pressure doping - Weblio 英和・和英辞典 (original) (raw)
例文
To prevent a sharp change in pressure inside a processing chamber to realize stable doping by reducing degassing which occurs from resist at the time of doping wherein impurities are added.例文帳に追加
不純物の添加を行うドーピングの際にレジストから発生する脱ガスを低減させることにより、処理室内部の急激な圧力変化を防止し、安定したドーピングを実現する。 - 特許庁
A method of manufacturing an organic polymer thermoelectric material is provided to have a feature that in place of implantation of charges by a conventional gas phase doping, fine particles of the conductive polymer are molded under pressure after doping processing.例文帳に追加
従来の気相ドーピングによる、電荷の注入に変えて、導電性高分子の粉体をドーピング処理後に加圧成形することを特徴とする有機高分子熱電材料の製造方法を提供する。 - 特許庁
Thereafter, the pressure in the vacuum vessel 1 is lowered and the low concentration plasma doping is performed on a substrate 9 loaded on a sample electrode 6.例文帳に追加
その後、真空容器１内の圧力を下げ、試料電極６上に載置された基板９に対して低濃度のプラズマドーピングを行う。 - 特許庁
In addition, electron mobility is controlled by adjusting the partial pressure of oxygen on the basis of the pre-grasped relationship between the electron mobility of the zinc oxide film in the predetermined doping quantity of dopant and the partial pressure of oxygen in the film deposition chamber.例文帳に追加
また、予め把握した、ドーパントの所定のドーピング量における酸化亜鉛膜の電子移動度と成膜室の酸素分圧の関係に基づいて、酸素分圧を調整して電子移動度を制御する。 - 特許庁
To provide a manufacturing method of semiconductors that can improve the uniformity of B concentration in B doping of an epitaxial growth film or the like of a Si film or a SiGe film, using a vertical or a horizontal type reduced pressure CVD system.例文帳に追加
縦型または横型減圧ＣＶＤ装置を用いたＳｉ膜またはＳｉＧｅ膜のエピタキシャル成長膜等のＢのドーピングにおいて、Ｂ濃度均一性を向上することができる半導体の製造方法を提供する。 - 特許庁
The optical isomer separation agent is manufactured by a method, wherein the chitosan derivative having the liquid crystal properties is made to dissolve in a solvent composed of dimethylacetamide and acetone to prepare a polymer dope; and after the polymer doping has been applied to a porous carrier, the solvent is removed under reduced pressure conditions.例文帳に追加
該光学異性体用分離剤は、ジメチルアセトアミドとアセトンからなる溶剤に、液晶性を有するキトサン誘導体を溶解せしめてポリマードープとし、該ポリマードープを多孔質担体に塗布した後、減圧条件下で溶剤を除去することによって製造される。 - 特許庁
例文
To provide a compound semiconductor device with high reliability and high pressure resistance by forming a buffer layer with high resistance for complete suppression of off-leak current while retaining the crystal quality of a compound semiconductor of an upper layer without doping impurities with high resistance during crystal growth of the buffer layer.例文帳に追加
バッファ層の結晶成長時に高抵抗化の不純物をドーピングすることなく上層の化合物半導体の結晶品質を保持するも、バッファ層を高抵抗化してオフリーク電流を確実に抑制し、信頼性の高い高耐圧の化合物半導体装置を実現する。 - 特許庁