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connected regionsの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 429

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例文

In this manner, the bottoms of the source of drain diffusion regions and body regions are also connected.例文帳に追加

このようにして、ソースまたはドレインの拡散領域の底面ならびにボディ領域も結合できる。 - 特許庁

Metal wiring 18 is formed which is electrically connected to the P+ regions 5 and the N+ regions 13.例文帳に追加

P+領域5およびN+領域13に電気的に接続される金属配線18が形成されている。 - 特許庁

In a surface-side part of the drift region 1, base regions 3b and source regions 4 are formed, to be connected with the columnar base regions 3a.例文帳に追加

ドリフト領域1の表面側に柱状ベ−ス領域3aに連続するベ−ス領域3bとソ−ス領域4とを設ける。 - 特許庁

The source regions 56a, 56b are connected with a source terminal TS1 and the source regions 56c, 56d are connected with a source terminal TS2.例文帳に追加

ソース領域56a,56bはソース端子TS1に接続され、ソース領域56c,56dはソース端子TS2に接続される。 - 特許庁

例文

Gate electrodes 5 and source electrodes 7 are connected to the gate regions 4 and the source regions 6.例文帳に追加

ゲート領域4およびソース領域6には、それぞれゲート電極5およびソース電極7が接続されている。 - 特許庁

例文

The liquid crystal device has independent pixel electrodes and TFD (thin film diode) elements connected to the electrodes in the respective transmissive regions and reflective regions.例文帳に追加

この液晶装置は、透過領域及び反射領域に各々独立した画素電極及びこれらに接続されたTFD素子を夫々有する。 - 特許庁

Bit lines BL-1 to BL-4 are formed on the active regions 210 and the word lines 222, and electrically connected to the regions of sources and drains.例文帳に追加

アクティブ領域210上かつワード線222上にビット線BL−1〜BL−4を形成し、ソースおよびドレインの領域と電気的に接続する。 - 特許庁

The second and the third wirings have extension portions 12a, 13a, extending to non-wiring regions in the connected regions with the contacted parts.例文帳に追加

第2,第3配線は、コンタクト部との接続領域において、非配線領域に延びるエクステンション部12a,13aを有する。 - 特許庁

Other filter portions can be connected to other substrate regions having different substrate characteristics.例文帳に追加

他のフィルタ部分は、異なる基板特性を有する他の基板領域に接続され得る。 - 特許庁

例文

Each of the reels 8a, 8b and 8c has a plurality of connected pattern regions 42.例文帳に追加

各リール8a,8b,8cは、連なった複数個の図柄領域42を有している。 - 特許庁

例文

This body 3 is provided with the connected regions 3a of the body 3 with the electrode 5 and a plurality of groove parts 3b.例文帳に追加

この受光体3は、電極5との接続領域3aと、複数の溝部3bとを備えている。 - 特許庁

Heater membranes 1 involved in the respective heating regions 11-13 are electrically connected in parallel with each other.例文帳に追加

各発熱領域11〜13に含まれるヒータ膜1は、互いに電気的に並列に接続される。 - 特許庁

Then, the other of the source and drain regions 59 is electrically connected to the capacitor 82.例文帳に追加

そして、ソース・ドレイン領域59の他方はキャパシタ82に電気的に接続されている。 - 特許庁

The respective signal lines in the first and second regions are not electrically connected with each other.例文帳に追加

第1と第2の領域のそれぞれの信号線は電気的に非接続状態である。 - 特許庁

The two regions (13, 17) can be mutually connected in cylindrically extended and jaxtaposed manner.例文帳に追加

領域(13、17)は、シリンダ状に伸びた及び並置した方式で相互接続されうる。 - 特許庁

The region of the array substrate is divided into at least two regions, and backlight under respective regions are driven independently of each other, and lead wires disposed in positions corresponding to respective regions are connected to one circuit by a lead-out IC.例文帳に追加

