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キャリア耐性の部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 55件
例文
したがって，ホットキャリアの発生位置をシリコン基板１０２の深部に移動させ，ＭＯＳＦＥＴ１１０のホット**キャリア耐性が向上する。例文帳に追加
Accordingly, a position where hot carrier occurs is moved to a deep part of the silicon substrate 102, and the hot carrier resistance of the MOSFET 110 is improved. - 特許庁
染色キャリアに対する耐性の優れたポリウレタン繊維及び伸縮性布帛例文帳に追加
POLYURETHANE FIBER AND STRETCH FABRIC EACH HIGHLY RESISTANT TO DYEING CARRIER - 特許庁
ホット**キャリア耐性が高いＦＥＴを備える半導体装置およびその製造方法を提供する。例文帳に追加
To provide a semiconductor device equipped with FET having high hot carrier resistance. - 特許庁
本発明は、ホット**キャリア耐性を向上させた半導体装置を提供することを目的とする。例文帳に追加
To provide a semiconductor device that has improved the hot carrier resistance. - 特許庁
例文
ホット**キャリア耐性の劣化を防止することができる半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加
To provide a method for manufacturing a semiconductor device capable of preventing the resistance to hot carriers from degrading. - 特許庁
例文
複数の電界効果トランジスタを備える半導体装置のホット**キャリア耐性を向上させる。例文帳に追加
To improve the hot carrier resistance of a semiconductor device provided with a plurality of electric field-effect transistors. - 特許庁
ホット*キャリア耐性を低下させることなく静電気放電*耐性**を高めることのできるＩ／Ｏ回路を備えた半導体集積回路を提供する。例文帳に追加
To provide a semiconductor integrated circuit having an I/O circuit which can enhance electrostatic discharge resistance without lowering hot carrier resistance. - 特許庁
これにより、ドレインバイアスを印加した時のインパクトイオン化によって生じる電流を低減し、ホットキャリアに起因する特性劣化を抑えてホット**キャリア耐性を向上させ、複数種の電源電圧に対応させる。例文帳に追加
This reduces the current generated by impact ionization, when a drain bias is applied and improves the hot carrier resistance, by suppressing the characteristic deterioration due to hot carriers, to be made to correspond to a plurality of kinds of power supply voltages. - 特許庁
これにより、ドレインバイアスを印加した時のインパクトイオン化によって生じる電流を低減し、ホットキャリアに起因する特性劣化を抑えてホット**キャリア耐性を向上させ、複数種の電源電圧に対応させる。例文帳に追加
Consequently, a current generated by impact ionization, when drain bias is applied is reduced to improve hot carrier resistance by suppressing characteristic deterioration due to the hot carriers, and to enable one semiconductor device to correspond to a plurality of kinds of power supply voltages. - 特許庁
例文
高血清耐性、高被覆効率および高トランフェクション効率を有する脂質キャリアおよびその製造方法を提供する。例文帳に追加
To provide a lipid carrier having high serum resistance, high coating efficiency and high transfection efficiency, and to provide its production method. - 特許庁
例文
ホット**キャリア耐性が高いＦＥＴを備える半導体装置および半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加
To provide a semiconductor device equipped with FET having high hot carrier resistance. - 特許庁
製造時におけるゲート絶縁膜への損傷を防止しながら、ホットキャリアに対する耐性を向上できるにようにする。例文帳に追加
To prevent a damage of a gate insulating film in manufacturing and to improve a resistance to a hot carrier. - 特許庁
ゲート電極層１７ＤがＬＤＤ領域１６に対してオーバーラップする構成であるので、ホット**キャリア耐性が向上する。例文帳に追加
The gate electrode layer 17D is formed overlapping with the LDD area 16 so that hot carrier resistance is improved. - 特許庁
位相雑音に耐性をも考慮しながら、パイロット・サブキャリアから検出される位相変移を基に精度の高い位相補正を行なう。例文帳に追加
To make high-precision phase corrections based upon a phase shift detected from a pilot subcarrier while taking tolerance of a phase noise into consideration. - 特許庁
ホット**キャリア耐性が高いＦＥＴを備える半導体装置および半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加
