Инкин — Автор (original) (raw)
Инкин
Излучательная многопроходная гетероструктура
Номер патента: 1111645
Опубликовано: 20.07.2012
Авторы: Бекирев, Инкин, Степанищева
МПК: H01L 33/00, H01S 3/19
Метки: гетероструктура, излучательная, многопроходная
Излучательная многопроходная гетероструктура, включающая область излучательной рекомбинации, расположенную между широкозонными слоями, отличающаяся тем, что, с целью увеличения внешнего квантового выхода спонтанного излучения с энергией кванта, соответствующей ширине запрещенной зоны области излучательной рекомбинации и понижения порога лазерной генерации, между широкозонными слоями расположен дополнительный слой с шириной запрещенной зоны, меньшей, чем в области излучательной рекомбинации по крайней мере на десятую долю КТ, минимальная толщина которого по крайней мере не меньше обратной величины коэффициента поглощения излучения из области излучательной рекомбинации, а максимальная по...
Излучательная многопроходная гетероструктура
Номер патента: 1387821
Опубликовано: 20.07.2012
Авторы: Бекирев, Инкин, Степанищева
МПК: H01L 33/00
Метки: гетероструктура, излучательная, многопроходная
Излучательная многопроходная гетероструктура, содержащая излучающий слой, к которому с одной стороны примыкает широкозонный слой, а со стороны, противоположной широкозонному слою, - дополнительный узкозонный слой с шириной запрещенной зоны меньше, чем в излучающем слое, минимальная толщина которого - порядка или больше обратной величины коэффициента поглощения излучения, возникающего в излучающем слое, при этом разница ширин запрещенных зон между дополнительным и излучающим слоями связана с параметрами слоев соотношением где А - параметр с...
Способ градуировки нелинейного электромагнитного расходомера жидкометаллического теплоносителя в ядерной энергетической установке
Номер патента: 1395005
Опубликовано: 20.12.2001
Авторы: Адамовский, Голованов, Инкин
МПК: G21C 17/02
Метки: градуировки, жидкометаллического, нелинейного, расходомера, теплоносителя, установке, электромагнитного, энергетической, ядерной
Способ градуировки нелинейного электромагнитного расходомера жидкометаллического теплоносителя в ядерной энергетической установке, включающий измерение выходного сигнала расходомера при различных значениях расхода во время остановки реактора при пониженном значении температуры теплоносителя с использованием в качестве образцового средства измерений магнитного корреляционного расходомера и представление данных измерений в виде аппроксимационной зависимости, отличающийся тем, что, с целью повышения точности, производительности, а также упрощения способа градуировки в рабочем диапазоне значений расхода и температуры теплоносителя, значения выходного сигнала расходомера измеряют при любых...
Корреляционный расходомер для электропроводной жидкости
Номер патента: 1477041
Опубликовано: 27.11.2001
Авторы: Адамовский, Голованов, Инкин, Козубов
МПК: G01F 1/712
Метки: жидкости, корреляционный, расходомер, электропроводной
Корреляционный расходомер для электропроводной жидкости, содержащий турбулизатор потока и два последовательно установленных за ним на трубопроводе электромагнитных преобразователя, каждый из которых включает в себя магнитную систему с перпендикулярным продольной оси трубопровода магнитным полем и два электрода для съема электрического сигнала, расположенных в этом поле, отличающийся тем, что, с целью повышения точности измерений, электроды преобразователя размещены на концах хорды, определяемой центральным углом, равным 90o.
Способ корреляционного измерения расхода электропроводной жидкости
Номер патента: 1374904
Опубликовано: 27.11.2001
Авторы: Адамовский, Голованов, Инкин
МПК: G01F 1/712
Метки: жидкости, корреляционного, расхода, электропроводной
Способ корреляционного измерения расхода электропроводной жидкости, включающий создание магнитного поля в двух сечениях, съем сигнала индуцированного электрического или магнитного поля, частотную фильтрацию снимаемого сигнала и определение расхода жидкости по максимуму взаимокорреляционной функции сигналов от двух датчиков, отличающийся тем, что, с целью повышения точности, частотную фильтрацию осуществляют путем подавления в снимаемых сигналах низких частот с частотой среза фильтрации 0,1 - 0,8 отношения средней скорости потока к внутреннему диаметру трубопровода.
