Мильвидский — Автор (original) (raw)
Мильвидский
Способ изготовления кремниевых пластин с геттерирующими центрами в объеме пластины
Номер патента: 1340492
Опубликовано: 25.07.1995
Авторы: Воронков, Енишерлова-Вельяшева, Мильвидский, Резник, Русак, Шмелева
МПК: H01L 21/304, H01L 21/322
Метки: геттерирующими, кремниевых, объеме, пластин, пластины, центрами
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КРЕМНИЕВЫХ ПЛАСТИН С ГЕТТЕРИРУЮЩИМИ ЦЕНТРАМИ В ОБЪЕМЕ ПЛАСТИНЫ, включающий проведение двухступенчатого отжига при температурах в диапазоне 650 750oС и 950 1050oС в течение 3 4 ч на каждой стадии, отличающийся тем, что, с целью расширения области применения способа для кремния с содержанием кислорода 5 1015 9 1017 см-3, перед отжигом при 950 1050oС с обеих сторон пластины механической обработкой создают приповерхностные области, состоящие из системы микротрещин, произвольно направленных и...
Способ получения структуры (c)
Номер патента: 1774673
Опубликовано: 30.09.1994
Авторы: Гоголадзе, Долгинов, Малькова, Мильвидский, Пшеничная, Соловьева
МПК: C30B 19/04, C30B 29/40
Метки: структуры
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ СТРУКТУРЫ In0,53Ga0,47 As / InP методом жидкофазной эпитаксии, включающий отжиг подложки InP сначала при 300 10oС, затем при температуре выше или равной температуре эпитаксии под защитной пластиной InP и выращивание слоя In0,53Ga0,47As с концентрацией носителей n < 1 1015 см-3 из раствора-расплава, отличающийся тем, что, с целью повышения фоточувствительности структуры в спектральном диапазоне 1,85 - 2,1 мкм, выращивание слоя ведут при 710 ...
Способ изготовления кремниевых пластин с геттерирующими центрами в объеме пластины
Номер патента: 1499627
Опубликовано: 30.08.1994
Авторы: Антонова, Воронков, Енишерлова-Вельяшева, Куц, Мильвидский, Резник, Русак, Шмелева
МПК: H01L 21/322
Метки: геттерирующими, кремниевых, объеме, пластин, пластины, центрами
1. СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КРЕМНИЕВЫХ ПЛАСТИН С ГЕТТЕРИРУЮЩИМИ ЦЕНТРАМИ В ОБЪЕМЕ ПЛАСТИНЫ, включающий отжиг в окислительной атмосфере при 1100 - 1200oС в течение 2 - 3 ч и двухступенчатый отжиг в инертной среде при 700 - 750oС в течение 4 - 6 ч и при 1000 - 1050oС, отличающийся тем, что, с целью повышения стабильности геттерирования независимо от содержания кислорода в кремнии, отжиг при 1100 - 1200oС проводят в атмосфере сухого кислорода с хлорсодержащими добавками при содержании активного хлора 0,3 - 1% от содержания кислорода, после отжига в окислительной среде проводят дополнительный отжиг при 430 - 450oС, причем продолжительность отжигов при 430 - 450oС и 1000 -...
Способ экстракции ростовых кластеров в монокристаллическом кремнии
Номер патента: 1083848
Опубликовано: 30.06.1994
Авторы: Иноземцев, Итальянцев, Кузнецов, Мильвидский, Мордкович, Смульский
МПК: H01L 21/322
Метки: кластеров, кремнии, монокристаллическом, ростовых, экстракции
СПОСОБ ЭКСТРАКЦИИ РОСТОВЫХ КЛАСТЕРОВ В МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОМ КРЕМНИИ, включающий термообработку пластин кремния при температуре 1000 - 1250oС в атмосфере неокисляющего газа, содержащего добавку хлористого водорода, отличающийся тем, что, с целью увеличения производительности процесса, в качестве неокисляющего газа используют водород, содержание хлористого водорода выбирают в диапазоне 0,5 - 2 об.%, а термообработку проводят в течение 3 - 10 мин.
Устройство приема команд телеуправления по каналам телефонной связи
Номер патента: 1808172
Опубликовано: 07.04.1993
Автор: Мильвидский
МПК: H04M 11/06
Метки: каналам, команд, приема, связи, телеуправления, телефонной
...ноты, Он должен только в пределах одного цикла считать количество поступивших, монотонно изменяющихся по частоте тональных посылок, В такте, номер которого совпадает со значением номера Р 1, который абонент хочет передать в текущем цикле абонант формирует речевой сигнал аналогично тому, как это было описано для первого такта, При этом соответствующее значение Р записывается в первый регистр 7.1, а устройство переходит ко второму циклу. После приема речевой команды от абонента во втором цикле устройство переходит к третьему и т, д, до п-го цикла. Работа устройства в каждом цикле аналогична работе в первом и отличается только значением кода, поступающего с шестого выхода блока 2 управления на управляющий вход демультиплексора 6,...