To provide a semiconductor device which is provided with an FET with high hot carrier resistance, and to provide a method of manufacturing the semiconductor device. - 特許庁
駆動回路を形成するｎチャネル型ＴＦＴ３０２に設けられたＬＤＤ領域２０７はホットキャリア注入に対する耐性を高める。例文帳に追加
An LDD region 207, formed in an n-channel TFT 302 working as a drive circuit improves resistance with respect hot carrier injection. - 特許庁
ホット*キャリア耐性の劣化を抑制しつつ、低消費電力化とサージ*耐性**の向上とを実現しうるＭＩＳ型半導体装置及びその製造方法を提供する。例文帳に追加
To provide an MIS semiconductor device capable of suppressing deterioration in hot carrier resistance and decreasing power consumption and increasing surge resistance, and to provide a method for manufacturing the MIS semiconductor device. - 特許庁
ゲート電極中に含まれる不純物の拡散を防止することができ、さらに、ゲート絶縁膜の信頼性及びホット**キャリア耐性を向上させることができる半導体装置及びその製造方法を得る。例文帳に追加
To provide a semiconductor device and its manufacturing method that can prevent diffusion of the impurities contained in the gate electrode and improve the reliability of the gate insulation film and the durability of the hot carriers. - 特許庁
動作電圧が異なる半導体装置同士を接続する入出力回路装置を高電圧で且つ十分なホット**キャリア耐性を持たせられるようにする。例文帳に追加
To give sufficient hot carrier robustness at a high voltage to an input and output circuit device which connects semiconductor devices having different operation voltages. - 特許庁
このとき下部サセプタ１２の少なくとも半導体基板７０と対向する面には、例えば熱分解炭素膜等、キャリアガスに対するエッチング耐性の高い膜材１６をあらかじめ成膜しておく。例文帳に追加
At least the surface facing the semiconductor substrate 70 of the lower susceptor 12 is previously coated with a film material 16 having high etching resistance to the carrier gas, such as a pyrolytic carbon film. - 特許庁
少数キャリアが注入される電圧を低下させ、十分なサージ電流耐性を有するワイドバンドギャップ半導体を用いた半導体整流装置を提供する。例文帳に追加
To provide a semiconductor rectifier using a wide band-gap semiconductor that reduces a voltage in which minority carriers are injected and has sufficient surge current resistance. - 特許庁
配線回路パターンのエッチング性やメッキ耐性を低下させることなく、耐マイグレーション特性を著しく向上させた半導体キャリア用フィルム及びその製造方法を提供する。例文帳に追加
To provide a semiconductor-carrier film and its manufacturing method by which migration resistance characteristic is significantly improved without deteriorating etching characteristic and solder resistance. - 特許庁
トナーに対して適切に制御された正の帯電特性を示し、かつ環境変動への耐性を有し、これらの帯電特性及び良好な画質を長期にわたって持続できる静電潜像現像剤用キャリアを提供すること。例文帳に追加
To provide a carrier for an electrostatic latent image developer, exhibiting a positive electrification characteristic which is properly controlled for a toner, having a resistant property against environmental fluctuation, and capable of maintaining the electrification characteristic and the proper image quality for a long period. - 特許庁
十分に高いオン電流と、十分に低いオフ電流を両立させ、かつ、ホット**キャリア耐性に優れたＧＯＬＤ構造を有するＴＦＴを安定的に製造する方法を提供する。例文帳に追加
To obtain a method manufacturing stably a TFT having a GOLD structure which realizes both a sufficiently high on-current and a sufficiently low off-current and is excellent in hot carrier endurance. - 特許庁
小数キャリアが注入される電圧を低下させ、十分なサージ電流耐性を有するワイドバンドギャップ半導体を用いた半導体整流装置を提供する。例文帳に追加
To provide a semiconductor rectifier using a wide band-gap semiconductor that reduces a voltage in which minority carriers are injected and has sufficient surge current resistance. - 特許庁
ゲート電極中に含まれる不純物の拡散を防止することができ、さらに、ゲート絶縁膜の信頼性及びホット**キャリア耐性を向上させることができる半導体装置及びその製造方法を得る。例文帳に追加
To provide a semiconductor device and a method of manufacturing the same for preventing diffusion of impurities included in a gate electrode, and improving the reliability and resistance to hot carriers of a gate insulating film. - 特許庁