Вихревой электромагнитный расходомер-счетчик
Номер патента: 1823996
Опубликовано: 10.06.2000
Авторы: Адамовский, Инкин, Муралев, Ромадов
МПК: G01F 1/32
Метки: вихревой, расходомер-счетчик, электромагнитный
1. Вихревой электромагнитный расходомер-счетчик, содержащий измерительный участок трубопровода с телом обтекания, ось которого перпендикулярна оси трубопровода, источник магнитного поля, направленного параллельно оси тела обтекания, чувствительный элемент в виде двух электродов, по крайней мере один из которых электрически изолирован от трубопровода и размещен за телом обтекания, и блок обработки сигналов, отличающийся тем, что, с целью повышения чувствительности при измерении жидкости с ионной проводимостью, электроды, электрически изолированные от трубопровода, установлены по одному на линиях диаметров трубопровода, параллельных оси тела обтекания.2. Расходомер-счетчик по п.1,...
Лазер с периодической структурой
Номер патента: 1378740
Опубликовано: 20.07.1996
Авторы: Алавердян, Артамонов, Афанасьев, Ильичев, Инкин, Минаждинов, Полторацкий, Шелюхин
МПК: H01S 3/18
Метки: лазер, периодической, структурой
Лазер с периодической структурой, включающий полупроводниковую подложку с расположенной на ней двойной гетероструктурой (ДГС) и омические контакты, отличающийся тем, что, с целью уменьшения управляющей мощности, управления диаграммой направленности и повышения граничной частоты модуляции, на верхнем слое ДГС расположен первый дополнительный слой того же типа проводимости, что и у прилегающего к нему слоя ДГС, на первом дополнительном слое расположен монокристаллический изолирующий слой Ga1-zAlzAs:O, в котором выполнены параллельные канавки с наклонными стенками, глубина канавок больше толщины изолирующего, но меньше суммы толщин изолирующего и первого дополнительного слоев, расстояние между канавками меньше 10 мкм,...
Способ изготовления монолитных матриц излучающих диодов с х у-адресацией
Номер патента: 1347831
Опубликовано: 10.07.1996
Авторы: Артамонов, Емельянов, Ефремова, Ильичев, Инкин, Лозовский, Попов, Шелюхин
МПК: H01L 33/00
Метки: диодов, излучающих, матриц, монолитных, у-адресацией
Способ изготовления монолитных матриц излучающих диодов с Х-У-адресацией на AIGaAs, включающий формирование в высокоомной подложке с ориентацией 100 проводящих каналов, эпитаксиальное наращивание активных слоев, отличающийся тем, что, с целью увеличения процента выхода годных матриц путем исключения двухуровневой разводки, адресные p-шины в Х-направлении формируют на подложке с нанесенным локально маскирующим слоем методом зонной плавки с градиентом температуры перпендикулярно плоскости подложки из расплава галлия с добавкой германия или цинка в количестве 2-4 ат. при температуре 1100-1270 К, градиенте температуры 20-40 К/см со скоростью перекристаллизации 5-200 мкм/ч, затем формируют активные слои, рабочие элементы которых выделяют...
Лазер с полевым управлением
Номер патента: 1393291
Опубликовано: 10.07.1996
Авторы: Алавердян, Артамонов, Ильичев, Инкин, Полторацкий, Шелюхин
МПК: H01S 3/19
Метки: лазер, полевым, управлением
Лазер с полевым управлением, содержащий полуизолирующую подложку из GaAs i-типа проводимости с расположенными на ней слоями, которые образуют двойную гетероструктуру (ДГС), сильнолегированный полупроводниковый слой, изотипный внешнему слою ДГС и граничащий с ним, а также полупроводниковый слой с контактами истока, стока и электродом затвора, отличающийся тем, что, с целью достижения непрерывного режима работы лазера путем улучшения теплоотвода, в полуизолирующей подложке выполнена сильнолегированная область, проникающая на всю толщину подложки, а полупроводниковый слой с контактами истока, стока и электродом затвора расположен по другую сторону подложки относительно слоев, образующих ДГС, причем в упомянутом полупроводниковом слое под...
