porous Si - Weblio 英和・和英辞典 (original) (raw)
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porous Si
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「porous Si」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 81件
例文
A porous Si layer 2 is formed on a single-crystal Si substrate 1 and a p^+-type Si layer 3, a p-type Si layer 4, and an n^+-type Si layer 5 all of which become solar battery layers are formed on the Si layer 2.例文帳に追加
単結晶Ｓｉ基板１上に多孔質Ｓｉ層２を形成し、その上に太陽電池層となるｐ^+ 型Ｓｉ層３、ｐ型Ｓｉ層４およびｎ^+ 型Ｓｉ層５を形成する。 - 特許庁
Epitaxial growth of a crystal Si layer is made on a substrate having a porous Si layer on the surface.例文帳に追加
多孔質Ｓｉ層を表面に有する基板上に、結晶Ｓｉ層をエピタキシャル成長させる。 - 特許庁
To realize a method in which epitaxial growth of a crystal Si layer which completely covers a porous Si layer is made on the porous silicon(Si) layer without abnormal growth.例文帳に追加
多孔質シリコン（Ｓｉ）層上に、異常成長をさせることなく、多孔質Ｓｉ層を覆い尽くす結晶Ｓｉ層をエピタキシャル成長させる方法を提供する。 - 特許庁
To provide the forming method of low dielectric constant porous film consisting of Si-O cohesion mainly through vapor phase method.例文帳に追加
主として、Si-O結合から成る低誘電率多孔質膜を気相法で形成する方法を与える。 - 特許庁
A porous Si layer 29 is formed on a non-porous Si layer 28 by anodizing an Si wafer, and epitaxial Si layers 24 and 25 are formed on the porous Si layer 29, and the epitaxial Si layer 25 and an A151 adhered to a supporting substrate 52 are thermally melt-stuck and alloyed so that the A151 and the epitaxial Si layer 52 can be strongly adhered to each other.例文帳に追加
Ｓｉウェハを陽極化成して非多孔質Ｓｉ層２８上に多孔質Ｓｉ層２９形成し、多孔質Ｓｉ層２９上に、エピタキシャルＳｉ層２４，２５を形成して、エピタキシャルＳｉ層２５と、支持基板５２に密着したＡｌ５１を熱溶着して合金化しＡｌ５１とエピタキシャルＳｉ層２５を強固に密着させる。 - 特許庁
Then, while the back face of the non-porous Si layer is fixed by a vacuum chuck 26, the supporting substrate 52 is pulled, and the porous Si layer 29 is separated.例文帳に追加
つぎに、非多孔質Ｓｉ層の裏面を真空チャック２６で固定しながら、支持基板５２を引っ張り、多孔質Ｓｉ層２９で分離する。 - 特許庁
例文
The cage type silica porous body and the carbon source are mixed in such a manner that the molar ratio (C/Si) between the silicon (Si) in the cage type silica porous body and carbon (C) in the carbon source satisfies the relation of 0.8<C/Si<3.0.例文帳に追加
ケージ形シリカ多孔体と炭素源とは、ケージ形シリカ多孔体中のケイ素（Ｓｉ）と炭素源中の炭素（Ｃ）とのモル比（Ｃ／Ｓｉ）が、関係０．８＜Ｃ／Ｓｉ＜３．０を満たすように混合される。 - 特許庁
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「porous Si」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 81件
例文
A porous Si layer 2 having a thickness between 300 nm and 50 μm is formed under the surface of a single-crystal Si substrate 1.例文帳に追加
Ｓｉ単結晶基板１の表面下に３００ｎｍ〜５０μｍの厚さのポーラスＳｉ層２が形成されている。 - 特許庁
The raw material for forming cordierite contains at least porous silica as the Si source.例文帳に追加
コーディエライト化原料は、Ｓｉ源として少なくとも多孔質シリカを含有する。 - 特許庁
Further, as to the metal composite material in this invention, at least one kind of metallic continuous phase selected from the groups consisting of aluminum, an Al-Si, an Al-Cu, an Al-Mg, an Al-Si-Cu and an Al-Si-Mg composite is present in the gaps of the porous preform.例文帳に追加
また、本発明の金属基複合材料は、多孔質プリフォームの空隙に、連続相としてアルミニウム、Al−Si系、Al−Cu系、Al−Mg系、Al−Si−Cu系、Al−Si−Mg系からなる群から選択される少なくとも1種の金属連続相が存在することを特徴とする。 - 特許庁
Fine pores of a porous carbon material are impregnated with Si and are subjected to heat treatment to form the porous SiC material.例文帳に追加
多孔質炭素材料の細孔にＳｉを含浸させ、熱処理することにより多孔質ＳｉＣ材料を生成させる。 - 特許庁
The porous MSQ film 14 and the non-porous MSQ film 17 consist of the same film material including Si, O, and C.例文帳に追加
多孔質ＭＳＱ膜１４および非多孔質ＭＳＱ膜１７を、Ｓｉ、Ｏ、Ｃを含む共通の膜材料により構成する。 - 特許庁
A porous Si layer 18 is formed by anodizing the one end side surface of an Si substrate 10 (S11) and Si_1-xGe_x is grown on the porous Si layer 18 through epitaxial growth to form a lattice relaxation layer of a thin film (S12).例文帳に追加
Ｓｉ基板１０の一端側表面を陽極酸化することにより多孔質Ｓｉ層１８を形成し（Ｓ１１）し、その多孔質Ｓｉ層１８上にはＳｉ_1-xＧｅ_xをエピタキシャル成長させて薄膜の格子緩和層１２を形成する（Ｓ１２）。 - 特許庁
A porous dielectric film useful in a semiconductor industry is prepared by depositing an Si-O-C film using a precursor containing carbon and oxygen, and thereafter by decomposing an organic fragment captured inside by heating the Si-O-C film.例文帳に追加
半導体工業において有用な多孔誘電体膜が、炭素及び酸素を含む前駆体を使用してSi-O-C膜を蒸着し、その後Si-O-C膜を加熱して内部に捕獲された有機断片を分解することにより用意される。 - 特許庁
例文
A buffer layer comprising a IV group element is formed on a porous Si, on which a crystal layer having a lattice constant different from that of an Si single crystal is deposited.例文帳に追加
ポーラスＳｉ上にＩＶ族元素からなるバッファ層を形成し、その上にＳｉ単結晶とは異なる格子定数を有する結晶層を堆積する。 - 特許庁
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