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sacrificial oxidationの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 22件
例文
To suppress strength degradation or the like due to sacrificial oxidation while suppressing oxidation of carbon in a catalyst layer.例文帳に追加
触媒層カーボンの酸化を抑制しつつ、犠牲酸化による強度低下等を抑制する。 - 特許庁
Thereafter the epitaxial layer 2 is subjected to sacrificial oxidation and an oxide film formed by the sacrificial oxidization is removed to eliminate the damages by the RIE.例文帳に追加
その後、ｎ^- 型エピ層２を犠牲酸化したのち、この犠牲酸化によってできた酸化膜を除去し、ＲＩＥによるダメージを除去する。 - 特許庁
In this method, CMOS structures are provided by performing sacrificial oxidation so that oxidation occurs on the surface of both the SOI and BOX interfaces.例文帳に追加
この方法では、ＳＯＩとＢＯＸ界面の両方の表面上で酸化が生じるように犠牲酸化を行うことによって、ＣＭＯＳ構造が設けられる。 - 特許庁
Then, when the MOS transistor formation region is subjected to sacrifice oxidation and a sacrificial oxide film 5 is formed (process (c)), the factor 3 for preventing oxidation is taken into the sacrificial oxide film 5.例文帳に追加
次に、ＭＯＳトランジスタ形成領域を犠牲酸化して犠牲酸化膜５を形成する（（ｃ）工程）と、酸化を阻害する要因３が犠牲酸化膜５中に取り込まれる。 - 特許庁
例文
Subsequently, by performing sacrificial oxidation, the polysilicon layer 11a on the bottom face of the trench 4 becomes a silicon oxide film 11b.例文帳に追加
次に、犠牲酸化を行いトレンチ４の底面のポリシリコン層１１ａをシリコン酸化膜１１ｂにする。 - 特許庁
例文
To provide suitable conditions when a monocrystal semiconductor layer of a composite substrate is reduced in thickness by sacrificial oxidation.例文帳に追加
複合基板の単結晶半導体層を犠牲酸化によって薄膜化する際の好適な条件を提供することを目的とする。 - 特許庁
A projecting part 24 functioning as a coolant passage 24 functions as a rib, so that strength degradation due to sacrificial oxidation is reinforced.例文帳に追加
冷媒流路２４として機能する凸部２４がリブとして機能し、犠牲酸化に伴う強度低下を補強する。 - 特許庁
Then, by the RIE, after a trench for a trench gate is formed, sacrificial oxidation and gate one are carried out.例文帳に追加
次に、ＲＩＥにより、トレンチゲートのためのトレンチを形成した後、犠牲酸化及びゲート酸化を行う。 - 特許庁
A sacrificial oxide film 14 is formed on the side face 13a and bottom face 13b of trenches 13 by the dry O_2 method (dry oxidation).例文帳に追加
ドライＯ_２法（ドライ酸化）により、トレンチ１３の側面１３ａおよび底面１３ｂに犠牲酸化膜１４を形成する。 - 特許庁
例文
The sacrificial anode 7 is composed of a substance having an oxidation-reduction potential less noble than that of a metal that forms the seed layer 103.例文帳に追加
犠牲アノード７は、酸化還元電位がシード層１０３を構成している金属の酸化還元電位より卑な物質から構成されている。 - 特許庁
例文
The flatness of the surface of the silicon substrate can be improved by forming the sacrificial oxide film on the surface through isotropic oxidation, and peeling the oxide film formed through the isotropic oxidation from the surface.例文帳に追加
シリコン基板表面を等方性酸化により犠牲酸化膜を形成し、等方性酸化によって形成された酸化膜を剥離することによって、平坦度の高い表面が得られる。 - 特許庁
To reduce the thickness of a silicon thin film to a prescribed value without deteriorating it in quality and avoiding it that the oxidation of crystal defects generated when a usual sacrificial oxidation is carried out is accelerated, the surface is roughened by the influence of a foreign object, and an oxide film is deteriorated in withstand voltage due to the fact that the surface gets rough.例文帳に追加
従来の犠牲酸化を行う際に生じた結晶欠陥部の増速酸化や、異物の影響などによる表面荒れ、表面荒れに伴う酸化膜耐圧の劣化などを回避しつつ、シリコン薄膜の品質を劣化させることなく、その膜厚を所望の値に減少させる。 - 特許庁
This sacrificial oxidation allows oxide spacer formation for gate-to-source/drain isolation, which enables raised source/drain fabrication without increasing contact resistance.例文帳に追加
この犠牲酸化によって、ゲートとソース／ドレインとを分離するための酸化物スペーサが形成され、したがってコンタクト抵抗を増大させずに隆起型ソース／ドレインを製作することが可能になる。 - 特許庁
Therefore, the role of the original thin Si layer is to use the inner oxidation and subsequently to act as a sacrificial defective sink capable of being consumed during an SiGe alloy being relaxed.例文帳に追加
