weblio英語例文検索 (original) (raw)
コンタクト表面の部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 844件
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 .... 16 17 次へ＞
例文
表面実装コンタクト例文帳に追加
SURFACE MOUNTED CONTACT - 特許庁
コンタクトパッドは活性表面の上に配置されている。例文帳に追加
The contact pad is disposed on the active surface. - 特許庁
表面処理コンタクトレンズおよび製造方法例文帳に追加
SURFACE TREATED CONTACT LENS AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME - 特許庁
含水性コンタクトレンズの表面処理方法及びそれによって得られた含水性コンタクトレンズ例文帳に追加
SURFACE TREATMENT METHOD FOR HYDROUS CONTACT LENS AND HYDROUS CONTACT LENS OBTAINED BY METHOD - 特許庁
例文
水溶性のキトサン誘導体を含有するコンタクトレンズ用溶液、該コンタクトレンズ用溶液をコンタクトレンズの保存及び／又は洗浄に使用する方法、並びに、該コンタクトレンズ用溶液にコンタクトレンズを接触あるいは浸漬するコンタクトレンズ表面の親水性化方法。例文帳に追加
Disclosed are the solution for contact lens which contains a water-soluble chitosan derivative, a method of using the solution for contact lens to store and/or wash the contact lens, and a method for making the contact lens surfaces wettable by bringing or dipping the contact lens into contact with or in the solution for contact lens. - 特許庁
例文
また、燃料極表面に燃料極コンタクト層、空気極表面に空気極コンタクト層をそれぞれ被覆するのが好ましい。例文帳に追加
It is preferable that a fuel electrode contact layer is covered on the surface of the fuel electrode and an air electrode contact layer is covered on the surface of the air electrode respectively. - 特許庁
ここで、各コンタクト領域の表面は、コンタクト領域に取り付けられるホルダ領域の表面よりも小寸法である。例文帳に追加
A surface of the each contact area is smaller in size than a surface of a holder area attached to the contact area. - 特許庁
プラズマ処理装置及びコンタクトプローブの表面改質方法例文帳に追加
PLASMA TREATMENT APPARATUS AND SURFACE MODIFYING METHOD OF CONTACT PROBE - 特許庁
少なくとも１つのコンタクト片（２２）の第２の端部域（２８）に凸面の表面区分（３２）が設けられており、該表面区分を以てコンタクト片（２２）が雄コネクタ構成部材（１２）のコンタクトピン（１８）に接触するようにした。例文帳に追加
A surface segment 32 having a projecting face is provided on the second end part area 28 of at least one contact piece 22, and the contact piece 22 is brought into contact with the contact pin 18 of a male connector component 12 by this surface segment. - 特許庁
例文
コンタクトレンズの眼球の瞳孔の表面に位置するコンタクトレンズ部分と、その周りにある虹彩の表面に位置するコンタクトレンズ部分はつながっている。例文帳に追加
A contact lens part to be positioned on the surface of a pupil of an eyeball, of a contact lens and a contact lens part to be positioned on the surface of an iris, around that contact lens part are connected. - 特許庁
例文
コンタクト外表面にはＰＴＦＥ入り無電解ニッケルメッキ層２２を５μm施し、そのコンタクト性を向上させている。例文帳に追加
A 5 μm thickness electroless nickel plated layer 22 containing PTFE is applied to the outer surface of the contact 20 to improve its contact property. - 特許庁
親水化表面を有するシリコーンハイドロゲルからなるソフトコンタクトレンズの製造方法及びソフトコンタクトレンズ例文帳に追加
METHOD OF MANUFACTURING SOFT CONTACT LENS CONSISTING OF SILICONE HYDROGEL HAVING HYDROPHILIC SURFACE AND SOFT CONTACT LENS - 特許庁
コンタクトレンズの表面の親水性を向上させる作用を有するコンタクトレンズ溶液を提供する。例文帳に追加
To provide a contact lens solution that makes the hydrophilicity of the surfaces of a contact lens improved. - 特許庁
そのため、コンタクト層の製膜面積を大きく取ることができ、コンタクト層と表面電極の位置あわせ精度を緩和することが可能となる。例文帳に追加
Therefore, the film formation area of the contact layer can be made large, and the aligning precision can be relaxed between the contact layer and the surface electrode. - 特許庁
