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例文

An annealing device 1 which continuously anneals the long-sized objects A worked in a fore stage and an aligning take-up device which takes up the annealed long-sized objects A' annealed by the annealing device 1 directly on a take-up jig 4 for a pot stage.例文帳に追加

前工程で加工された長尺物Ａを連続的に焼鈍する焼鈍装置１と、焼鈍装置１によって焼鈍された焼鈍長尺物Ａ’を後工程用の巻き治具４に直接巻き取る整列巻取り装置。 - 特許庁

An annealing furnace for steel sheet which anneals the steel sheet 100 while conveying the steel sheet 100, is provided with first to sixth hearth rolls 4_1-4_6 which are rotatably supported on a furnace body 3 and convey the steel sheet 100, and a controlling part 5 for controlling the number of rotations of the first to sixth hearth-rolls 4_1-4_6.例文帳に追加

焼鈍炉は、鋼板１００を搬送しながら鋼板１００を焼鈍する鋼板の焼鈍炉において、炉体３に回転自在に支持され、鋼板１００を搬送する第１〜第６のハースロール４_１〜４_６と、第１〜第６のハースロール４_１〜４_６の回転数を制御する制御部５と、を備える。 - 特許庁

The forming method of the doped PCMO thin-film layer which can be applied to RRAM and includes a process that prepares a PCMO precursor solution having a transition metal additive in it, a process that spin-coats a doped PCMO spin coating solution onto a wafer surface and anneals the same after sintered, a process that repeats spin coating several number of times and a process that further performs annealing.例文帳に追加

ＲＲＡＭに適用出来るドープされたＰＣＭＯ薄膜層の形成方法であって、その中に遷移金属添加物を有するＰＣＭＯ前躯体溶液を準備する工程と、ドープされたＰＣＭＯスピンコーティング溶液をウェハ表面上にスピンコーティングし焼成後アニーリングする工程と、前記スピンコーティングを複数回繰り返す工程と、さらにアニーリングする工程とを含む。 - 特許庁

The heat treatment apparatus includes a curing unit which heats the liquid crystal sealing member formed in the liquid crystal display panel, an annealing unit which anneals the liquid crystal sealed with the liquid crystal sealing member, and a transporting unit which transports the liquid crystal panel to between the curing unit and annealing unit.例文帳に追加

本体、液晶表示パネルの内部に形成された液晶密封部材を加熱するキュアリングユニット、液晶密封部材によって密封された液晶をアニーリングするアニーリングユニット、及び液晶表示パネルをキュアリングユニットとアニーリングユニットとの間に移送する移送ユニットを含む。 - 特許庁

例文

When MOS structure is formed on (0001) face of hexagonal silicon carbide single crystal, after the crystal surface is oxidized under a given temperature in an oxygen atmosphere, the oxygen atmosphere of oxidation temperature, 1150±50°C which is obtained in a state of low ratio of oxygen to hydrogen being 0.1 to 1 by hydrogen injection anneals a single crystal formed by oxide film.例文帳に追加

六方晶炭化ケイ素単結晶の（０００１）面にＭＯＳ構造を作製する際に、酸素雰囲気中において所定の温度で結晶表面を酸化した後、水素を注入して酸素と水素の流量比が（０．１対１）の状態で得られる酸化温度１１５０±５０℃の酸化雰囲気を用いて、酸化膜が形成された単結晶を焼鈍する方法。 - 特許庁