バランシュ - Weblio 英和・和英辞典 (original) (raw)
| JMnedictでの「バランシュ」の英訳 | | | ----------------------------------------------------------------------------------------------------------- | |
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バランシュ
| 読み方 | 意味・英語表記 |
|---|---|
| バランシュ | Ballanche |
JMnedictは、日本語の一般的な固有名詞の分類とそれを英語で表記した内容を中心に扱っています。
同じ日本語に複数の英語表記が表示される項目もあります。
「バランシュ」を含む例文一覧
該当件数 : 5件
例文
高いア**バランシュブレークダイン強度を有する横型ＨＥＭＴと、その製造方法を提供する。例文帳に追加
To provide a horizontal HEMT having a high avalanche breakdown strength, and to provide a manufacturing method thereof. - 特許庁
安価で、効果的な臨界制御で製造することのできる単純かつ効果的なア**バランシュ・フォトダイオードを提供する。例文帳に追加
To provide a simple and effective avalanche photodiode that can be manufactured inexpensively and with efficient critical control. - 特許庁
ダイオードの外付けによる部品点数の増加及び占有面積の増大を抑えた、高いア**バランシュエネルギー耐量を有する窒化物半導体装置を実現できるようにする。例文帳に追加
To obtain a nitride semiconductor device having a high avalanche energy resistance while limiting increase in number of components and occupation area resulting from external attachment of a diode. - 特許庁
前記複数層のドーピング層により、ソース／ドレイン領域とＰＮ接合を成す部分においては、電子がバンド間トンネリングとなるように誘導し、前記トンネルリングされた電子を所定の逆バイアス状態で加速させてア**バランシュ現象が起こるようにする。例文帳に追加
On a portion forming a PN junction with a source/drain region by the multi-doped layers, electrons are induced so as to be band-to-band tunneled and the tunneled electrons are accelerated in a prescribed reverse bias state to generate an avalanche phenomenon. - 特許庁
例文
従って、メモリアレイの動作は、前記ア**バランシュ現象により生成されたホールを各メモリセルの多重誘電層に注入させる方式でプログラムし、イレース時にはＦ−Ｎトンネルリングによりチャンネルにある電子を前記各セルの多重誘電層に注入させる方式で行うことになる。例文帳に追加
The operation of the memory array is thereby programmed by a method for injecting holes generated by the avalanche phenomenon into multi-dielectric layers of respective memory cells and performed by a method for injecting electrons existing in channels through F-N tunneling into the multi-dielectric layers of respective cells at the time of erasing. - 特許庁
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