マーク用孔２０Ｍは表面２３Ｓから基板１へ至るコンタクトホールよりも広いが、当該コンタクトホールよりも浅い。例文帳に追加
Although the marking hole 20M is wider than an contact hole reaching the substrate 1 from the surface 23S, the marking hole 20M is shallower than the contact hole. - 特許庁
その後、ｎ型コンタクト層１２およびｐ型コンタクト層１８の表面に対して塩素ガスを用いたＲＩＥを施す。例文帳に追加
Then RIE is performed on the surface of the n-type contact layer 12 and p-type contact layer 18 by using a chlorine gas. - 特許庁
或いは、又はさらに、第１電気コンタクト（１１８）及び第２電気コンタクト（１２０）の表面は、異なる酸化電位を有する材料で覆われる。例文帳に追加
Alternatively or in addition, the surfaces of a first electric contact (118) and a second electric contact (120) are covered by materials having different oxidation potentials, respectively. - 特許庁
半導体ＩＣのファイナルテストの時に使用するＩＣソケットのコンタクトピンの表面を研磨することで、コンタクト性の向上を図る。例文帳に追加
To improve contact by grinding the surface of a contact pin of an IC socket used in the final test of a semiconductor IC. - 特許庁
端子パッド８はコンタクトスルーホール６構造下で形成され、コンタクトパッド８は基板２の上部表面上で形成される。例文帳に追加
Terminal pads 8 are formed under contact through holes 6, and contact pads 22 are formed on the upper surface of a substrate 2. - 特許庁
生物医学材料、特に長期装用コンタクトレンズを含むコンタクトレンズのような製品表面の新規な被覆方法を提供すること。例文帳に追加
To provide a novel method for coating the surface of a biomedical material, particularly the surface of a product such as a contact lens including an extended-wear contact lens. - 特許庁
コンタクトホール１１６ａの表面が外気と接触することがないため、コンタクトホール１１６ａの腐食耐性が大幅に高められる。例文帳に追加
Since the surface of the contact hole 116a is not brought into contact with external air, the corrosion resistance of the contact hole 116a can be drastically improved. - 特許庁
このとき、光取り出し表面と電極との間にオーミックコンタクトを生成させるコンタクト層を設ける。例文帳に追加
At that time, a contact layer to generate an ohmic contact is provided between the light take-out surface and the electrode. - 特許庁
各コンタクトのうち一部のコンタクトの先端部が基板Ｋ１の表面よりも一段下がった位置に設定される。例文帳に追加
The tip parts of the part of contacts of respective contacts are set at a position which is one stage lower than that of the surface of the substrate K1. - 特許庁
低荷重のコンタクトでウエハ全面のパッド表面の酸化膜を確実に破り、ウエハ一括で安定なコンタクトを得る。例文帳に追加
To reliably break an oxide film of a pad surface on the entire surface of a wafer with a contact of a low load to obtain a stable contact in the wafer in a lump. - 特許庁
コンタクトレンズ基材と、該基材表面の少なくとも一部に形成された被膜とを有するコンタクトレンズ材料の製造方法。例文帳に追加
A method for producing the contact lens material composed of a contact lens substrate and a coating film formed on at least part of the substrate surface is provided. - 特許庁
コンタクトレンズの表面の親水性を向上させる作用を有するコンタクトレンズ用溶液を提供する。例文帳に追加
To provide a solution for contact lens which improves wettable of surfaces of a contact lens. - 特許庁
即ち、コンタクトホールパターン表面とコンタクトホール５６の底との間に電荷の偏りができる。例文帳に追加
Namely, deviation of electric charges is generated between a contact hole pattern surface and the bottom of the contact hole 56. - 特許庁
第２のコンタクトホール１０の底面に露出したＰ型ボディ層６の表面にＰ＋型コンタクト層１１を形成する。例文帳に追加
A P+type contact layer 11 is formed on the surface of the P-type body layer 6 exposed to a bottom surface of the second contact hole 10. - 特許庁
また、表面がコンタクトトレンチ１１の底面１３の一部を提供するようにボディコンタクト領域１０を形成する。例文帳に追加
Further, a body contact region 10 is formed such that the surface provides a portion of a bottom surface 13 of the contact trench 11. - 特許庁
