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soda bathの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 7件

例文

Therefore, the liquid bath agent which is the supernatant of the boiled tuff, or a granular bath agent obtained by using the supernatant as a raw material, contains the lime and soda components.例文帳に追加

従ってその上澄み液である液状入浴剤、或いは上澄み液を材料として得た粒状入浴剤は石灰分、ソーダ分を含む。 - 特許庁

By pouring the bath agent into warm water, the lime and soda components dissolve with the warm water to generate carbon dioxide or hydrogen carbonate and exhibit the effect of carbonate spring.例文帳に追加

入浴剤を湯に投入すると、石灰分、ソーダ分が湯に溶けて酸化炭素や炭酸水素が発生し、炭酸泉の効能を奏する。 - 特許庁

To provide an aluminum alloy extrusion material whose surface can uniformly be subjected to embossing treatment by only performing etching treatment using a commonly used sodium hydroxide aqueous solution (a caustic soda bath).例文帳に追加

常用されている水酸化ナトリウム水溶液（苛性ソーダ浴）を用いてエッチング処理するだけで、アルミニウム合金押出材の表面を均一に梨地処理できる押出材の提案を目的とする。 - 特許庁

To provide a method for producing and packaging sodium hydrogencarbonate (baking soda) crystal particles having a low caking property, which do not need the addition of a caking inhibitor thereto and are suitable for use in the fields of food, pharmaceuticals and bath agents.例文帳に追加

食品、医薬品、入浴剤の分野に好適な、固結防止剤を添加する必要のない、固結性の小さい炭酸水素ナトリウム（重曹）結晶粒子の製造法と包装方法を提供する。 - 特許庁

例文

The surface of a heated soda-lime glass or a glass ribbon on a molten metal bath is treated by supplying a gas containing a halogen element on the surface, then the thin film is formed by supplying a thin film forming material on the treated surface.例文帳に追加

加熱されたソーダライムガラスあるいは溶融金属浴上のガラスリボンの表面に、ハロゲン元素を含有する気体を供給して該表面を処理した後、該処理された表面に薄膜形成材料を供給して薄膜を形成する。 - 特許庁

例文

The zinc plated articles are obtained by plating base materials by using a zinc cyanide bath which is preferably of 50 to 160 g/L in caustic soda concentration, 10 to 30 g/L in zinc concentration and over 3 and below 4 in the ratio of [sodium cyanide concentration g/L/zinc concentration g/L] and is added with a brightening agent.例文帳に追加

この亜鉛メッキ品は好ましくは苛性ソーダ濃度が５０〜１６０ｇ／Ｌ、亜鉛濃度が１０〜３０ｇ／Ｌ、［青化ソーダ濃度ｇ／Ｌ／亜鉛濃度ｇ／Ｌ］の比が３を超え４以下であり、光沢剤を添加したシアン化亜鉛浴を用いて基材にメッキして得られる。 - 特許庁

例文

The method for etching a silicon semiconductor wafer, after lapping with use of a chemical includes steps of filling an etching bath with an alkali chemical including caustic soda (NaOH) and caustic potash (KOH), immersing the silicon semiconductor wafer into the alkali chemical, alkali etching the surface of the silicon semiconductor wafer to make the thickness 30 μm or less, and treating the wafer with an acid chemical, prior to the alkali etching step.例文帳に追加

ラッピング後のシリコン半導体ウェーハを薬液によりエッチングする方法において、エッチング槽内に苛性ソーダ（ＮａＯＨ）及び苛性カリ（ＫＯＨ）からなるアルカリ薬液を満たし、シリコン半導体ウェーハをそのアルカリ薬液に浸漬し、シリコン半導体ウェーハの表面を３０μｍ以下アルカリエッチングし、しかも、そのアルカリエッチングの処理前に酸薬液で酸処理する。 - 特許庁

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