アレー基板上の領域を少なくとも二つ以上の領域に分けて各領域下部のバックライトを独立に駆動し、各領域の対応する位置に配設されたリード線はリードアウトICで一つの回路と接続する。 - 特許庁

A semiconductor integrated circuit device is equipped with belt-like high-concentration diffused regions 8 and 9 located along the edge of a basic cell row, and the diffused regions 8 and 9 are connected to intra-cell high-concentration diffused regions 4 and 6 formed in the basic cells.例文帳に追加

半導体集積回路装置は、基本セル列の縁部に沿って帯状高濃度拡散層領域8、9を有し、これと各基本セル内に形成したセル内高濃度拡散層領域4、6とを連結する。 - 特許庁

The impurity diffusion regions facing each other across the element isolation region among the impurity regions of the plurality of active regions are electrically connected.例文帳に追加

前記複数の活性領域の前記不純物拡散領域のうち、前記素子分離領域を挟んで向かい合う不純物拡散領域は、電気的に接続される。 - 特許庁

The storage unit stores an evaluation value related to a power transmission load with other regions connected by a power transmission network and a communication network, in association with income and expenditure of power of other regions for each of other regions.例文帳に追加

記憶部は、送電網および通信網で接続された他の領域ごとに、当該他の領域との間の送電負荷に係る評価値と、当該他の領域の電力収支とを対応付けて記憶する。 - 特許庁

Wires 14-1 that are connected to the drive side IC electrodes 151A-1 respectively are routed toward an inner area of the driver IC chip 15, passed through regions corresponding to the regions having no electrodes therein, and connected to drive side electrodes 141.例文帳に追加

駆動側用IC電極151A−1に接続される配線14−1をドライバICチップ15の内側に向けて引き出し、電極非形成領域に対応する領域を通して、駆動側電極部141へ接続することができる。 - 特許庁

The solar cell has a conductive first surface connected to a first one of the conductive regions of the ceramic substrate and an opposing second surface having a conductive contact connected to a second one of the conductive regions.例文帳に追加

太陽電池は、セラミック基板の導電領域のうちの第1の領域に接続される導電性第1表面と、該導電領域のうちの第2の領域に接続される導電性接点を有する反対面の第2表面とを有する。 - 特許庁

A poly-plug 113, being a high resistor, is connected to the respective source regions 104a and 106a, and a tungsten plug 119b being a low resistor is connected to the respective well contact regions 105 and 107.例文帳に追加

各ソース領域104a,106aには高抵抗体であるポリプラグ113が接続され、各ウェルコンタクト領域105,107には低抵抗体であるタングステンプラグ119bが接続される。 - 特許庁

Trench N-regions 28 as N-type semiconductor regions which are formed so as to come into contact with trench gates 26 via gate insulating films 27 such as silicon oxide films or the like and whose impurity concentration is high are connected in a ladder shape in emitter N-regions 30 as N-type semiconductor regions which are shallower than the trench regions 28 and whose impurity concentration is high.例文帳に追加

シリコン酸化膜等のゲート絶縁膜27を介してトレンチゲート26に接するように形成された不純物濃度の高いN型半導体領域であるトレンチN領域28を、このトレンチN領域28より浅い不純物濃度の高いN型半導体領域であるエミッタN領域30で梯子状に接続する。 - 特許庁

When a first semiconductor substrate having element regions arranged two-dimensionally and a second semiconductor substrate having connecting regions arranged two-dimensionally at the same pitch as the element regions are faced each other and the opposite element regions and connecting regions are connected by means of connecting conductors, a force is applied in the direction for separating the first and second semiconductor substrates under the condition where the connecting conductors are fused.例文帳に追加

素子領域が二次元に配列された第1の半導体基板と、素子領域と同じピッチで二次元に配列された接続領域を有する第2の半導体基板を対向させて、接続導体によって互いに対向する素子領域と接続領域とを接続する際に、接続導体を溶融した状態で、第1の半導体基板と第2の半導体基板の間隔が離れる方向に力を作用させる。 - 特許庁

