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cviを含む例文一覧と使い方
該当件数 : 26件
例文
CVI [cvi] 例文帳に追加
＝106. - 研究社 新英和中辞典
(cvi) chlorotrifluoroethane; HCFC-133 例文帳に追加
百六 クロロトリフルオロエタン（別名ＨＣＦＣ―一三三） - 日本法令外国語訳データベースシステム
PRESSURE GRADIENT CVI/CVD APPARATUS AND PROCESS例文帳に追加
圧力勾配ＣＶＩ／ＣＶＤ装置および方法 - 特許庁
PRESSURE GRADIENT CVI/CVD APPARATUS, PROCESS AND PRODUCT例文帳に追加
圧力勾配ＣＶＩ／ＣＶＤ装置、方法および製品 - 特許庁
例文
APPARATUS FOR USE WITH CVI/CVD PROCESS例文帳に追加
ＣＶＩ／ＣＶＤプロセスに使用するための装置 - 特許庁
例文
The film 4 is formed by the CVI method.例文帳に追加
この被膜４はＣＶＩ法によって形成されたものである。 - 特許庁
COMPACTING OF POROUS STRUCTURE BY CVI例文帳に追加
多孔質構造物のＣＶＩによる緻密化 - 特許庁
THERMOMECHANICAL PROPERTY ENHANCEMENT PLY FOR CVI/SIC CERAMIC MATRIX COMPOSITE LAMINATE例文帳に追加
ＣＶＩ／ＳｉＣセラミックマトリクス複合材ラミネートの熱機械特性強化プライ - 特許庁
The invention relates to a preheater for heating a reactant gas inside a CVI/CVD furnace, and a fixture for depositing a matrix within a stack of porous structures by a pressure gradient CVI/CVD process.例文帳に追加
ＣＶＩ／ＣＶＤ加熱路内で反応体ガスを加熱するための予備加熱器および圧力勾配ＣＶＩ／ＣＶＤ法によって多孔質構造体の積層体中にマトリックスを結合するための取り付け装置を設ける。 - 特許庁
例文
The invention is particularly suited for the simultaneous CVI/CVD processing of large quantities (hundreds) of aircraft brake disks.例文帳に追加
本発明は、航空機のブレーキディスクの多量な（数百の）ＣＶＩ／ＣＶＤプロセスが同時に行われるために、特に適している。 - 特許庁
例文
The silicon carbide porous body has structure of carbonaceous porous body coated with ceramics by a pulse CVI (chemical vapor impregnation) method.例文帳に追加
炭化ケイ素多孔体はパルスＣＶＩ法により炭素質多孔体にセラミックスがコーティングされた構造とされている。 - 特許庁
Between the CVI treatment stage 5 and the PIP treatment stage 7, a machining stage 6 where the fiber textile is subjected to machining is provided.例文帳に追加
ＣＶＩ処理工程５とＰＩＰ処理工程７との間に、繊維織物を機械加工する機械加工工程６を有する。 - 特許庁
Housings 1, 2 house two filter bodies 3, 4, respectively, each of which has a carbonaceous porous body coated with silicon carbide by using a CVI method.例文帳に追加
ハウジング１、２内に、ＣＶＩ法により炭素質多孔体に炭化ケイ素がコーティングされた２つのフィルター本体３、４が収容されている。 - 特許庁
After carrying out an interface process 3 to form an interface layer 12 on the surface of a shaped textile fabric 11, PIP process 4 and CVI process 5 are alternately carried out several times, and a laminated matrix 15, consisting of PIP matrix layer 13 and CVI matrix layer 14 alternately built up in between the gaps of the interface layer 12 on the surface of the textile, is formed.例文帳に追加
成形した繊維織物１１の表面にインターフェース層１２を形成するインターフェース工程３を行った後に、ＰＩＰ工程４とＣＶＩ工程５を交互に複数回行い、繊維表面のインターフェース層１２の隙間にＰＩＰマトリックス層１３とＣＶＩマトリックス層１４が交互に積層した積層マトリックス１５を形成する。 - 特許庁
The SiC filter 5 is manufactured by coating SiC on a circular cone vessel shape carbon porous body by a CVI method, and has holes larger than particle diameter of particulate matter.例文帳に追加
ＳｉＣフィルタ５は、円錐容器形状の炭素質多孔体にＳｉＣををパルスＣＶＩ法によってコーティングすることによって製造されており、粒子状物質の粒子径よりも大きい孔を有する - 特許庁
To provide a CVI/CVD process capable of quickly and uniformly densifying porous structures while minimizing cost and complexity, and to provide an apparatus for performing the process.例文帳に追加
コストと複雑性を最小限に押さえた上で急速に且つ均一に多孔質構造物を緻密化するＣＶＩ／ＣＶＤ法およびその方法を実行するための装置を提案する。 - 特許庁
To provide a C/C composite which is formed by continuously performing CVI and CVD to impregnate and coat pyrolytic carbon, and can exhibit excellent SiC resistance, and to provide a component for a single crystal pulling apparatus.例文帳に追加
熱分解炭素をＣＶＩ、ＣＶＤを連続的に行いＣ／Ｃ材に含浸、被覆し、優れた耐ＳｉＣ化を発揮できるＣ／Ｃ材、及びそれにより形成された単結晶引き上げ装置用部材を提供する。 - 特許庁