Способ изготовления полевых транзисторов с самосовмещенным затвором
Номер патента: 1565292
Опубликовано: 10.07.1996
Авторы: Артамонов, Ахинько, Гольдберг, Григорьев, Ильичев, Инкин, Липшиц, Шелюхин
МПК: H01L 21/335
Метки: затвором, полевых, самосовмещенным, транзисторов
1. Способ изготовления полевых транзисторов с самосовмещенным затвором, включающий формирование на подложке арсенида галлия затвора из ниобия либо нитрида ниобия и маскирующего затвор покрытия, формирование маскирующего покрытия под изготовление областей истока и стока, формирование областей стока и истока, отличающийся тем, что, с целью повышения воспроизводимости величины зазоров между истоком, стоком и затвором, после формирования покрытия под изготовление областей стока и истока проводят окисление подложки в атмосфере "сухого" кислорода при 400 600oС в течение 5 90 мин, затем отжигают подложку в среде водорода при 640 700oС в течение 10 50 мин, а после формирования областей истока и стока удаляют маскирующее...
Способ создания полевых транзисторов с затвором шоттки для сбис зу на арсениде галлия
Номер патента: 1559975
Опубликовано: 10.07.1996
Авторы: Артамонов, Ахинько, Гольдберг, Емельянов, Зыбин, Ильичев, Инкин, Кравченко, Липшиц, Полторацкий, Родионов, Шелюхин
МПК: H01L 21/283
Метки: арсениде, галлия, затвором, полевых, сбис, создания, транзисторов, шоттки
1. Способ создания полевых транзисторов с затвором Шоттки для СБИС ЗУ на арсениде галлия, включающий формирование истоковых и стоковых областей, нанесение защитного слоя, вскрытие в нем окон с помощью фотолитографии, локальное окисление подзатворной области, удаление оксида, формирование металлизации затвора, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных схем путем увеличения точности задания пороговых напряжений транзисторов посредством влияния на степень нестехиометрии поверхностного слоя арсенида галлия, локальное окисление проводят методом термического окисления в атмосфере сухого кислорода при 400 600oС в течение 5 90 мин, а удаление оксида проводят методом термического отжига в атмосфере водорода при 600...
Инвертор
Номер патента: 1649973
Опубликовано: 10.06.1996
Авторы: Емельянов, Зыбин, Ильичев, Инкин, Кравченко, Полторацкий, Родионов, Свешников, Шмелев
МПК: H01L 29/80
Метки: инвертор
Инвертор на комплементарных полевых транзисторах с затвором Шоттки с нормально закрытыми и открытыми каналами, выполненными на структуре, содержащей подложку из арсенида галлия, на которой последовательно расположены первый нелегированный слой арсенида галлия, первый сильнолегированный слой арсенида галлия, второй нелегированный слой арсенида галлия и контакты стоков, истоков и затворов, отличающийся тем, что, с целью уменьшения рассеиваемой мощности и уменьшения разброса параметров, между вторым нелегированным и первым сильнолегированным слоем арсенида галлия расположены два смежных слоя, один из которых является третьим нелегированным слоем, а другой вторым сильнолегированным слоем с типом проводимости, противоположным типу проводимости...
Лазер с полевым управлением
Номер патента: 1391424
Опубликовано: 10.06.1996
Авторы: Алавердян, Артамонов, Афанасьев, Жуков, Иванютин, Ильичев, Инкин, Минаждинов, Полторацкий, Шелюхин
МПК: H01S 3/19
Метки: лазер, полевым, управлением
Лазер с полевым управлением, содержащий полупроводниковую сильнолегированную подложку, на которой расположены слои, образующие двойную р-n-гетероструктуру (ДГС), полупроводниковый слой n-GaAs с контактами истока, стока и электродом затвора, а также омический контакт к подложке, отличающийся тем, что, с целью обеспечения работы лазера в непрерывном режиме путем улучшения теплоотвода, указанный полупроводниковый слой с контактами истока, стока и электродом затвора расположен по другую сторону подложки относительно слоев, образующих ДГС, а между ним и подложкой размещен монокристаллический изолирующий слой AlGaAs:O, причем в полупроводниковом и монокристаллическом изолирующем слоях имеется канавка с наклонными стенками, глубина которой больше...
Способ изготовления мдп-транзисторов
Номер патента: 1597018
Опубликовано: 27.05.1996
Авторы: Варламов, Емельянов, Ильичев, Инкин, Липшиц, Матына, Олейник, Пекарев, Полторацкий
МПК: H01L 21/205
Метки: мдп-транзисторов
Способ изготовления МДП-транзисторов, включающий формирование на подложке арсенида галлия n-типа проводимости областей истока и стока, осаждение слоя диэлектрика методом пиролиза, формирование электрода затвора, отличающийся тем, что, с целью повышения крутизны транзисторов, слой диэлектрика осаждают пиролитическим разложением диэтилдитиокарбамата цинка при температуре подложки 290 350oС и температуре испарителя диэтилдитиокарбамата 200250oС.