このため、元の薄いＳｉ層の役割は、内部酸化を使用して後で消費することができる犠牲欠陥シンクとしてＳｉＧｅ合金の緩和中に作用することである。 - 特許庁
Hydrogen and oxygen are simultaneously led into a reaction chamber in which the silicon substrate 10 having the STI film 17 formed is mounted, and the sacrificial oxide film 19 is formed in the element forming region 18 surrounded by the STI film 17 by radical oxidation.例文帳に追加
ＳＴＩ膜１７を形成したシリコン基板１０を載置した反応室内に水素と酸素を同時に導入し、ラジカル酸化によってＳＴＩ膜１７で囲まれた素子形成領域１８に犠牲酸化膜１９を形成する。 - 特許庁
Moreover, when the method of forming silicon-carbide oxide film is applied to sacrificial oxidation, the formation of an element isolation film, and the formation of a gate oxide film in a semiconductor element manufacturing process, a high-quality semiconductor element can be manufactured efficiently.例文帳に追加
さらに、本発明の酸化膜製造方法を半導体素子の製造工程において、犠牲酸化、素子間分離膜の形成、ゲート酸化膜の形成に適用することにより、良質の半導体素子を効率的に製造することができる。 - 特許庁
Next, after a sacrificial oxide film is formed in this exposure region and in the interior of the trench 8 by thermal oxidation, n+ impurities are implanted as ions at an angle of 0 degree toward the front layer of the p-base 2 and a bottom part of the trench 8.例文帳に追加
つぎに、熱酸化によりこの露出領域およびトレンチ８内部に犠牲酸化膜を形成した後、 ｐベース２表層およびトレンチ８底部に向けてｎ＋不純物を０度の角度でイオン注入する。 - 特許庁
Diffusion of oxygen into the power generating fuel cell laminate and deterioration of the cells of fuel battery are prevented by arranging a sacrificial oxidation material storing or consuming the oxygen diffusing from atmospheric air when stopping the fuel cell laminate system.例文帳に追加
燃料電池積層体システムの発電停止時において、大気から拡散してくる酸素を吸着又は消費する犠牲酸化材料を設けることにより、発電する燃料電池積層体への酸素の拡散を防ぎ、発電する燃料電池セルの劣化を防止する。 - 特許庁
The hydrogen production apparatus is provided with the visible ray-responsible photocatalyst to be in contact with water or a sacrificial reagent-containing aqueous solution and a visible light source for irradiating the photocatalyst with 380-500 nm visible ray, and the oxidation-reduction reaction of water is carried out to produce hydrogen.例文帳に追加
水又は犠牲試薬含有水溶液と接触する可視光応答性光触媒と、この光触媒に３８０〜５００ｎｍの範囲内にある可視光を照射できる可視光光源を備え、水の酸化還元反応を行い水素を発生させる水素発生装置である。 - 特許庁
To provide a method for manufacturing a laminated wafer which suppresses BMD density from increasing and also can sufficiently flatten the surface of a thin film, when flattening the surface of the thin film of the laminated wafer and reducing the thickness of the thin film through a treatment combining an RTA treatment and a sacrificial oxidation treatment.例文帳に追加
ＲＴＡ処理と犠牲酸化処理を組み合わせて、貼り合わせウェーハの薄膜表面の平坦化と薄膜の減厚を行う際に、ＢＭＤ密度の増加を抑制し、かつ、薄膜表面を十分に平坦化することができる貼り合わせウェーハの製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁
To provide a semiconductor device in which lowering of impurity concentration in a channel region caused by a sacrificial oxidation process or a gate oxide formation process is suppressed and thereby impurity concentration in the channel region can be controlled easily and a desired Vt can be obtained, and to provide its fabrication process.例文帳に追加
犠牲酸化工程やゲート酸化形成工程に起因するチャネル領域の不純物濃度の低下を抑制し、それによってチャネル領域の不純物濃度の制御が容易で且つ所望のＶｔを得ることが可能な半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
例文
The method for manufacturing the laminated wafer includes: subjecting the laminated wafer of which a bond wafer has been peeled off to a first RTA treatment in a hydrogen-containing atmosphere; reducing the thickness of the thin film by the sacrificial oxidation treatment; and subsequently subjecting the laminated wafer to a second RTA treatment in a hydrogen-containing atmosphere at a temperature higher than that in the first RTA treatment.例文帳に追加
前記ボンドウェーハを剥離させた後の貼り合わせウェーハに対し、水素含有雰囲気下で第一のＲＴＡ処理を行った後、犠牲酸化処理を行って前記薄膜を減厚し、その後、水素含有雰囲気下で、前記第一のＲＴＡ処理よりも高い温度で第二のＲＴＡ処理を行う貼り合わせウェーハの製造方法。 - 特許庁