Адаптивный эхокомпенсатор
Номер патента: 1665520
Опубликовано: 23.07.1991
Авторы: Кошелев, Мильвидский, Славин
МПК: H04B 3/20
Метки: адаптивный, эхокомпенсатор
...операций на выходе каждого из накопителей 16,1,.,16.(п+1) присутствует значение.очередного члена свертки между коэффициентами Фурье с определенным индексом секций исходного сигнала и импульсной переходной характеристики эхотракта (фиг.7 ч), при этом порядковый номер н а ко и ител я однозначно определяет индекс коэффициентом Фурье, участвующих в формировании его выходного сигнала.Так, например, на выходе первого накопителя 16,1 оказывается значение члена свертки для коэффициентов Фурье с нулевым индексомЕ"=Е ох Едо+ Ехо("х Едо" + Ехо("х а на выходе семнадцатого накопителя 1 б,(о+1) - значение члена свертки для коэф-фициентов Фурье с шестнадцатым лндексом:Е= Е и х Е - + Ех Е +Яб х 1" + хб х д 16 + + Ех 16 х Ед 16 + ЕХ 16 х Ед 16...
Устройство сопряжения четырехпроводной телефонной линии с двухпроводной
Номер патента: 1617659
Опубликовано: 30.12.1990
Авторы: Гаткер, Кошелев, Мильвидский, Славин
МПК: H04M 9/08
Метки: двухпроводной, линии, сопряжения, телефонной, четырехпроводной
...одновибратора 11 той же цепи, На четырехпроводной линии.инии. выходе блока 15 в этом случае присутствуетПри возобновлении разговора абонен "1", на выходе одновибратора 16 - "0", на том четырехпроводной линии нижняя час- выходе элемента ИЛИ 17 - "1", на выхо е тотная полоса его ечего речевого сигнала инвертора 18 - "0" и на выходе элемента Инта - , на выходеостояние триггера 20 проходит через второй фильтр.7, второй 19 второйцепи - "0",Свход и выход второго сумматора 9, а также в этом случае не изменяется.вход и вход-выход дифсистемы 1 в двухпро При прекращении разговора абонентом водную линию и далее к абоненту. Сигнал с двухпроводно и линии пропадает сигнал на выхода второго фильтра 7 поступает также втором входе блока 12 что и влока,...
Адаптивное устройство компенсации эхосигнала
Номер патента: 1577076
Опубликовано: 07.07.1990
Авторы: Кошелев, Мильвидский, Славин
МПК: H04B 3/20
Метки: адаптивное, компенсации, эхосигнала
...поступления следуюпдх отсчетов исходного сигнала.После прихода (Р) отсчета исходного сигнала в момент времени Сс+ +(Р)Т распределение информации в первом и втором регистрах 12 и 13 соответствует фиг, 10 Д, 9 157707Так как во .втором регистре 13 хранятся значения исходного сигнала, аэхосигнал равен 7(Р), задержка между ними составляет соответственнозначения (Р)Т, (2 Р)Т, (ЗР)Т(4 Р)Т, (5 Р)Т, при этом в Р-мцикле корректируются соответственноследующие значения импульсных козФфи -фр 1 8 Р Распределение информации в первом ивтором регистрах 12 и 13 после Р-гоцикла в момент времени йо +РТ=Ссоответствует Фиг.0 Е, вид сигнала представлен на Фиг. 5 и, Таким образом, 15за Р циклов корректируются все значения импульсных коэффициентов,...
Устройство громкоговорящей конференцсвязи
Номер патента: 1570025
Опубликовано: 07.06.1990
Авторы: Зубков, Кошелев, Мильвидский, Пустинский, Славин
МПК: H04M 3/56
Метки: громкоговорящей, конференцсвязи
...средней точке линии передачи поступаО ет с первого входа-вьхода блока 1, через соответственно абонентский вход- выход передачи и вход-выход передачи блока 2 на вход-выход блока 3 и далее, .через выход последнего на соответствующий вход блока 4, Указанная команда вызывает в блоке 4 подключение ли, нии приема выступающего абонента к первому выходу блока 4, а в блоке 3 отключение от первого входа линии передачи выступающего абонен га с целью предотвращении проникновения сигнала иэ линии приема в линию передачи одного и того же абонента, что может привести к самовоэбужцению. 25Кроме того, в блоках 3 и 4 дюрми руются сигналы о выполнении указанных операций, которые в последовательном коде поступают с командного выхода блока 3 и с третьего...