Способ изготовления полевых транзисторов с самосовмещенным затвором
Номер патента: 1628766
Опубликовано: 27.05.1996
Авторы: Ахинько, Ильичев, Инкин
МПК: H01L 21/18
Метки: затвором, полевых, самосовмещенным, транзисторов
...лучшей однородности толщины маскирующего покрытия) уменьшается дисперсия сопротивления областей истоков и позволяет снизить температуры вжиганий 50 стоков по плоскости подложки, Температурные режимы в предлагаемом способе выбраны из соображений минимизации удельногосопротивления,о областей истока - стокапри удовлетворительной морфологии поверхности контакта при температурах меньше 410 С (425 С) р1 Ом мм (для и-типаобластей) и р5 Ом мм (для р-типа) притемпературах430 С (435 С) ухудшаетсяморфология поверхности омических контактов областей истока - стока,Неизвестно формирование защитныхпокрытий (сквозь которые осуществляетсяимплантация примеси) посредством низкотемпературного окисления подложки арсенида галли,я, что позволяет судить...
Способ получения диэлектрических покрытий
Номер патента: 940601
Опубликовано: 20.05.1996
Авторы: Емельянов, Ильичев, Инкин, Полторацкий, Родионов, Слепнев
МПК: H01L 21/205
Метки: диэлектрических, покрытий
1. Способ получения диэлектрических покрытий на подложках арсенида галлия и твердых растворов типа CaAlAs, включающий размещение подложек в реакторе, их нагрев, формирование пассивирующих и диэлектрических слоев, отличающийся тем, что, с целью улучшения электрофизических свойств границы раздела диэлектрический слой подложка за счет уменьшения плотности поверхностных состояний, диэлектрический слой формируют методом осаждения из газовой фазы, содержащей триметилалюминий, арсин, кислород при мольных соотношениях алюминия, мышьяка и кислорода 1:(5-10):(10-3 10-5) соответственно и температуре подложек 600 650oС.2. Способ получения диэлектрических покрытий по п. 1, отличающийся тем,...
Литейный сплав на основе алюминия для сварных соединений
Номер патента: 1767915
Опубликовано: 30.07.1994
Авторы: Белов, Губорева, Инкин, Лоскутов, Нефедова, Побежимов, Постников, Прохорова, Черкасов, Щербаков
МПК: C22C 21/06
Метки: алюминия, литейный, основе, сварных, соединений, сплав
ЛИТЕЙНЫЙ СПЛАВ НА ОСНОВЕ АЛЮМИНИЯ ДЛЯ СВАРНЫХ СОЕДИНЕНИЙ, содержащий магний, цирконий, бериллий, марганец и хром, отличающийся тем, что, с целью повышения литейных свойств сплава, механических свойств сварных соединений, эксплуатационной надежности и жаропрочности сплава и его сварных соединений, он дополнительно содержит скандий и ниобий при следующем соотношении компонентов, мас.%:Магний 7,5 - 8,5Цирконий 0,1 - 0,2Бериллий 0,1 - 0,2Марганец 0,1 - 0,2Хром 0,1 - 0,2Скандий 0,1 - 0,3Ниобий 0,01 - 0,05Алюминий Остальное
Способ формирования тонкой высокотемпературной сверхпроводящей пленки на основе иттрия
Номер патента: 1823932
Опубликовано: 23.06.1993
Авторы: Инкин, Князев, Кулик, Махов, Павлов, Самсонов
МПК: H01L 39/12, H01L 39/24
Метки: высокотемпературной, иттрия, основе, пленки, сверхпроводящей, тонкой, формирования
...с энергией менее 1 эВ; потоком тяжелых части плазмы с энергией 0,1 эВ и потоком электромагнитного излучения10 эВ). Эти воздействия обеспечивают низко- температурную нетепловую модификацию пленок буферного слоя эа время воздействия менее одной секунды. Отсутствие высокоэнергетических частиц обеспечивает формирование совершенной кристаллической структуры на поверхности и в приповерхностном слое буферной пленки, что позволяет приблизить свойства буферных слоев к свойствам монокристаллических пластин соответствующих материалов. Обеспечивается согласование кристаллических структур ВТСП пленки и буферного слоя. В сочетании с очисткой поверхности от адсорбированных слоев это создает условия для формирования вышележащих ВТСП пленок...