小数キャリアが注入される電圧を低下させ、十分なサージ電流耐性を有するワイドバンドギャップ半導体を用いた高耐圧半導体整流装置を提供する。例文帳に追加
To provide a high voltage semiconductor rectifier which reduces a voltage at which a minority carrier is injected and which uses a wide bandgap semiconductor having a sufficient surge current resistance. - 特許庁
折り曲げ等の物理的変化にも強い耐性を示す回路基板、折り曲げ後のキャリア移動度の劣化が少ない、薄膜トランジスタ素子並びに有機薄膜トランジスタ素子及び有機薄膜トランジスタ素子シートを提供する。例文帳に追加
To provide a circuit board strongly resistant to a physical change such as bending, a thin-film transistor element having a small deterioration in carrier mobility after the bending, and an organic thin-film transistor and an organic thin-film transistor element sheet. - 特許庁
従来の１重ＬＤＤ層及び２重ＬＤＤ層構造のＭＯＳＦＥＴよりもホット**キャリア耐性を改善し、１重ＬＤＤ層構造のものよりも高駆動能力化する。例文帳に追加
To provide a higher driving capacity than with a single LDD structure by improving hot carrier resistance compared to a concentional MOSFET of single LDD layer and double LDD layer structure. - 特許庁
トレンチ横型ＭＯＳＦＥＴについて、プロセス工数もデバイスピッチも増やさず、デバイスの耐圧・ＲｏｎＡ特性を損なうことなく、ホット**キャリア耐性を改善できる絶縁ゲート型半導体装置を提供すること。例文帳に追加
To provide an insulation gate type semiconductor device which is capable of enhancing hot carrier resistance without increasing the number of process steps or a device pitch for a trench lateral-type MOSFET and without damaging voltage resistance/RonA characteristics of the device. - 特許庁
ＬＤＤ（ライトリィ・ドープト・ドレイン）構造を有するＭＯＳ型トランジスタにおいて、ホット**キャリア耐性を向上させると共に、高周波領域でのゲート−ドレイン間容量の低減により周波数特性を改善する。例文帳に追加
To improve hot carrier resistance, and to improve frequency characteristics by reducing gate/drain capacitance in a high frequency region in an MOS transistor having an LDD(lightly-doped drain) structure. - 特許庁
部分セグメント抽出部９１２は、ＦＦＴ部９０５から得られたキャリア信号から、誤り耐性の高い変調方式で伝送された階層に属するセグメントを抽出する。例文帳に追加
A partial segment extractor 912 extracts a segment belonging to a hierarchy transmitted in a high error resistance modulation system from a carrier signal obtained from an FFT unit 905. - 特許庁
ホット**キャリア耐性の劣化を抑制することが可能な、０．２μｍ以下のゲート長を有するゲート電極を備える電界効果トランジスタ、半導体記憶装置およびそれらの製造方法を提供する。例文帳に追加
To provide a field effect transistor which can suppress deterioration of hot carrier resistance and has a gate electrode, having a gate length of not larger than 0.2 μm, and to provide a semiconductor storage device, and the manufacture method. - 特許庁
半導体基板表面より上層の多層構造を形成する際に熱処理が行われたとしてもセルトランジスタのホット**キャリア耐性の悪化を抑制できるようにする。例文帳に追加
To suppress the degradation of the hot carrier resistance of a cell transistor even if a thermal treatment is carried out when a multilayered structure in a layer above the surface of a semiconductor substrate is formed. - 特許庁
キャリア溶剤に対して耐性が高く、且つ実用的に高感度な液体現像用電子写真感光体と、該感光体を備えた湿式現像方式の液体現像電子写真装置を提供する。例文帳に追加
To provide an electrophotographic photoreceptor for liquid development which has high durability against a carrier solvent and is practically highly sensitive and to provide a liquid development electrophotographic device in a wet development system equipped with the photoreceptor. - 特許庁
ｎチャネルＭＯＳトランジスタのホット**キャリア耐性の劣化と、ｐチャネルＭＯＳトランジスタのしきい値電圧のシフト量の増加を防止ないし抑制できる半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加
To provide a method of manufacturing a semiconductor device, capable of preventing or suppressing deterioration of hot-carrier resistance of N-channel MOS transistor and increased the shift in threshold voltage of P-channel MOS transistors. - 特許庁