Устройство для проверки телефонных соединительный линий
Номер патента: 1385324
Опубликовано: 30.03.1988
Авторы: Карасик, Кошелев, Мильвидский, Модель, Славин
МПК: H04M 3/22
Метки: линий, проверки, соединительный, телефонных
...аналого"цифрового.преобразователя 18 и первый вход компаратора50, на второй вход которого поданопороговое напряжение от управляемого 45источника 51 опорного напряжения, составляющее 50-707 от напряжения навыходах детекторов 40-45 при совпадении частоты настройки одного изполосовых фильтров 34-39 с одной изчастот, содержащихся в сигнале частотного кода (в установившемся режиме).При поочередном циклическом проключении выходов детекторов 40-45 че 55рез аналоговый коммутатор 15 к первому входу компаратора 50 происходитсбегающий контроль наличия на контрольном входе - выходе сигналов многочастотного кода. Если напряжение на каком-либо выходе детектора превысит напряжение на выходе управляемого источника 51 опорного напряжения, на...
Устройство для проверки телефонных соединительных линий
Номер патента: 1343560
Опубликовано: 07.10.1987
Авторы: Карасик, Кошелев, Мильвидский, Славин
МПК: H04M 3/22
Метки: линий, проверки, соединительных, телефонных
...блок14 периодически подключает к контрольным входам - выходам соответственно потенциалы +60 В и -60 В, которые являются импульсами набора номера.После окончания набора номера, если соединение к автоответчику установлено правильно последний включается и на одном из контрольных вхо"3 134356дов - выходов появляется плюсовойпотенциал . Одновременно с этим появ-.ляется сигнал контрольной частоты700 Гц генератора автоответчика,5Плюсовой потенциал через коммутатор 15 поступает на аналого-цифровойпреобразователь 18 и далее в дешифратор 9, который воздействует на регистр 13 блока 12, при этом последний 10подает сигнал со своего выхода на первый вход блока 20, Сигнал контрольнойчастоты 700 Гц выделяется блоком 19,преобразуется в сигнал...
Устройство для проверки телефонных соединительных линий
Номер патента: 1218496
Опубликовано: 15.03.1986
Авторы: Бородянский, Карасик, Кошелев, Мильвидский, Славин
МПК: H04M 3/22
Метки: линий, проверки, соединительных, телефонных
...18 измерительного блока 12, При этом блок 14 подключения потенциалов производит подключение к проводам группового измерительногопривода 21 различных поТенциалов через определенные резисторы, аналоговый коммутатор 15 коммутирует сигнал одного из своих информационных входов на выход, который затем поступает в аналого-цифровой преобразователь 18, где происходит преобразование скоммутированного сигнала в цифровой и передача его в дешифратор 9 блока 5 управления.Дешифратор 9 по совокупности поступающих из аналого-цифрового преобразователя 18 сигналов производит определение вида комплекта (входящий(занят, свободен, заблокирован),а также с помощью блока 14 подключения потенциалов занятие комплекта,если он оказался свободным.Объем и...
Устройство для проверки телефонных соединительных линий
Номер патента: 1107330
Опубликовано: 07.08.1984
Авторы: Бородянский, Карасик, Кошелев, Мильвидский, Славин
МПК: H04M 3/22
Метки: линий, проверки, соединительных, телефонных
...ключей и к входу элементазадержки, выход которого подключенвторым входам выходных элементов Ипричем выходы ключей являются дополнительными выходами узла блокировкНа чертеже представлена структуная электрическая схема устройствадля проверки телефонных соединителных линий.Устройство содержит блок 1 сопржения, состоящий из первого и вторго узлов 2 и 3 согласования соотвественно и регистра 4, блок 5 управния, состоящий из индикатора 6, тататуры 7, элемента 8 памяти, дешифтора 9, узла 10 прерывания программкоммутатора 11, измерительный блоксостоящий из регистра 13, блока 14подключения потенциалов, аналоговокоммутатора 15, первого и второгоблоков 16 и 17 контроля соответствно и аналогового преобразователя 1блок 19 выделения контрольного...
Устройство для проверки телефонных соединительных линий
Номер патента: 1053323
Опубликовано: 07.11.1983
Авторы: Бобров, Бородянский, Кошелев, Мильвидский, Славин
МПК: H04M 3/22
Метки: линий, проверки, соединительных, телефонных
...управляющий, адресный и информационный входы . - индикатора, тастатуры, элемента памяти, дешифратора и узла прерывании 55 программы соответственно объединены и соединены с первым, вторым и третьим выходами соответственно блока управления, выход узла прерывания програ соединен с входом дешифра тора, а вход коммутатора соединен с входом блока управления. онный и управляющий входы ервого и. второго узлов согласования и регистра соответственно объединены и соединены с адресным, информационным и управляющим входами соответственно блока сопряжения, выходами которого являются выходы первого.и второго узлов согласования и регистра.На чертеже представлена структурная электрическая схема предлагаемого устройства.Устройство для проверки телефон"...