Раздаточный кран
Номер патента: 1787931
Опубликовано: 15.01.1993
Авторы: Инкин, Исаев, Кабанов, Кострикин
МПК: B67D 5/00
Метки: кран, раздаточный
...в нем установлен дисковый отсекатель 3, жесткозакрепленный с одним концом полого сливного патрубка 4 и имеющий внутри своегокорпуса проточную цилиндрическую камеру5 Г-образной формы. На втором конце сливного патрубка 4 с помощью резьбового соединения установлена мерная трубка 6 со скошенным концом, откалиброванная а единицах объема заполняемой емкости, на котором с помощью фиксаторов 7 с возможностью линейного перемещения установлен цилиндрический поплавок 8, выполненный из материалов с малым весом.Топлиаораздаточный кран работает следующим образом; на конец сливного патрубка 4 устанавливают с помощью резьбового соединения мерную трубу 6, откалиброванную в единицах объема заполняемой емкости. На мерную трубку 6 посредством фиксаторов и...
Материал для электродов долговечных искровых разрядников
Номер патента: 906291
Опубликовано: 30.08.1992
Авторы: Инкин, Киселев, Малинов, Москвичева, Савранская, Туманов, Файфер
МПК: H01J 17/04, H01J 19/30
Метки: долговечных, искровых, материал, разрядников, электродов
...свойства сомпозиции Пластичность резко возрастает при измеокись сгпонция при следующем соот 1(ошег(1.1 комОгентогз, ма с, 4:О (:, и ;. , Г т)1 ц , я 2)0-5,5Г) (с:.1 ь 2,0-3,5ВО г(ьф а )"1 (ЗС та П ЫОР1 л -.о ) (и 1( вещес Гвами для полУОкись стронция - 3)54) вольфрамОстальное, в 600 мл дистиллированнОЙ воды растворяют 1(6,8 г азотнокислого сгронция Бз.(г 10 ) марки ЧДА3 2и 85 г азотнокислого никеля 11(110 з) л3)6 Н О марки 11 Лд, Е раствору добавляют при перемешивании порошок вольфрамового ангидрида УО, марки Чз(Д585 г,В полученную суспензлю прл непрерЫвном перемешивании вводят растворуглекислого аммония (1)1 Н,) СО марки4 2 3(1 Ю (107 г в 950 мл воды), ОсадокотделяЮт фильтрованием, сушат прио130-150 С, восстанавливают в водороде при...
Электрический чайник
Номер патента: 1741293
Опубликовано: 15.06.1992
Авторы: Ельшин, Инкин, Казанский
Метки: чайник, электрический
...сопротивлением пу" кой 6. часть вторичной обмотки, ох"ти теплопередачи между токопроводя- . ватывающая магнитопровод 5., исполь"щим резистором и поверхностью тРУб-зуется в качестве опорных стоек 7чатого нагревателя; ограниченная . (фиг.2), образующих многолучевуюэлектробезопасность чайника из-за звезду, число лучей которой по крайвозможности появления электрическогоней мере три.потенциала у нагреваемой воды и обо" Первичная обмотка 6 изолированалочки чайника (соизмеримого с напря- от магнитопровода 5 электроизоляжением сети 220 В) в случае пробоя ционным слоем 8 и может .быть располо"изоляции токопроводящего резистора; 4 жена, например, как на фиг.1,затрудненность санитарной оЬработки Подключение чайника к сети осу".внутренней....
Способ рафинирования алюминия и его сплавов
Номер патента: 1652369
Опубликовано: 30.05.1991
Авторы: Белов, Гусаров, Инкин, Курдюмов, Палачев, Сурмило
МПК: C22B 9/10
Метки: алюминия, рафинирования, сплавов
...трубопровод 2 с сопловой насадкой 3 и резервуаром 1, прикрепленным к трубопроводу. Перед погружением в расплав в резервуар загружается мерное количество флюса, а по трубопроводу подается инертный газ от сети высокого давления. Под действием тепла жидкого металла рафинирующий флюс расплавляется и, всплывая через отверстия в верхней части резервуара, попадает в зону действия струи инертного газа. Струя инертного газа попадает в расплав с высокой скоростью 250-300 м/с и обладает большим запасом кинетической знергии, что обеспечивает интенсивное дробление капель флюса. Наличие флюса на поверхности газового пузыря значительно облегчает переход во дорода в среду инертного газа и активизирует флотацию частиц неметаллических включений,...