To provide a CVI/CVD process method and a process device capable of quickly and uniformly densifying large quantities of porous structures used in an aircraft brake disk.例文帳に追加
飛行機ブレーキディスクに用いられる多数の多孔質構造物を急速にかつ均一に緻密化するＣＶＩ／ＣＶＤ加工法及び加工装置を提供する。 - 特許庁
To provide an apparatus for use with chemical vapor infiltration and deposition (CVI/CVD) processes where porous structures are rapidly and singly made dense as the cost and complexity are suppressed to the minimum.例文帳に追加
コストと複雑性を最小限に押さえた上で、急速に且つ単一に多孔質構造体を緻密化する化学浸透および析出（ＣＶＩ／ＣＶＤ）に使用するための装置を提供する。 - 特許庁
This carbonaceous crucible for pulling up the single crystal comprises a C/C(carbon fiber-reinforced carbon material) substrate-SiC composite product prepared by filling 35-50 vol.% of the total pore volume of the C/C substrate with the SiC deposited by CVI method.例文帳に追加
Ｃ／Ｃ基材の全気孔容積の３５〜５０ vol％がＣＶＩ法により析出したＳｉＣで充填されたＣ／Ｃ材とＳｉＣの複合体からなる単結晶引き上げ用炭素質ルツボ。 - 特許庁
To provide a method for fabricating carbon fiber-reinforced composite material parts in which at least a part has high density by a matrix according to a CVI (chemical vapor infiltration) type process.例文帳に追加
マトリックスにより、少なくとも一部はＣＶＩ型プロセスにより高密度化された炭素繊維強化を有する複合材料部品を製作する方法の提供。 - 特許庁
The method contains a CVI(chemical vapor infiltration) treatment stage 5 where an SiC matrix layer is formed on the surface of fiber textile, and a PIP(polymer impregnation and pyrolysis) treatment stage 7 where an organic silicon polymer as a base material is impregnated into the gaps of the matrix layer.例文帳に追加
繊維織物の表面にＳｉＣマトリックス層を形成するＣＶＩ処理工程５と、マトリックス層の隙間に有機珪素ポリマーを基材として含浸し焼成するＰＩＰ処理工程７とを備える。 - 特許庁
To provide a method and a system for chemical vapor infiltration(CVI) by which relatively uniform and defect-free densification can be performed even in the case of a large-size porous body of hollow shape having a concave inside surface.例文帳に追加
大きな寸法の凹面状の内面を有する中空状形状の多孔質体でも、比較的均一でかつ欠陥のない強化ができる化学蒸気浸透法およびその装置を提供する。 - 特許庁
The ceramics based composite member 10 with the band part is finished by carrying out a CVI process of forming SiC matrix layers on a surface of a formed fiber woven fabric and a PIP process of using organosilicon polymer as a base material and impregnating and baking it in gaps of the matrix layers.例文帳に追加
成形した繊維織物の表面にＳｉＣマトリックス層を形成するＣＶＩ処理を行った後に、そのマトリックス層の隙間に有機珪素ポリマーを基材として含浸し焼成するＰＩＰ処理を行ってバンド部付きセラミックス基複合部材１０が完成する。 - 特許庁
In the member for producing semiconductor materials which is obtained by forming a SiC coating layer on a carbon fiber-reinforced carbon composite base material, the composite base material is subjected to CVI treatment for filling carbon, and a carbon coating layer formed by CVD treatment is interposed between the surface of composite base material and the SiC coating layer as an intermediate layer.例文帳に追加
炭素繊維強化炭素複合基材にＳｉＣ被覆層を形成した半導体製造用部材において、前記複合基材がＣＶＩ処理をして炭素を充填したものであり、その複合基材の表面とＳｉＣ被覆層との間に、ＣＶＤ処理により形成された炭素被覆層が中間層として介在している。 - 特許庁
例文
In order to densify the substrates using CVI, a part of the reactive gas stream which is introduced into the enclosure is introduced by means of a tooling (32) into the inside of the space shown by the concave inside surface of each of the hollow substrate and hereby the concave inside surface is washed away with some portion of the total introduced gas flow.例文帳に追加
この基体に化学蒸気浸透法で強化するために、エンクロージャー内に導入された反応性ガス流のうちの一部が、ツーリング（３２）によって中空形状の基体の凹状の内面で表される容積の内側に導かれ、それにより、凹状の内面が導入された全ガス流のうちのある割合で全部洗い流す。 - 特許庁