The laser diode device comprises a laser diode body 10 having an active region 2 on a main surface of a structure 1, groove regions 3, 4 arranged on both sides of the active region, and side regions 5, 6 arranged at opposite active region sides of both the groove regions; and an electrode 7A connected to the active region and extended to both the side regions over both the groove regions.例文帳に追加

構造部1の主面に活性領域2と、この活性領域の両側にそれぞれ配設された溝領域3、4と、両溝領域の反活性領域側にそれぞれ配設された側部領域5、6とを有するレーザダイオード本体10及び上記活性領域に接続され上記両溝領域を越えて上記両側部領域に延在する電極7Aを備えた構成とする。 - 特許庁

The photodiode includes a semiconductor substrate 11, a plurality of active regions 12 formed by selective epitaxial growth, and comb-shaped electrodes 13 which are not only disposed opposite to the active regions 12 but also in an intercommunicating manner and electrically connected to the active regions 12.例文帳に追加

半導体基板11と、その上に選択エピタキシャル成長により形成された複数の活性領域12と、それらの活性領域12に対してそれぞれ設けられ、互いに連絡してそれらの活性領域12を電気的に接続する櫛型電極13とからフォトダイオードを構成する。 - 特許庁

As a result, all the regions of the semiconductor layer 13 become of a structure that are connected to either the source electrode 42a or the drain electrode 41a of the LDMOSFET 3a, the potential is fixed over all the regions of semiconductor layer 13, thereby the potential can be stabilized over all the regions of the semiconductor layer 13.例文帳に追加

これにより、半導体層13の全ての領域が、LDMOSFET3aのソース電極42aとドレイン電極41aのいずれかと接続された構造となり、半導体層13の全ての領域で電位が固定されることになり、半導体層13の全ての領域で電位が安定する。 - 特許庁

The plurality of JFETs 10 are connected in parallel by a source electrode 25 connecting source regions 15 to each other, a drain electrode 27 connecting drain regions 17 to each other, and a gate electrode 26 connecting gate regions 16 to each other.例文帳に追加

複数個のJFET10は、ソース領域15同士を接続するソース電極25と、ドレイン領域17同士を接続するドレイン電極27と、ゲート領域16同士を接続するゲート電極26とにより並列に接続されている。 - 特許庁

The case applies a binding force in the predetermined direction to the power storage elements by using a pair of first regions (20) arranged at positions sandwiching the power storage elements therebetween in the predetermined direction and second regions (33, 34) which extend in the predetermined direction and are connected to the pair of first regions.例文帳に追加

ケースは、所定方向において複数の蓄電素子を挟む位置に配置された一対の第1領域(20)と、所定方向に延び、一対の第1領域と接続される第2領域(33,34)とを用いて、複数の蓄電素子に対して所定方向の拘束力を与える。 - 特許庁

Stepped regions 13, 14 of the heat sink 9 are processed as connected regions with the frame on a lead 4 side, so that resin of a resin package 2 wraps around rear faces of the stepped regions 13, 14 to make it difficult for the heat sink 9 to fall off from the resin package 2.例文帳に追加

そして、ヒートシンク9の段差領域13、14が、リード4側のフレームと連結領域として加工されることで、樹脂パッケージ2の樹脂が、段差領域13、14の裏面まで廻り込み、ヒートシンク9が、樹脂パッケージ2から抜け落ち難くなる。 - 特許庁

The semiconductor rectifier device also includes a plurality of third wideband gap semiconductor regions 32 of the second conductivity type, at least a portion of which is connected to the second semiconductor regions, which is formed on a region sandwiched by the first semiconductor regions, and whose width is narrower than that of the second semiconductor region.例文帳に追加

また、少なくとも一部が第2の半導体領域に接続され、第1の半導体領域に挟まれて形成され、第2の半導体領域より幅の狭い、複数の第2導電型の第3のワイドバンドギャップ半導体領域32を備えている。 - 特許庁