リード端子の半田めっきが、コンタクトの表面に半田屑として付着することを抑制して、コンタクト不良を防ぐことを目的する。例文帳に追加
To prevent contacting failure by restraining adhesion of solider plating of a lead terminal to the surface of a contact pin as solder plating chips. - 特許庁
次に、コンタクトホール内を洗浄して、コンタクトホール底面における第２の金属膜表面に形成された変質層を除去する。例文帳に追加
The contact hole is cleaned to remove the deteriorated layer formed on the surface of the second metal film at the bottom surface of the contact hole. - 特許庁
半導体基板１の表面にチャネル層２，コンタクト層３を設け、コンタクト層をパターニングし、絶縁膜４を形成する。例文帳に追加
A channel layer 2 and a contact layer 3 are provided on the surface of a semiconductor board 1 to pattern the contact layer, so as to form the insulation layer 4. - 特許庁
表面電極２１のうち抜き取り部２ｂに形成されたコンタクトホール２０ｂから露出するコンタクト領域２３と対向する部分をそれぞれコンタクト部２１ｄとし、コンタクト部２１ｄと表面パッド５とを結ぶ最短距離の線分Ｌ１上にそれぞれ切り込み部２１ｃを形成する。例文帳に追加
Portions opposite to contact regions 23 exposed from contact holes 20b formed in an extraction portion 2b of a surface electrode 21 are each used as a contact portion 21d, and cut portions 21c are each formed on a line L1 with the shortest distance between the contact portion 21d and a surface pad 5. - 特許庁
そして、コンタクトトレンチ１１の内面とエピタキシャル層３の表面３１とに跨るように、コンタクトプラグ１７を形成し、上記各面におけるソース領域９にコンタクトさせる。例文帳に追加
Then the contact plug 17 is formed across an internal surface of the contact trench 11 and the surface 31 of the epitaxial layer 3, and brought into contact with the source region 9 on respective surfaces. - 特許庁
コンタクトレンズ収納空間の深さが、常態のコンタクトレンズの周縁部に対する湾曲外表面の高さ（コンタクトレンズの厚さ）より浅いパッケージ１８である。例文帳に追加
The package 18 has a storing space for the contact lens, the depth of which is shallower than the height of the curvature outside surface to the rim part of a conventional contact lens (thickness of the contact lens). - 特許庁
動作領域を備えたＮＰＮ型のバイポーラトランジスタにおいて、半導体基板（１）上に形成したエピタキシャル層（２）の表面に、コレクタコンタクト部（１０）、ベースコンタクト部（１１）、エミッタコンタクト部（１２）を設ける。例文帳に追加
In this NPN-type bipolar transistor equipped with an operation region, a collector contact part (10), a base contact part (11) and an emitter contact part (12) are disposed on the surface of an epitaxial layer (2) formed on a semiconductor substrate (1). - 特許庁
第２コンタクトスタッドの表面とコンタクトされるように層間絶縁膜２０４の上部に、第２コンタクトスタッドより大きい幅を有するランディングパッド２１０を含む。例文帳に追加
A landing pad 210, which has a width larger than that of the second contact stud 208b, is provided on the interlayer insulating film 204, in such a way that it is in contact with the surface of the second contact stud 208b. - 特許庁
コンタクトプローブにおいて、コンタクトピン３２ａに光沢金属めっき層４４（平滑金属めっき層）を設けて、コンタクトピン３２ａの先端の表面４４ａを平滑な略球面状に形成する。例文帳に追加
In this contact probe, a gloss metal plating layer 44 (smooth metal plating layer) is formed on a contact pin 32a, and the surface 44a of a tip of the contact pin 32a is formed in an almost spherical shape whose surface is smooth. - 特許庁
このような半導体装置の製造方法により、コンタクトプラグ表面のコンタクト抵抗の増加要因として作用する損傷層を乾式エッチングで除去することにより、コンタクト抵抗を改善させ得る。例文帳に追加
In this way in a manufacturing method for a semiconductor device, the damaged layer 37b as a factor for increasing contact resistance on a surface of the contact plug 37a can be removed in the dry etching step, and the contact resistance can be improved. - 特許庁
