Способ изготовления подложек для гибридных микросхем — SU 1544170 (original) (raw)
Формула
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОДЛОЖЕК ДЛЯ ГИБРИДНЫХ МИКРОСХЕМ, включающий получение стеклопорошка путем измельчения гранулята стекла, нанесение на металлическую подложку слоя стеклопорошка методом электрофореза из суспензии, содержащей стеклопорошок и алифатический спирт, формирование покрытия из ситаллоцемента путем термообработки слоя, отличающийся тем, что, с целью повышения качества подложек за счет улучшения равномерности покрытия по толщине и снижения его дефектности, перед измельчением гранулят стекла подвергают термообработке в течение 30 - 45 мин при температуре, равной 0,97 - 1,03 температуры размягчения стекла.
Описание
Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано в производстве гибридных микросхем на металлических подложках.
Цель изобретения - повышение качества подложек с покрытием из ситаллоцемента за счет улучшения равномерности покрытия по толщине и снижение его дефектности, достигаемое в результате выполнения термообработки гранулята стекла перед его измельчением в стеклопорошок, приводящей к увеличению относительной плотности осадка и электрофоретического выхода, а также улучшению растекаемости ситаллоцемента при формировании покрытия методом электрофореза с последующей термообработкой.
Предварительную термообработку гранулята стекла проводят при температуре, равной 0,97-1,03 температуры размягчения стекла в течение 30-45 мин.
Термообработка при температурах менее 0,97 температуры размягчения стекла практически не влияет на электрофоретические параметры (относительную плотность осадка и его электрофоретический выход) и растекаемость ситаллоцемента в процессе формирования покрытия.
Термообработка при температурах выше 1,03 температуры размягчения стекла ухудшает растекаемость ситаллоцемента и соответственно равномерность покрытия по толщине.
Термообработка гранулята стекла менее 30 мин не дает значительных результатов, а увеличение времени термообработки более 45 мин нецелесообразно, так как положительный эффекта практически не изменяется.
П р и м е р. Гранулят стекла марки СЭ-1 обрабатывают при 620, 630, 660, 670 и 690оС в течение 15, 30 и 45 мин. После термообработки материал измельчают на планетарной мельнице в халцедоновом барабане до удельной поверхности 400-500 м2/кг. Затем из полученных стеклопорошков и изобутанола готовят суспензии с концентрацией порошка 0,1 г/см3. Из суспензии методом электрофореза на предварительно подготовленную металлическую подложку с отверстиями наносят порошковое покрытие. Напряженность электрического поля при электрофорезе составляет 600 В/см, время нанесения 1 мин. Процессы сушки и термообработки порошкового слоя совмещают и проводят в электрической конвейерной печи по следующему режиму:
нагрев до 800оС со скоростью 10-40оС/мин;
выдержка при 800оС в течение 15 мин;
охлаждение со скоростью 20-40оC/мин.
Качество покрытия (равномерность по толщине, наличие пор и других дефектов) определяют визуально под микроскопом.
Растекаемость диэлектрика измеряют в относительных единицах по изменению формы цилиндрических таблеток (диаметром = 10 мм, высотой = 10 мм) после их термообработки по указанному режиму.
Предлагаемый способ поясняется таблицей.
Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано в производстве гибридных микросборок на металлических подложках. Цель изобретения - повышение качества подложек с покрытием из ситаллоцемента. Это достигается путем улучшения равномерности покрытия по толщине и снижения его дефектности с помощью термообработки гранулята стекла. Термообработку проводят при температуре, равной 0,97-1,03 температуры размягчения стекла, в течение 30-45 мин перед его измельчением в стеклопорошок. Это приводит к увеличению относительной плотности осадка и электрофоретического выхода, а также к улучшению растекаемости ситаллоцемента при формировании покрытия методом электрофореза с последующей термообработкой. 1 табл.
Рисунки
Заявка
4351849/21, 28.12.1987
Московский институт электронной техники
Петрова В. З, Тельминов А. И, Воробьев В. А, Борисов А. Г
МПК / Метки
МПК: H05K 3/44
Метки: гибридных, микросхем, подложек
Опубликовано: 15.11.1994