The first impurity regions of the bulk transistor, the first impurity regions of the lower thin-film transistor, and the first impurity regions of the upper thin-film transistor, are electrically connected one another via a node plug through the first to third interlayer insulating films.例文帳に追加

前記バルクトランジスタの第1の不純物領域、前記下部薄膜トランジスタの第1の不純物領域、及び前記上部薄膜トランジスタの第1の不純物領域は前記第1ないし第3の層間絶縁膜を貫通するノードプラグを介して互いに電気的に接続される。 - 特許庁

In the semiconductor device, p-type regions on which a metal electrode is placed via an insulating film and which has high impurity concentration in a gate pad electrode region, are formed into a structure in which the regions are mutually connected on a surface by ion implantation and thermal diffusion from a plurality of isolated surface regions.例文帳に追加

ゲートパッド電極領域内であって、金属電極が絶縁膜を介して載置される高不純物濃度のp型領域が、複数の分離表面領域からのイオン注入と熱拡散とにより表面で相互に連結した構造にされている半導体装置とする。 - 特許庁

Drain regions (regions for supplying a pulse voltage to FD portions through reset transistors 3) of unit pixels are connected to different drain lines row by row, so as to selectively supply a power pulse to each row.例文帳に追加

単位画素のドレイン領域(リセットトランジスタ3を介してFD部へパルス電圧を供給するための領域)を1行毎に異なるドレイン線7に接続し、1行毎に選択的に電源パルスを供給する。 - 特許庁

On a part of the top surface of the semiconductor layer 26 within the switching device regions 12 and 16, n-type semiconductor regions 32 and 36 are formed to be connected with electrodes 31 and 35, respectively.例文帳に追加

スイッチング素子領域12、16内の半導体層26の表面部の一部に、電極31、35に接続するn型の半導体領域32、36が形成されている。 - 特許庁

Electrodes 9aa-9am are inserted into the adsorbent regions 4, connected to an electrode 11 and applied with positive voltage, thereby causing current to flow in the adsorbent regions 4.例文帳に追加

吸着性領域4内に電極9aa、9ab…を挿入し、電極11と電極9aa、9ab…を接続して電極9aa、9ab…にプラスの電圧を印加して吸着性領域4に電流を流す。 - 特許庁

Metal regions 221, 222 are arranged on a first side of the ceramic board 21, and two top-surface electrodes of the LED are respectively connected to the metal regions with bonding wires 23.例文帳に追加

セラミック基盤21の第1の側に金属領域221、222が配置され、LEDの2個の上部表面電極はそれぞれこの金属領域に結合線23で結合される。 - 特許庁

The fuse element includes a first region located on the convex part and two second regions located so as to sandwich the first region, the two second regions electrically connected to the pair of electrodes respectively.例文帳に追加

ヒューズエレメントは、凸部上に位置する第1の部位と第1の部位を挟むように位置する2つの第2の部位とを有し、2つの第2の部位が一対の電極にそれぞれ電気的に接続される。 - 特許庁

Between adjacent image cells Ca, well regions 31 and 32 having a conductivity type reverse to that of the substrate are formed and the well regions 31 and 32 are connected with a first high potential power supply.例文帳に追加

隣接する画像セルCaの間には、基板の導電型に対して逆導電型のウェル領域31,32が形成され、そのウェル領域31,32は第1高電位電源に接続されている。 - 特許庁

The source/drain regions 16, 17 of MISFET are respectively formed of a selectively grown silicon layer 22 and a plurality of divided diffusion layer regions 21a that are connected integrally with the selectively grown silicon layer 22.例文帳に追加

MISFETのソース/ドレイン領域16、17はそれぞれ、選択成長シリコン層22と、選択成長シリコン層22によって一括に接続された複数の分割拡散層領域21aとから構成する。 - 特許庁

At least two conductive regions 21 are applied to the conductive layer in the vicinity of the separation gap 20, and the base connection 16 is electrically and/or mechanically connected to the conductive regions 21.例文帳に追加

