ドーパントイオン - Weblio 英和・和英辞典 (original) (raw)
例文
ブロッキングマスク材料の堆積工程後に、ドーパントイオンが注入され、ブロッキングマスク材料が、部分的または完全に、フィンの上面を**ドーパントイオン**からブロックする。例文帳に追加
After the process for depositing the blocking material, dopant ions are implanted, whereby the blocking mask material partially or completely blocks the top surface of the fin from these dopant ions. - 特許庁
同時に、基板裏面に注入された**ドーパントイオンが活性化され、不純物ドープ層１５が形成される。例文帳に追加
At the same time, the dopant ions injected to the back face of the substrate are activated, and an impurity dope layer 15 is formed. - 特許庁
半導体層をドーピングする際に、基板上に半導体層を形成した後、プラズマ照射時に水素ガスを導入するなどの手段によって半導体層の表面に吸着するドーパントイオンの量を制御し、エキシマレーザーなどによって吸着した**ドーパントイオン**を半導体層内で活性化させることを特徴とする。例文帳に追加
A method for doping a semiconductor layer comprises the steps of forming the semiconductor layer on the substrate when the layer is doped, then controlling an amount of dopant ions to be adsorbed to the surface of the semiconductor layer by a means for introducing a hydrogen gas at a plasma emitting time, and activating the dopant ion adsorbed by an excimer laser or the like in the semiconductor layer. - 特許庁
**ドーパントイオンを含有しない、従来から知られるＹＡＧ化合物又はシリケート系蛍光体よりも大きい強度で光を発することができる。例文帳に追加
The new phosphor can emit light at intensity greater than either conventionally known YAG compounds or silicate-based phosphors that do not contain a dopant ion. - 特許庁
燐光薄膜は**ドーパントイオンを含んでおり、一次光の燐光変換がドーパントの密度によって、また薄膜の厚さによって予測可能かつ制御可能となるよう空間的に分布している。例文帳に追加
Each phosphor escent thin film comprises dopant ions that are spatially distributed in such a manner that the phosphor escent conversion of the primary light is predictable and controlled by the concentration of the dopants and by the thickness of the thin film. - 特許庁
引き続き、フォトレジスト８，第１の層間絶縁膜１０７をマスクにして、ｐ型**ドーパントイオンをイオン注入した後、活性化アニールを施すことで、トレンチ９の下方にｐ型不純物拡散領域１２を形成する。例文帳に追加
In succession, while a photoresist 8 and the film 107 are used as a mask, p-type dopant ions are ion-implanted, activation annealing operation is then executed, and a p-type diffused region 12 is formed in the lower part of the trench 9. - 特許庁
例文
ＳｉＣバルク基板１１の裏面に、基板のキャリア濃度以上の**ドーパントイオン１３を多段階に注入して注入層１２を形成する。例文帳に追加
An injection layer 12 is formed by injecting dopant ions 13 whose density is not less than the carrier density of an SiC balk substrate 11 in multi-levels on the back face of the SiC balk substrate 11. - 特許庁