carbide formation - Weblio 英和・和英辞典 (original) (raw)
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意味・対訳 炭化物生成
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carbide formation
「carbide formation」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 61件
例文
FILM FORMATION METHOD OF SILICON CARBIDE THIN FILM例文帳に追加
炭化珪素薄膜の成膜方法 - 特許庁
FORMATION OF SILICON CARBIDE FILM例文帳に追加
炭化ケイ素膜の形成方法 - 特許庁
FORMATION METHOD OF ELECTRODE OF SILICON CARBIDE AND SEMICONDUCTOR ELEMENT例文帳に追加
炭化珪素への電極形成法および半導体素子 - 特許庁
INSULATED FILM FORMATION METHOD AND SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加
絶縁膜の形成方法および炭化珪素半導体装置 - 特許庁
FORMATION OF SILICON CARBIDE CRYSTAL FILM例文帳に追加
シリコンカーバイド結晶膜の形成方法 - 特許庁
DIE FOR FORMING CEMENTED CARBIDE POWDER AND PRESS- FORMATION METHOD OF CEMENTED CARBIDE POWDER USING THIS DIE例文帳に追加
超硬合金粉末成形用金型及びそれを用いた超硬合金粉末のプレス成形方法 - 特許庁
例文
To efficiently form a silicon carbide film on the surface of a carbon base material without causing cracks nor peeling after the formation of the silicon carbide film.例文帳に追加
炭化珪素膜形成後にクラックや剥離が生じることなく、炭化珪素膜を炭素基材の表面上に効率良く形成する。 - 特許庁
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「carbide formation」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 61件
例文
To suppress the formation of waving and warps in a silicon carbide single crystal layer and to improve the crystal characteristics of the silicon carbide single crystal.例文帳に追加
炭化珪素単結晶層のうねりや反りを抑制し、炭化珪素単結晶の結晶性を良好にする。 - 特許庁
The substrate 20 is then cooled in a non-oxidizing atmosphere to terminate carbide formation.例文帳に追加
次いで、この基材２０を非酸化性雰囲気中で冷却して炭化物の形成を終了させる。 - 特許庁
The synthesis of a carbide to be occluded and the formation of a carbon nanocapsule are performed simultaneously by using carbon constituting the carbide being a starting material as a carbon supply source so that the carbon for forming the carbon nanocapsule is supplied uniformly onto the periphery of a carbide particle to be occluded.例文帳に追加
カーボンナノカプセルを形成する炭素を内包される炭化物粒子の周囲に均一に供給するべく，炭素供給源を出発原料の炭化物を構成する炭素とすることにより，内包される炭化物の合成とカーボンナノカプセルの形成を同時に行う。 - 特許庁
A film formation apparatus 1 for homoepitaxial-growing a thin film on a silicon carbide substrate 2 includes: a susceptor 3 to put the silicon carbide substrate 2 on an upper surface thereof; and a reaction chamber 4 into which the susceptor 3 with the silicon carbide substrate 2 set thereon is loaded.例文帳に追加
本発明に係る成膜装置１は、上面に炭化ケイ素基板２が載置されるサセプタ３と、これらの炭化ケイ素基板２およびサセプタ３を収容する反応容器４と、を備え、前記炭化ケイ素基板２上に薄膜をホモエピタキシャル成長させる成膜装置１である。 - 特許庁
To reliably hold a cemented carbide material tip by casting metal so as not to separate, slip out and rotate while preventing the formation of a cavity part and a defect part in a crushing tool manufactured by an insertingly casting method for holding a cemented carbide material by casting the casting metal in a state of having the cemented carbide material on the tip.例文帳に追加
超硬材を先端に備えた状態で鋳造用金属を鋳込んでその超硬材を保持する鋳ぐるみ方式によって製造される破砕具において、空洞部や欠陥部を形成することを防止しながら剥離や抜けや回りがないよう超硬材チップを鋳造用金属に確実に保持させる。 - 特許庁
The subcatalyst comprises a substance producing a carbide being more stable from the viewpoint of thermal energy where the formation free energy of the produced carbide is smaller than that of carbides of the main catalyst.例文帳に追加
前記従触媒は、前記主触媒の炭化物よりも熱エネルギー的に安定な炭化物を生成する物質からなり、該物質は炭化物の生成自由エネルギーが前記主触媒の炭化物よりも小さい。 - 特許庁
When a silicon carbide wafer 11 is held on a wafer holder and heated, a means for preventing formation of a gap between the wafer holding surface 21a of a wafer holder 21 and the back surface of the silicon carbide wafer 11 is employed.例文帳に追加
炭化ケイ素ウェハ１１をウェハ保持具に保持して加熱するに当たり、ウェハ保持具２１のウェハ保持面２１ａと炭化ケイ素ウェハ１１の裏面との隙間形成を防止する手段を用いること。 - 特許庁
例文
The as-deposited silicon carbide layer has a compressibility, that varies as a function of the amount of dopant present in the gas mixture during layer formation.例文帳に追加
堆積された炭化珪素層の圧縮率は、層形成の間における混合ガス中のドーパントの量の関数として変化する。 - 特許庁
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