分離ギャップ(20)の近傍において、少なくとも2つの導電性領域(21)が導電性レイヤに塗布され、口金接続(16)が導電性領域(21)に電気的かつ/または機械的に接続される。 - 特許庁

An active barrier structure comprises p-type regions PE, PR2 and PR3, and n-type regions NE, EP and NR1 connected to a p-type impurity region PSR, respectively and also subjected to ohmic connection so as to be mutually a floating potential.例文帳に追加

アクティブバリア構造は、各々がp型不純物領域PSRに接し、かつ互いにフローティング電位となるようにオーミック接続されたp型領域PE、PR2、PR3とn型領域NE、EP、NR1とを有する。 - 特許庁

A virtual storage device 10 to which electronic equipment 30a, 30b, 30c and 30d are connected defines one virtual storage region, and makes the storage regions of a plurality of the electronic equipment 30a to 30d correspond to the virtual storage regions.例文帳に追加

電子機器30a,30b,30cおよび30dを接続した仮想ストレージ装置10が1つの仮想的な記憶領域を定義し、複数の電子機器30a〜30dの記憶領域をこの仮想的な記憶領域に対応付ける。 - 特許庁

To allow a photo resist film to remain merely in a contact hole connected to the source and drain regions of an MISFET without using any photo masks and to remove the photo resist film at the other regions.例文帳に追加

フォトマスクを用いずにMISFETのソース、ドレイン領域へつながるコンタクトホールにのみフォトレジスト膜を残し、それ以外のフォトレジスト膜を除去する。 - 特許庁

Moreover, power supply lines, that are connected to an external circuit, are divided corresponding to the regions which successively drive the plurality of the scanning signal lines and the regions which simultaneously drive the plurality of the scanning signal lines.例文帳に追加

また、外部回路と接続される電源線が、前記複数の走査信号線を順次に駆動する領域と前記複数の走査信号線を同時に駆動する領域に対応して分割されている。 - 特許庁

In a pants type wearable article folded in such a manner that front and rear torso circumferential regions 2 and 3 overlap with one another, side edge sections 8 and 9 of the front and end torso circumferential regions are connected through a connecting member 6.例文帳に追加

前後胴回り域2,3が重なり合うように折畳まれているパンツ型の着用物品の前後胴回り域の側縁部8,9が連結部材6を介して連結される。 - 特許庁

It is preferable that the high density regions of the electroconductive particles are formed at the top part of equilateral triangles that are arranged without gaps, and that the distance d made by the perpendicular line from the end part of the adjacent high density regions is smaller than the inter-electrode distance to be connected.例文帳に追加

導電性粒子の密集域が、隙間なく並べた正三角形の頂部に形成され、隣接する密集域の端部からの垂線の間隔dが、接続すべき電極間距離よりも小さいと好ましい。 - 特許庁

A capacitor CP10 and source/ drain regions 11 and 13 are connected electrically by contact plugs 101 each inserted into the capacitor CP10 to reach the source/the drain 11 and 13 regions.例文帳に追加

キャパシタCP10とソース・ドレイン領域11および13との電気的な接続は、何れもキャパシタCP10内に挿入され、ソース・ドレイン領域11および13に達するコンタクトプラグ101によってなされている。 - 特許庁

For this purpose, a dummy input/output switch which is not connected to a segment input/output line, is arranged in the sub-hole regions of the bank upper/lower regions.例文帳に追加

このために、バンク上/下部領域のサブホール領域には、セグメント入力/出力ラインに接続されないダミー入力/出力スイッチを配する。 - 特許庁

例文

Thus, when the vibration arms 53, 54 are subjected to bending vibration in a direction shown by an arrow G in the figure, first regions 110, 112 and second regions 111, 113, on which compressive stress or tensile stress act, are connected thermally.例文帳に追加

これにより、図中矢印Gで示す方向に振動腕53,54が屈曲振動したときに圧縮応力または伸張応力が作用する第1の領域110,112と第2の領域111,113とが熱的に接続されている。 - 特許庁

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