Излучательная — Метка (original) (raw)
Патенты с меткой «излучательная»
Излучательная многопроходная гетероструктура
Номер патента: 1387821
Опубликовано: 20.07.2012
Авторы: Бекирев, Инкин, Степанищева
МПК: H01L 33/00
Метки: гетероструктура, излучательная, многопроходная
Излучательная многопроходная гетероструктура, содержащая излучающий слой, к которому с одной стороны примыкает широкозонный слой, а со стороны, противоположной широкозонному слою, - дополнительный узкозонный слой с шириной запрещенной зоны меньше, чем в излучающем слое, минимальная толщина которого - порядка или больше обратной величины коэффициента поглощения излучения, возникающего в излучающем слое, при этом разница ширин запрещенных зон между дополнительным и излучающим слоями связана с параметрами слоев соотношением где А - параметр с...
Полупроводниковая излучательная многопроходная гетероструктура
Номер патента: 1157994
Опубликовано: 20.07.2012
Автор: Бекирев
МПК: H01L 33/00, H01S 3/19
Метки: гетероструктура, излучательная, многопроходная, полупроводниковая
Полупроводниковая излучательная многопроходная гетероструктура, включающая область излучательной рекомбинации и дополнительный слой, примыкающий к одной из ее сторон, расположенные между широкозонными слоями, причем ширина запрещенной зоны дополнительного слоя меньше ширины запрещенной зоны области излучательной рекомбинации, минимальная толщина указанного слоя не меньше обратной величины коэффициента поглощения излучения из области изучательной рекомбинации, а максимальная - не больше диффузионной длины неосновных носителей в этом слое, отличающаяся тем, что, с целью увеличения яркости свечения на торцевых гранях структуры, между другой стороной области излучательной рекомбинации и...
Излучательная полупроводниковая многопроходная гетероструктура
Номер патента: 1163777
Опубликовано: 20.07.2012
Автор: Бекирев
МПК: H01L 33/00
Метки: гетероструктура, излучательная, многопроходная, полупроводниковая
Излучательная полупроводниковая многопроходная гетероструктура, содержащая излучательный узкозонный слой, расположенный между двумя широкозонными слоями, отличающаяся тем, что, с целью снижения пороговой плотности тока лазерного излучения и увеличения внешнего квантового выхода спонтанного излучения, между широкозонными слоями расположен дополнительный слой с шириной запрещенной зоны, меньшей, чем в излучательном слое, толщина дополнительного слоя по крайней мере в два раза меньше толщины излучательного слоя и меньше обратной величины коэффициента поглощения квантов света, возникающих в излучательном слое, а разница ширин запрещенных зон
Полупроводниковая излучательная многопроходная гетероструктура
Номер патента: 1165211
Опубликовано: 20.07.2012
Автор: Бекирев
МПК: H01S 3/18
Метки: гетероструктура, излучательная, многопроходная, полупроводниковая
Полупроводниковая излучательная многопроходная гетероструктура, включающая узкозонную область излучательной рекомбинации, расположенную между широкозонными слоями, отличающаяся тем, что, с целью понижения пороговой плотности тока накачки, между упомянутыми широкозонными слоями введены, по крайней мере, два дополнительных слоя с разными ширинами запрещенной зоны, меньшими ширины запрещенной зоны области излучательной рекомбинации, а суммарная толщина дополнительных слоев не менее обратной величины меньшего коэффициента поглощения в них излучения из области излучательной рекомбинации, но не более диффузионной длины неосновных носителей в этих слоях, толщина наиболее узкозонного...
Излучательная многопроходная гетероструктура
Номер патента: 1111645
Опубликовано: 20.07.2012
Авторы: Бекирев, Инкин, Степанищева
МПК: H01L 33/00, H01S 3/19
Метки: гетероструктура, излучательная, многопроходная
Излучательная многопроходная гетероструктура, включающая область излучательной рекомбинации, расположенную между широкозонными слоями, отличающаяся тем, что, с целью увеличения внешнего квантового выхода спонтанного излучения с энергией кванта, соответствующей ширине запрещенной зоны области излучательной рекомбинации и понижения порога лазерной генерации, между широкозонными слоями расположен дополнительный слой с шириной запрещенной зоны, меньшей, чем в области излучательной рекомбинации по крайней мере на десятую долю КТ, минимальная толщина которого по крайней мере не меньше обратной величины коэффициента поглощения излучения из области излучательной рекомбинации, а максимальная по...