高耐圧素子および低耐圧素子の特性を低下させることなく、ホット**キャリア耐性を向上させることのできる半導体装置およびその製造方法を提供すること。例文帳に追加
To provide a semiconductor device with improved hot carrier resistance without deteriorating the characteristics of a high withstand voltage element and a low withstand voltage element, and to provide a method for manufacturing the same. - 特許庁
炭化珪素基板を用いた半導体装置において、ノーマリーオンにならず、しかも高いホット*キャリア耐性や、高パンスルー*耐性**、あるいは、高チャネル移動度を有する埋め込みチャネル領域型トランジスタである半導体装置の製造方法を提供することを目的としている。例文帳に追加
To provide the manufacturing method of a semiconductor device of a buried channel area-type transistor which uses a silicon carbide substrate, is not normally turned on, and has high hot carrier resistance, high punch through resistance or high channel mobility. - 特許庁
シリコン窒化膜４１は上層膜の形成時における水素の拡散を遮へいし、特に、Ｎ＋ポリＮＭＯＳ２７のホット**キャリア耐性の劣化を防止し、ポリシリコン抵抗体３５の抵抗値の制御性及び安定性を向上させる。例文帳に追加
The silicon nitride film 41 cuts off the diffusion of hydrogen during the formation of upper-layer films to improve, specially, deterioration in the hot-carrier resistance of the N+ poly-NMOS 37 and the controllability and stability of the resistance value of the polysilicon resistor 35. - 特許庁
トナーに対して適切に制御された帯電量を示し、かつ環境変動への耐性を有し、これらの帯電特性及び良好な画質を長期にわたって持続できる静電潜像現像剤用キャリア、静電潜像現像剤、及びこれらを用いた画像形成方法の提供である。例文帳に追加
To provide a carrier for an electrostatic latent image developer which ensures an appropriately controlled charge amount for a toner, has resistance to environmental variation, and retains these electrostatic properties and good image quality over a prolonged period of time, and also to provide an electrostatic latent image developer and an image forming method using the same. - 特許庁
したがって，半導体装置１００では，拡散抑止膜１２６によりシリコン基板１０２側への水素や窒素の拡散が抑制ないし防止され，サイドウォール１２２下におけるトラップ・界面準位の発生が抑制され，ＭＯＳＦＥＴ１１０のホット**キャリア耐性が向上する。例文帳に追加
Accordingly, in the device 100, the diffusion of the hydrogen or the nitrogen to the side of the substrate 102 is suppressed or prevented by the film 126, generation of a trap-interfacial level under the sidewalls 122 is suppressed, and the hot carrier resistance of the MOSFET 110 is improved. - 特許庁
樹脂基板やフィルム支持体を用いて素子を構成しても、電極や絶縁膜の接着性に優れ、機械的強度に優れて支持体の曲がりにも強い耐性を有し、かつキャリア移動度等のトランジスタ特性に優れる有機薄膜トランジスタ素子を提供する。例文帳に追加
To provide an organic thin film transistor element which has an excellent bonding property of an electrode and an insulation film, has extreme mechanical strength also showing higher resistivity to the bending of a supporting member, and ensures an excellent transistor characteristic such as carrier mobility or the like. - 特許庁
送信装置から受信するパイロット信号などの信号を復調する際の演算量を減少させ、シンボル間干渉やキャリア間干渉やコード間干渉に対する耐性を高め、伝搬路推定の精度を向上させることができる受信装置及び受信方法を提供する。例文帳に追加
To provide a receiving apparatus and method in which precision of propagation path estimation is improved by decreasing computational complexity in demodulating a signal such as a pilot signal received from a transmitting apparatus and improving immunity to inter-symbol interference, inter-carrier interference, and multi-code interference. - 特許庁
絶縁ゲート型半導体装置の製造方法及び絶縁ゲート型半導体装置に関し、ゲート絶縁膜中および界面へ導入された窒素に起因するゲート絶縁膜中の電荷捕獲準位及び界面準位の発生を抑制し、ホット**キャリア耐性を向上する。例文帳に追加
To provide a method by which an insulated gate semiconductor device is improved in hot carrier resistance by suppressing the occurrence of a charge capturing level and an interfacial level in a gate insulating film caused by nitrogen introduced into the film and the interface of the film. - 特許庁