Эпитаксиальная структура
Номер патента: 581755
Опубликовано: 23.03.1981
Авторы: Долгинов, Дружинина, Мильвидский, Рогулин
МПК: H01L 33/00
Метки: структура, эпитаксиальная
...типа. Шихта длявыращивания эпитаксиального слоя10Оах 1 п х А 9 5 Ь содержит: индия 4 г,антимонида индия 1,2 г, антимонидагаллия 20 мг, арсенида индия 300 мг.Шихта для выращивания ОаАь 5 Ь содержит:. галлия 3 г, антимонида галлия 500 мг, арсенида галлия 3 мг,цинка 30 мг.Подложку арсенида индия подводятпод расплав для выращиванияОах 1 пл. А 5 Ь 9 при 520 С, а под 20,расплав для выращивания ОаАь 5 Ьок-цпри 500 СПроцесс эпитаксии проводят в режиме принудительного охлаждения раствора-расплава со скоростью0,8 град/мин.Толщины полученных эпитаксиальныхслоев: Оа 1 п Аь 5 Ь.З 20 мкм,ОаА 5 Ь40 мкм. Состав полученныхэпитаксиальных слоев, по данным локального рентгеноспектрального анализа, соответствует Оа 009 и Аь 5 Ьи О А 5 Ь0,09...
Способ маркирования участка поверхности полупроводникового кристалла, соответствующего объемному микродефекту
Номер патента: 728183
Опубликовано: 15.04.1980
Авторы: Бродская, Вдовин, Мильвидский, Моргулис, Освенский, Шифрин
МПК: H01L 21/263
Метки: кристалла, маркирования, микродефекту, объемному, поверхности, полупроводникового, соответствующего, участка
...участка из всех отмаркированных участков того же типа.Цель изобретения - обеспечение универсальности способа и защиты микродефекта от воздействия на него при маркировке,Цель достигается тем, что по предлагаемому способу экспонируют электронным пучком участок поверхности кристалла над обнаруженным микродефектом, а затем проводят травление. Экспонирование электронным пучком участка поверхности кристалла проводят при токе электронного пучка 10 6 - 10А, вакууме 5 10- 5 10торр и продолжительности 1 - 1000 с. Травление кристаллов после экспонирования проводят в известном для каждого материала полирующем травителе.При экспонировании электронным пучком поверхности кристалла в точке пересечения ее с электронным пучком осаждается...
Устройство для выращивания mohokf«h«4t«jlob-•. j
Номер патента: 190864
Опубликовано: 01.01.1967
Авторы: Абаев, Еремеев, Мильвидский, Митюхин, Офицеров, Петров
МПК: C30B 15/30
Метки: mohokf«h«4t«jlob-•, выращивания
...затравки. В начале процесс 11 штОк затравки сцимяетс 51 с фиксаторов с помоп 1 ью электромагнитного привода перемещения и вращения затравки.Электромагнитный механизм вращения и перемещения затравки и тигля (фиг, 2) состоит из стационарного электромагнита, представляющего собой обмотку пз ьодоохлаждаемых медных трусок 15, являющихся одно временно токоподводящей системой и холодильником. Трубки размещены в корпусе маг нитопровода из магпитовоспрпимчпвого материала. Вращение затравки и тигля осу 1 цеств. ляется с помощью полосных наконечников 16 (концентраторов магнитных силовых линий), вращающихся от специального механического привода 17. Электромагниты имеют систему плавного регулирования магнитного поля изменением силы тока в...
Способ получения высоколегированных монокристаллов германия электронного типа
Номер патента: 171586
Опубликовано: 01.01.1965
Авторы: Гришина, Мильвидский, Омель, Фистуль
МПК: C22F 1/02
Метки: высоколегированных, германия, монокристаллов, типа, электронного
...монокристаллов гг-типа кремния и арсеница галлия. Спосо нокрист проводи личаюиг соколеги бильньв теристиг вергают чение 2 последудггисная грг 1 гггга Лг 161 Известен способ получения высоколегированных монокристаллов германия гг-типа проводимости (с концентрацией Аз до 10 хосм - 3) вытягиванием из расплава.Для получения высоколегированных моно кристаллов германия со стабильными во времени электрическими характеристиками предлагается вытянутый монокристалл подвергать термообработке путем нагрева в течение 2 - 4 час при температуре "-870 С с последующей 1 закалкой.Монокристалл германия вытягивают из расплава, легированного мышьяком, по способу Чохральского.Часть допорной примеси в вытянутом кри сталле не входит в твердый раствор,...