total etching - Weblio 英和・和英辞典 (original) (raw)
例文
A total etching time required for each selection-wet etching is determined (S1, S2).例文帳に追加
各選択ウエットエッチングに必要な総エッチング時間を決定する（Ｓ１，Ｓ２）。 - 特許庁
When providing a mask 16 on the semiconductor layer and etching the semiconductor layer except the mask, etching is performed in two steps, and the desired depth (d) of etching is a total value of the depth d_1 and d_2 in both steps of etching.例文帳に追加
半導体層にマスク１６を設けて半導体層のマスク以外の部分をエッチングする際に、２回に分けてエッチングし、所望のエッチングの深さｄは両方のエッチングの深さｄ_１、ｄ_２さを合計した値とする。 - 特許庁
In addition, the multiple waists 26 and 30 can be obtained by forming a change in gas mixing ratio in an etching chamber or a change in total gas pressure in the etching chamber.例文帳に追加
その代わりに多重ウエストは、エッチングチャンバ内における種々のガスの比又はチャンバ内における全ガス圧力のいずれかの変化によって達成される。 - 特許庁
In the optical waveguide 2, total reflection mirrors 5 and 6 formed by dry etching are provided.例文帳に追加
光導波路２中にはドライエッチングによって形成された全反射鏡５及び６が設けられる。 - 特許庁
The etching solution is composed of (1) 99 wt.% or more tripropylene glycol monomethyl ether for the total etching solution, (2) 0.4 wt.% or less water for the total etching solution, (3) hydrogen fluoride, and (4) one or two of amine selected from a group composed of hydroxylamine and ammonia.例文帳に追加
（１）エッチング液全体に対して９９重量％以上のトリプロピレングリコールモノメチルエーテル、（２）エッチング液全体に対して０．４重量％以下の水、（３）フッ化水素、及び（４）ヒドロキシルアミン、及びアンモニアから選択される１種又は２種のアミンからなるエッチング液。 - 特許庁
In the management method of the etching liquid, film thickness of the transparent conductive film 3 of the color filter or the dummy substrate is continuously measured to calculate accumulated total film thickness; and when the accumulated total film thickness reaches a predetermined accumulated total film thickness (1), the etching liquid is supplemented or exchanged.例文帳に追加
カラーフィルタ又はダミー基板の透明導電膜３の膜厚を連続測定して累計膜厚を算出し、累計膜厚が、予め設定された累計膜厚（１）に達した時点で、エッチング液を補充、或いは更新するエッチング液の管理方法。 - 特許庁
例文
In this method, the alkaline etching is treated after the acid etching, the concentration of the alkaline etchant is set to be 8 mol/l or more, and the etching rate of the acid etching is set to be 0.2 μm/sec or more in total in the front and rear surfaces of the silicon wafer.例文帳に追加
この特徴ある構成は、酸エッチングの後にアルカリエッチングが行われ、アルカリエッチング液の濃度を８ｍｏｌ／ｌ以上とし、かつ酸エッチングのエッチングレートをシリコンウェーハの表面と裏面を合わせた合計で０．２μｍ／秒以上とするところにある。 - 特許庁