ソース層とドレイン層とが交互に形成された素子領域を有していながら、該素子領域の外周付近での電流（キャリア）の集中を緩和して、ＥＳＤ（静電気放電）等に起因するサージに対する耐性のさらなる強化を図ることのできる半導体装置を提供する。例文帳に追加
To provide a semiconductor device which further reinforces durability against surge due to ESD (electrostatic discharge) or the like by mitigating the concentration of a current (carrier) near the outer periphery of an element region while having the element region formed of a source layer and a drain layer alternately. - 特許庁
トナーに対して適切に制御された正の帯電量を示し、かつ環境変動への耐性を有し、これらの帯電特性及び良好な画質を長期にわたって持続できる静電潜像現像剤用キャリア、静電潜像現像剤、及びこれらを用いた画像形成方法の提供である。例文帳に追加
To provide a carrier for an electrostatic latent image developer, exhibiting a positive electrification amount which is properly controlled for a toner, having a resistant property against environmental fluctuation, and capable of maintaining the electrification characteristic and the proper image quality for a long period of time, the electrostatic latent image developer, and an image forming method using the same. - 特許庁
炭化珪素基板を用いた半導体装置において、埋め込みチャネル型のＭＩＳトランジスターとし、その構造や炭化珪素基板の面方位を最適化することによりノーマリーオンにならず、しかも高いホット*キャリア耐性や、高パンスルー*耐性**、あるいは、高チャネル移動度を有する埋め込みチャネル領域型のトランジスターである半導体装置を提供する。例文帳に追加
To provide a semiconductor device which is constituted in an embedded channel region type transistor that is normally not turned on and has a high hot carrier resistance, a high punch through resistance, or high channel mobility, by optimizing the structure of a buried channel type MIS transistor using a silicon carbide substrate or the plane orientation of the substrate. - 特許庁
これにより，高い収容電圧（Ｖ_ａｃｃ），低い放電電圧（Ｖ_ｄｉｓ），サイクリングに対する優秀な機械的摩耗性，及びオゾン，キャリア流体，及び汚染物質に対する優秀な化学的耐性を提供する少なくとも一つの塩化合物を有するオーバーコート層を有する有機感光体を容易に得られる。例文帳に追加
The organic photoreceptor is easily obtained which has the overcoat layer comprising at least one salt compound and provides high accommodation voltage (V_acc), low discharge voltage (V_dis) and excellent mechanical wear resistance to cycling, and excellent chemical resistance to ozone, carrier fluids and contaminants. - 特許庁
マルチフォトン構造の有機ＥＬ素子において、従来の中間層の構成で生じていた電荷移動錯体による可視領域の光吸収を抑制し、かつ、該中間層のカウンターキャリアに対する耐性を向上させることにより、素子の高効率化および長寿命化が図られた有機ＥＬ素子を提供する。例文帳に追加
To provide an organic EL element in which achievement of high efficiency and life-prolongation of the element are promoted by suppressing absorption of light in a visible region by a charge transfer complex that is used to occur in a conventional intermediate layer constitution in the organic EL element having multiple photon structure, and by improving resistance property of the intermediate layer against counter-carriers. - 特許庁
例文
薬剤的に許容可能なキャリアと、化学式（Ｉ）の（Ｚ）−ブチリデンフタリド、（Ｚ）−ブチリデンフタリドの薬剤的に許容可能な塩、（Ｚ）−ブチリデンフタリドの薬剤的に許容可能なエステル、及びこれらの組み合わせからなる群より選択された有効量の活性成分と、を含む、脳腫瘍を治療するための医薬組成物、又は脳腫瘍細胞のテモゾロミド耐性を低減させるための医薬組成物。例文帳に追加
The pharmaceutical composition for treating encephaloma, or the pharmaceutical composition for reducing the temozolomide resistance of encephaloma cell, comprises a pharmaceutically acceptable carrier, and an effective amount of an active ingredient selected from the group consisting of (Z)-butylidene phthalide of chemical formula (I), a pharmaceutically acceptable salt of (Z)-butylidene phthalide, a pharmaceutically acceptable ester of (Z)-butylidene phthalide, and their combinations. - 特許庁