Захват для испытания трубчатых образцов на растяжение
Номер патента: 1649367
Опубликовано: 15.05.1991
Авторы: Инкин, Панарин, Сулаквелидзе
МПК: G01N 3/04
Метки: захват, испытания, образцов, растяжение, трубчатых
...применение выбранного шага резьбы. В захвате использована разрезная многокулачковая цанга 1,имеющая восемь кулачков 19 и по краям двараспределительных резиновых кольца 20;Длина О цилиндрической части бандажа превышает длину 1 2 захватного участкаобразца на 5%. Бандаж, длина .з которого,и цанга, длина О которой, выполнены равными. т,е, О.4.Бандаж и цанга выполнены из металла 20с числом твердости, близким к поверхностииспытуемого образца. В частности, бандажи цанга изготовлены из дюрали Д 16, числотвердости по Бринелю которой немногопревышает твердость поверхности образца 25из композитного материала, например высокомодульного пластика типа ТС,Захват собирается и работает следующим образом.Конус 2 с надетой на него цангой 1 и...
Способ рафинирования алюминия и его сплавов
Номер патента: 1636464
Опубликовано: 23.03.1991
Авторы: Белов, Гусаров, Инкин, Курдюмов, Палачев, Пивоваров, Шуин
МПК: C22B 21/06
Метки: алюминия, рафинирования, сплавов
...истечения при предлагаемых параметрах находится в интервале 50-300 м/с.Струя газа, обладающая такой скоростью, имеет большую кинетическую энергию так что, встречая на своем пути препятствие в виде металлического расплава, она цробится на мелкие пузырьки, что приводит, к увеличению поверхности контакта между металлом и рафинирующим газом и, как следствие, к более эффективному использованию его и уменьшению времени дегазации.за из сопла 250 м/с. Время обработки2 мин, Пористость после обработкиоценивается 1 баллом по ГОСТУ,Формула изобретения Значение скорости истечения газа, м/с,при давлении газа в хурме, атм Отношение диаметра сопла кего длине 1 1 2 6 10 12 50 80 100 100 90 80 100 125 180 250, 280 250 300 300 250 300 300 180 260...
Способ изготовления зубцово-пазовой зоны магнитопровода
Номер патента: 1495927
Опубликовано: 23.07.1989
Авторы: Верхоглядов, Инкин
МПК: H02K 15/02
Метки: зоны, зубцово-пазовой, магнитопровода
...при изготовлении гофрированных магнитопроводов.Цель изобретения - упрощение технологии изготовления.На фиг. 1 изображен раскрой рулонной стали на заготовки; на фиг. 2 - йента, используемая как заготовка ля формовки зубцово-пазовой зоны; Иа фиг. 3 - процесс формовки зубцов , цазовой зоны.Способ осуществляют следующим .образом. Разрезают стальную ленту на полосы необходимой ширины, Затем на Ьолосе выполняют поперечные просечки 1 на расстоянии 1 друг от друга, 1 равном или кратном длине магнитопроВода, т.е, если 1 - длина магнитопроВода, то расстояние между просечками соответственно 1 21, 31,и т.д.) . Продольные просечки 2 выполняют на Одинаковом расстоянии от кромок поЛосы так, что продольные и поперечные просечки образуют непрерывную...
Магнитопровод электрической машины
Номер патента: 1464247
Опубликовано: 07.03.1989
Авторы: Верхоглядов, Инкин
МПК: H02K 1/16
Метки: магнитопровод, электрической
...2 - раскрой полосы стали при штамповке, например, квадратных листов; на фиг. 3 - внутренний пакет составного 10 магнитопровода; на фиг. 4 - внешний пакет составного магнитопровода.Магнитопровод выполнен составным в радиальном направлении, причем, внутренняячасть магнитопровода 1 шихтована из листов, включающих зубцы, пазы и часть ярма, 1 внешняя часть магнитопровода 2 шихтована из листов, повернутых один относительно другого вокруг оси магнитопровода на угол, менЪший зубцового деления. Листы, из которых шихтуются внешняя 2 и внутренняя 1 части магнитопровода, получены путем штамповки рулонной стали 3. Из листов 1 собирается внутренняя часть, а из листов 2 собирается внешняя часть магни топровода, Внутренняя часть магнитопровода при...