パッケージのコンタクトレンズ収納空間の深さが常態のコンタクトレンズの周縁部に対する湾曲外表面の高さより浅いコンタクトレンズパッケージを提供するものである。例文帳に追加
The contact lens package is so configured that the overall internal depth of the contact lens housing space of the package is less than the height of the curved outside surface with respect to the peripheral edge of the contact lens in an ordinary state. - 特許庁
コンタクトスプリング５０のコンタクト部５３のコーナーＲを０．２ｍｍ以上とし、さらに、コンタクト部５３の側部の表面粗さＲｍａｘを０．６μｍ以下とすることによって、コンタクトスプリング５０からのスパークを防止する。例文帳に追加
Sparks caused by the contact spring 50 is prevented as a corner R of a contact section 53 of the contact spring 50 is set up to be 0.2 mm or more and a surface roughness of a side of the contact section 53 is set up to be 0.6 μm or below. - 特許庁
基板１上にバッファ層２、中間層３、第一のコンタクト層４a、第一のクラッド層５、活性層６３、第二のクラッド層７、第二のコンタクト層４bを形成し、さらに第一のコンタクト層４aと第二のコンタクト層４bの表面上に絶縁膜８を設け、電極９を設けている。例文帳に追加
A buffer layer 2, an intermediate layer 3, a first contact layer 4a, a first clad layer 5, an active layer 6, a second clad layer 7 and a second contact layer 4b are formed on a board 1, an insulating film 8 is provided on the surface of the layer 4a and the layer 4b, and an electrode 9 is provided. - 特許庁
コンタクト電極１５が形成された後には、ｐ型ＧａＮ層３からコンタクト電極１５上に至る領域にｎ型ＧａＮ層４が形成され、このｎ型ＧａＮ層４の表面からコンタクト電極１５に至るコンタクトホール１４が形成される。例文帳に追加
After the contact electrode 15 is formed, an n-type GaN layer 4 is formed in a region from the p-type GaN layer 3 to the contact electrode 15, and a contact hole 14 from the surface of the n-type GaN layer 4 to the contact electrode 15 is formed. - 特許庁
処理面にコンタクトプローブ１のコンタクトピン２ａの先端を押圧接触させてコンタクトピン２ａの先端を処理するコンタクトピン先端処理板３３において、処理板３３の表面に純金をメッキしてメッキ層３４を形成する。例文帳に追加
In a contact pin tip treatment plate 33 where the tip of a contact pin 2a of a contact probe 1 is pressed to and brought into contact with a treatment surface for treating the surface of the contact pin 2a, a plated layer 34 is formed by plating pure gold to the surface of the treatment plate 33. - 特許庁
相変化メモリ素子は、コンタクトプラグ２７を備える下部構造体と、コンタクトプラグ２７の表面からコンタクトプラグ２７の内部に延びて形成されたナノワイヤ２８と、コンタクトプラグ２７上に形成された相変化膜２９とを備える。例文帳に追加
A phase transformation memory element comprises a lower structure having a contact plug 27, a nanowire 28 formed by extending from the surface of the contact plug 27 to the inside of the contact plug 27, and the phase transformation film 29 formed on the contact plug 27. - 特許庁
II-VI族半導体素子において、多層コンタクト層の最表面ＢｅＴｅ層の酸化を防止する。例文帳に追加
To prevent oxidization of the outermost surface BeTe layer of a multilayer contact layer in a II-VI semiconductor device. - 特許庁
角膜表面やコンタクトレンズの濡れを改善する粘膜適用組成物を提供する。例文帳に追加
To provide a composition applicable to mucosa for improving wetting of corneal and contact lens surfaces. - 特許庁
ｐ型炭化珪素エピタキシャル層３の表面層に、ｐ^+コンタクト領域６を形成する。例文帳に追加
A p^+ contact region 6 is formed on the surface layer of a p-type silicon carbide epitaxial layer 3. - 特許庁
ｐ型炭化ケイ素領域４の表面にｐ型コンタクト電極５が形成されている。例文帳に追加
A p-type contact electrode 5 is formed on the surface of the p-type silicon carbide region 4. - 特許庁
例文
広禁制帯幅半導体層１ａの表面には、コンタクト膜２３ａ，２４ａが形成されている。例文帳に追加
Contact films 23a, 24a are formed on the surface of the wide forbidden band semiconductor layers 1a. - 特許庁