Мдп-транзистор — Метка (original) (raw)
Патенты с меткой «мдп-транзистор»
Мдп-транзистор
Номер патента: 782639
Опубликовано: 30.10.1990
Авторы: Бачурин, Бычков, Гаврилюк
МПК: H01L 29/76
Метки: мдп-транзистор
...степень компоновки Чобразных канавок под электродомзатвора и в результате этогоуменьшается емкостная составляющаобая,15 о условленная площадью перекрытия областей истока электродом затвора, а . также увеличи-вается величина выходной мощностимаксимального тока стока и крутизнына единицу площади структуры активной области прибора,обеспечивается более равномерноераспределение тока по структуре прибора и таким образом уменьшаетсяомическое сопротивление канала, или,что то же самое, остаточное напряжение стока во включенном состоянии иповышается надежность прибора. ЗО На фиг. 1 и 2 дан вид сверху и поперечное сечение структуры активной области МДП-транзистора, где элект род затвора 1, Ч-образные канавки 2, . проекция которых 3 на рабочую...
Мдп-транзистор
Номер патента: 1762342
Опубликовано: 15.09.1992
МПК: H01L 29/784
Метки: мдп-транзистор
...диэлектрического слоя расположены метал. лические контакты к стоковой, истоковоР диффузионным областям и второму управ. ляющему затвору. Основным условиеь работы МДП-транзистора является обеспе чение электрической связи между первым и вторым управляющими затворами. В качестве маскирующего слоя могу 1 быть использованы слои двуокиси кремния нитрида кремния и т.д., при этом маскирующий слой расположен непосредственно над областью канала,Использование двух управляющих затворов из поликристаллического кремния и маскирующего слоя, обеспечивающего электрическую связь между первым и вторым управляющим затворами, позволяет повысить надежность работы МДП-транзистора практически при любой толщине первого диэлектрического слоя (подзатворного...
Составной мдп-транзистор
Номер патента: 1501803
Опубликовано: 15.02.1994
Авторы: Мальцев, Милошевский, Нагин, Тюлькин
МПК: G11C 11/40
Метки: мдп-транзистор, составной
СОСТАВНОЙ МДП-ТРАНЗИСТОР, содержащий последовательно включенные однотипные МДП-транзисторы с обедненным каналом, причем исток и затвор первого однотипного МДП-транзистора является соответственно истоком и затвором составного МДП-транзистора, исток каждого последующего однотипного МДП-транзистора соединен со стоком предыдущего однотипного МДП-транзистора, сток последнего однотипного МДП-транзистора является стоком составного МДП-транзистора, отличающийся тем, что, с целью расширения области применения составного МДП-транзистора, затвор каждого последующего однотипного МДП-транзистора соединен с истоком предыдущего однотипного МДП-транзистора.
Мдп-транзистор
Номер патента: 1507145
Опубликовано: 15.02.1994
Авторы: Лепилин, Мамичев, Прокофьев, Урицкий
МПК: H01L 29/784
Метки: мдп-транзистор
МДП-ТРАНЗИСТОР, включающий кремниевую полупроводниковую подложку первого типа проводимости, сформированные в ней области стока и истока второго типа проводимости, затвора над областью канала, состоящего из трех частей, две из которых примыкают к областям стока и истока, а третья область расположена между ними и имеет более высокую концентрацию легирующей примеси по сравнению с двумя другими, причем минимальные размеры третьей области превышают ширину области пространственного заряда при инверсии на ее поверхности, отличающийся тем, что, с целью обеспечения работоспособности МДП-транзистора при низких температурах, подложка имеет концентрацию легирующей примеси, выбранную в интервале 1013 - 5
Мдп-транзистор
Номер патента: 1355061
Опубликовано: 30.03.1994
Авторы: Лепилин, Мамичев, Прокофьев, Урицкий
МПК: H01L 29/36
Метки: мдп-транзистор
МДП-ТРАНЗИСТОР , содеpжащий полупpоводниковую подложку, pасположенные в ней область канала пеpвого типа пpоводимости, область стока и истока втоpого типа пpоводимости, электpод затвоpа, pасположенный на слое диэлектpика, пеpекpывающий область канала и частично области стока и истока, отличающийся тем, что, с целью уменьшения минимального напpяжения на стоке, обеспечивающего pаботу тpанзистоpа пpи кpиогенных темпеpатуpах, концентpация легиpующей пpимеси в частях областей стока и истока на гpанице пеpекpытия их затвоpом не ниже значения, соответствующего выpождению полупpоводниковой подложки.
Мдп-транзистор
Номер патента: 1774795
Опубликовано: 10.02.1996
Авторы: Бородин, Кондратьев
МПК: H01L 29/772
Метки: мдп-транзистор
МДП-ТРАНЗИСТОР, содержащий подложку первого типа проводимости, области истока и стока второго типа проводимости, причем область стока выполнена составной в виде n+ - n-перехода и затвор, отличающийся тем, что, с целью расширения области рабочих температур транзистора до гелиевых, в области пространственного заряда стока создан градиент a примеси в направлении от истока к стоку, величина которого удовлетворяет условию a < 0,4 мкм-1 ng, где Ng - концентрация примеси в n(p) области стока.
Высоковольтный мдп-транзистор
Номер патента: 1828723
Опубликовано: 10.02.1996
Авторы: Логинов, Лопатина, Фролов
МПК: H01L 29/78
Метки: высоковольтный, мдп-транзистор
1. ВЫСОКОВОЛЬТНЫЙ МДП-ТРАНЗИСТОР, содержащий полупроводниковую подложку первого типа проводимости, сильнолегированные области истока и стока второго типа проводимости, диэлектрик затвора, затвор, электроды истока и стока, первую слаболегированную область второго типа проводимости, сформированную в подложке под краем затвора с стороны стока, вторую дрейфовую область второго типа проводимости с промежуточной концентрацией примеси по отношению к первой дрейфовой области и к стоку и расположенную между первой дрейфовой областью и стоком, и полевую плату, расположенную над дрейфовыми областями, покрытыми толстым диэлектриком и соединенную с истоком и затвором, отличающийся тем, что, с целью повышения пробивного напряжения стока и стабильности...
Мдп-транзистор
Номер патента: 1809707
Опубликовано: 10.08.1996
Авторы: Довнар, Красницкий, Смаль
МПК: H01L 29/772
Метки: мдп-транзистор
...областей,Расстояние в плане между областью с меньшей концентрацией и областью с большей концентрацией составило 0,8 мкм, При расстоянии между областями с меньшей и большей концентрациями, равном 0,8 мкм оценку эффективности предлагаемой конст. рукции провели при условии, что диффузионный профиль дополнительного слоя совпадает с границей профиля областью большей концентрации, лежит посередине между профилями областей и на расстоянии 0 1 мкм.Оценку эффективности предлагаемой конструкции провели посредством замера параметра надежности (тока подложки), параметра быстродействия (задержка на каскад) и параметра короткоканальности (коэффициент короткого канала), Ток подложки 1 замерялся при напряжениях на стоке, затворе и подложке 5 в, 2 в,...