Устройство “ахтуба” для опрессовки пластичных материалов
Номер патента: 1305053
Опубликовано: 23.04.1987
Авторы: Вернигоров, Инкин, Юров
МПК: B29D 30/00
Метки: ахтуба, опрессовки, пластичных
...У наружного торца корпуса 2 выполнен замкнутый кольцевой поясок 10 для натяга диафрагмы 6, Корпус 2 имеет внутреннюю канавку 1, сообщающуюся с впускным отверстием 4.Устройство при опрессовке пятки 2 вентиля 13 работает следующим образом.После установки вентиля 13 на камерный рукав 14 вентиль подают в зону опрессовки. Устройство перемещают вертикально вниз и прижимают пятку 12 к камерному рукаву 14 через диафрагму 6. Одновременно с опусканием устройства в диафрагму 6 через канал 8 подают рабочий агент (сжатый воздух, пар, жидкость под давлением). Рабочий агент, выходя из впускного отверстия 4, попадает во внутреннюю канавку 11.При этом благодаря наполнению диафрагмы 6 корпус 2 поднимается до тех пор, пока давление рабочего агента...
Плоский двухкоординатный двигатель
Номер патента: 1096739
Опубликовано: 07.06.1984
Авторы: Горбатенков, Инкин, Свинцов
МПК: H02K 41/02
Метки: двигатель, двухкоординатный, плоский
...в виде ферромагнитной плиты с прямоугольными зубцаМи 23. 30 Поставленная цель достигается тем, что в плоском двухкоординатном дви гателе, содержащем якорь с распределенной обмоткой и индуктор в виде ферромагнитной плиты с прямоугольными зубцами, ферромагнитная плита выполнена из отдельных склеенных между 50 собой ячеек, каждая из которых представляет собой прямоугольную призму, в основании которой лежит квадрат, в углах верхнего основания каждой из призм имеются прямоугольные выступы с одинаковым поперечным сече 35Недостатки известного двигателя в недостаточно высоком тяговом усилии и в сложной технологии изготовления.Цель изобретения - повышение тяго вого усилия и упрощение технологии изготовления двигателя. нием, суммарная...
Аммиачная компрессионная холодильная установка
Номер патента: 1062479
Опубликовано: 23.12.1983
Авторы: Державец, Инкин, Медникова, Плетинский, Плотников, Харченко, Шувалов
МПК: F25B 1/00
Метки: аммиачная, компрессионная, холодильная
...и испарителем-аккумулятором и между отделителем жидкости и аммиачным компрессором, асвоьодные патрубки четвертого рассекателя включены в линию связи испарителя"аккумулятора с дренажным реси"50вером,На чертеже схематично представлена описываемая установка.Она содержит контур 1 циркуляциихладагента, в котором установленыаммиачный компрессор 2, кондесатор 3,дроссель 4, испаритель-аккумулятор5 холода с подключенным к нему потреьителем 6 холода и отделитель 7жидкости, дренажный ресивер 8, под"ключенный линиями 9 и 10 связи к 60конденсатору 3 и испарителю-аккумулятору 5,. линию 11 продувки с воздушным компрессором 12, сборником 13сжатого воздуха и водяным баком 14на конце, рассекатели 15 - 18, запор"65 ные вентили 19 - 35, насос 36 и...
Способ определения параметров электронно-ионных колец
Номер патента: 943623
Опубликовано: 15.07.1982
Авторы: Инкин, Мозелев, Саранцев
МПК: G01T 1/29
Метки: колец, параметров, электронно-ионных
...аналиЭ зирующей аппаратуры, испольэоватьАЦП с малым "мертвым" временем налинии с мини-ЭВИ, что позволяет производить измерение параметров в каждом цикле ускорителя.10 Аналогичные расчеты для других тяжелых и средних элементов, ускоряев мых на коллективном ускорителе тяжелых ионов, показывают пригодностьданного способа.15 Способ диагностики электронноионных колец по обратному комптоновскому рассеянию отличается от способа, основанного на регистрации характеристического рентгеновского из2 В лучения. где Ч - объем электронного кольца,Измеряя интенсивность рассеянного излучения по формуле (4), легкоопределить и, Ч - полное число ионо4в электронном кольце, зная остальные параметры, входящие в формулу,в настоящее время они .с...