bulk diode - Weblio 英和・和英辞典 (original) (raw)
例文
Also the other terminal d2 of the diode D is connected to a bulk line BK.例文帳に追加
また、ダイオードＤの他方の端子ｄ２がバルク線ＢＫに接続する。 - 特許庁
Zener voltage of a Zener diode between the side of a collector electrode of IGBT element and a gate electrode, is reduced by 100 V or more below the bulk withstand voltage.例文帳に追加
ＩＧＢＴ素子のコレクタ電極側とゲート電極間のツェナーダイオードのツェナー電圧がバルク耐圧より１００Ｖ以上小さくする。 - 特許庁
The disposed diode uses junction which is equivalent to the p-n junction between the source and bulk of the MOSFET and the bias voltage is applied to the back gate of the MOSFET by using a voltage generated across the anode and cathode of the diode when the diode is driven by a constant current having a certain current value.例文帳に追加
そのダイオードは該ＭＯＳＦＥＴのソースーバルク間のＰＮ接合と同等の接合を用い、配置したダイオードをある電流値で定電流駆動し、該ダイオードのアノードーカソード間に発生する電圧で該ＭＯＳＦＥＴのバックゲートにバイアスを与える。 - 特許庁
In the diode 7, a P channel MOS transistor is connected to the diode, and internal power voltage VDD is supplied to a source terminal of the transistor, and a gate terminal, a bulk terminal of the transistor and one junction of a capacitor is connected to the drain terminal.例文帳に追加
ダイオード７は、ＰチャネルＭＯＳトランジスタがダイオード接続されており、該トランジスタのソース端子に内部電源電圧ＶＤＤが供給され、ドレイン端子には、該トランジスタのゲート端子とバルク端子、およびコンデンサの一方の接続部がそれぞれ接続されている。 - 特許庁
A source and bulk of N-channel MOSFET are connected with second power source and an anode of the diode, and the drain is connected to the third power source and to the cathode of the diode.例文帳に追加
保護回路付きＮチャネルＭＯＳＦＥＴは、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴとダイオードとからなり、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴのソースとバルクとを第２の電源に接続するとともにダイオードのアノードに接続し、ドレインを第３の電源に接続するとともにダイオードのカソードに接続する。 - 特許庁
Without having to provide the diode element utilizing junction capacitance, the maximum oscillation frequency can be markedly improved from several GHz band to tens of GHz band, by using bulk VS. inter-drain capacitance 10 and 12 and bulk VS. inter-gate capacitances 11 and 13 by the bulk potential control voltage of first and second MOS transistors 1 and 2 inputted from input terminals 7 and 8.例文帳に追加
接合容量を利用したダイオード素子を具備することなく、入力端子７，８から入力される第１及び第２のＭＯＳトランジスタ１，２のバルク電位制御電圧により、バルク対ドレイン間容量１０，１２と、バルク対ゲート間容量１１，１３とを使用することで、最大発振周波数を数ＧＨｚ帯から数十ＧＨｚ帯に大幅に向上することができる。 - 特許庁
例文
Further, an n^+ diffusion region 7 acting like a drain of the MOSFET in the MIS region and the p-GaN layer 11 of the pn diode of the bulk region are electrically connected bi a short-circuit electrode 8.例文帳に追加
そして、ＭＩＳ領域のＭＯＳＦＥＴのドレインとなるｎ^+拡散領域７と、バルク領域のｐｎダイオードのｐ−ＧａＮ層１１を、短絡電極８を介して電気的に接続する。 - 特許庁