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アルシンを含むの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 6件
例文
さらに、分解により生成したホスフィン及び／またはアルシンと炭化水素を含むガスを、ホスフィン及び／またはアルシンの乾式浄化剤と接触させて浄化する。例文帳に追加
The gas containing phosphine and/or arsine and hydrocarbon generated by decomposition is brought into contact with a dry type purification agent for phosphine and/or arsine for purification. - 特許庁
さらに、吸着剤から脱着したホスフィン及び／またはアルシンと炭化水素を含むガスを、ホスフィン及び／またはアルシンの乾式浄化剤と接触させて浄化する。例文帳に追加
In addition, the gas containing the phosphine and/or the arsine and the hydrocarbon desorbed from the adsorbent is purified by contact with a dry type purification agent of the phosphine and/the arsine. - 特許庁
Ｖ族元素を含む金属を酸に溶解する際にアルシンやホスフィンが発生しない簡便な金属の溶解方法を提供する。例文帳に追加
To provide a simple method for dissolving metals without generating arsine or phosphine when dissolving the metals including elements of the V group into acids. - 特許庁
トリアリールホスフィン又はトリアリールアルシン化合物からなる配位子を含む、特定式で表される遷移金属錯体を、遷移金属化合物として５０ｍｏｌ％以上の純度で含有する重合触媒でもってα−オレフィン等を共重合する。例文帳に追加
The α-oleifin-based polymerization catalyst is a polymerization catalyst containing 50 mol% or more of a degree of purity of a transition metal complex, which is represented by specific formula (1), comprising a ligand made by new triarylphosphine and triarylarsine compounds as a transition metal compound used for copolymerizing an α-oleifin or the like. - 特許庁
例文
有害成分として、ターシャリーブチルホスフィン等の有機燐化合物、あるいはターシャリーブチルアルシン等の有機砒素化合物を含む排ガスの浄化において、急激な発熱及びガス発生を起こす虞がなく、優れた浄化能力で効率よく安全にこれらの有害成分を含む排ガスを浄化することが可能な手段を提供する。例文帳に追加
To provide a means for purifying exhaust gas containing harmful ingredients efficiently and safely with excellent purification ability without causing rapid heat generation and gas generation in purifying the exhaust gas containing as the harmful ingredient organic phosphorus compound such as tertiary butylphosphine or organic arsenic compound such as tertiary butylarsine. - 特許庁
例文
クラッド層１７を成長させる際、クラッド層１７を成長させる前に、半導体基板１０が収容されたチャンバ内にアルシン及びホスフィンを供給することにより、アライメントマーク１５の内面の表層部分のＰの一部をＡｓに置換して、該表層部分をＩｎＡｓＰを含む層に改質する。例文帳に追加
Arsine and phosphine are supplied to a chamber in which a semiconductor substrate 10 is placed in growing the clad layer 17 before the clad layer 17 grows to substitute a part of P on a surface layer of inside of the alignment mark 15 with As and to reform the surface layer into a layer including InAsP. - 特許庁
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