenide https://global.dbpedia.org/id/3sRkF |
| prov:wasDerivedFrom | wikipedia-en:Indium_arsenide?oldid=1116121510&ns=0 |
| foaf:depiction | wiki-commons:Special:FilePath/Sphalerite-unit-cell-3D-balls.png wiki-commons:Special:FilePath/Indium_arsenide.jpg |
| foaf:isPrimaryTopicOf | wikipedia-en:Indium_arsenide |
| is dbo:wikiPageRedirects of | dbr:Indium_monoarsenide dbr:InAs dbr:Indium(III)_arsenide |
| is dbo:wikiPageWikiLink of | dbr:Metalorganic_vapour-phase_epitaxy dbr:Boron_arsenide dbr:Cubic_crystal_system dbr:Depletion_and_enhancement_modes dbr:Indium_arsenide_antimonide_phosphide dbr:Indium_gallium_arsenide dbr:Indium_gallium_arsenide_phosphide dbr:Infrared_Nanospectroscopy_(AFM-IR) dbr:Infrared_detector dbr:Interband_cascade_laser dbr:List_of_inorganic_compounds dbr:List_of_semiconductor_materials dbr:Gallium_arsenide dbr:Mohamed_M._Atalla dbr:NEXTAR dbr:Negative_luminescence dbr:Zinc_telluride dbr:Hall_effect_sensor dbr:Magnetic_semiconductor dbr:Thin-film_transistor dbr:Gallium_indium_arsenide_antimonide_phosphide dbr:HP_Labs dbr:Superlens dbr:Photo–Dember_effect dbr:Aluminium_indium_arsenide dbr:Band_gap dbr:Quantum_dot dbr:Arsenic dbr:Lead_selenide dbr:Arsenic_compounds dbr:UltraRAM dbr:Indium_antimonide dbr:Indium_nitride dbr:Indium_phosphide dbr:INAS dbr:Mercury_cadmium_telluride dbr:Multiple_exciton_generation dbr:Semiconductor_device dbr:Wetting_layer dbr:Indium_monoarsenide dbr:Narrow-gap_semiconductor dbr:Photoconductivity dbr:Terahertz_time-domain_spectroscopy dbr:Molecular_electronics dbr:Tunnel_field-effect_transistor dbr:Photoconductive_atomic_force_microscopy dbr:Thermographic_camera dbr:Uri_Banin dbr:Ridley–Watkins–Hilsum_theory dbr:InAs dbr:Indium(III)_arsenide |
| is foaf:primaryTopic of | wikipedia-en:Indium_arsenide |
