Гаштольд — Автор (original) (raw)
Гаштольд
Фотоприемник
Номер патента: 686563
Опубликовано: 27.06.1999
Авторы: Верходанов, Гаштольд, Герасименко, Домахин, Зайцев, Логинова
МПК: H01L 31/0288
Метки: фотоприемник
1. Фотоприемник на основе полупроводниковой подложки с по крайней мере одной ячейкой, содержащей фоточувствительную зону, отличающийся тем, что, с целью увеличения чувствительности и расширения ее спектральной области в длинноволновую часть спектра, фоточувствительная зона содержит изоэлектронную примесь с концентрацией 1018 - 1021 см-3.2. Фотоприемник по п.1, отличающийся тем, что полупроводниковая подложка выполнена из кремния, а фоточувствительная зона содержит примесь элемента, выбранного из IV группы Периодической системы, преимущественно германия.
Полупроводниковый прибор
Номер патента: 824831
Опубликовано: 20.06.1999
Авторы: Верходанов, Гаштольд, Герасименко
МПК: H01L 29/02
Метки: полупроводниковый, прибор
Полупроводниковый прибор на основе кристалла с p-n-переходом, содержащего область с дефектами структуры, отличающийся тем, что, с целью уменьшения токов утечки и собственных шумов, указанная область выполнена на расстоянии от p-n-перехода, не превышающем диффузионную длину примеси, и имеет дефекты типа введений второй фазы, объем которых в ней 1 - 10%.
Способ изготовления элементов памяти
Номер патента: 795319
Опубликовано: 20.06.1999
Авторы: Верходанов, Гаштольд, Герасименко
МПК: H01L 21/265
Способ изготовления элементов памяти, включающий последовательное формирование на полупроводниковой подложке первого туннельно тонкого слоя диэлектрика, второго слоя диэлектрика, обладающего эффектом запоминания, и электрода, отличающийся тем, что, с целью повышения времени хранения записанной в элемент памяти информации, перед формированием электрода производят ионное легирование второго слоя диэлектрика ионами элементов из группы веществ, атомный вес которых превышает атомный вес каждого из составляющих диэлектрик элементов, включающей фосфор, аргон, галлий, мышьяк и криптон, с дозой (5 1014 - 1
Мдп-транзистор
Номер патента: 1762342
Опубликовано: 15.09.1992
Авторы: Гаштольд, Колкер
МПК: H01L 29/784
Метки: мдп-транзистор
...диэлектрического слоя расположены метал. лические контакты к стоковой, истоковоР диффузионным областям и второму управ. ляющему затвору. Основным условиеь работы МДП-транзистора является обеспе чение электрической связи между первым и вторым управляющими затворами. В качестве маскирующего слоя могу 1 быть использованы слои двуокиси кремния нитрида кремния и т.д., при этом маскирующий слой расположен непосредственно над областью канала,Использование двух управляющих затворов из поликристаллического кремния и маскирующего слоя, обеспечивающего электрическую связь между первым и вторым управляющим затворами, позволяет повысить надежность работы МДП-транзистора практически при любой толщине первого диэлектрического слоя (подзатворного...
Элемент памяти для постоянного запоминающего устройства (его варианты)
Номер патента: 1149789
Опубликовано: 15.07.1992
Авторы: Гаштольд, Камбалин
МПК: G11C 11/40
Метки: варианты, его, запоминающего, памяти, постоянного, устройства, элемент
...подложкеодного тийа проводимости (55)иг.1)распопожены дигон,узионные области 2другого типа проводимости. ььа полупроводнь(ковОЙ подложкР с частичнымперекрытием одних краев областей 2рас.по 5 ьояен диэлектрическии слОи51 а ПОДЛОЖКЕ РаСГ 5 ОЛО 515 ЕНЬЬ ДИЭЛЕКтРИческий слой ьь с перекрытием краевОбластеи 2, а на нем - диэлектрический лОЙ 5. Оба этих слоя образуютзатворный диэлектрик, На затворномдиэлектрике находится проводящийэлеьтрод, состоящий из двух полупроводниковьх слоев 6 и 7, расположенных друг на друге и образующих р-г 5- переход Второй вариант (59 иг,2) отличдРтся От первого тРИ чтО полупроводниковые слои, образующие Р-л-переход, 1 ьасположены смежно Отььосительно друг друга.Рассмотрим .работу элемента памяти,огда...
Полупроводниковое устройство
Номер патента: 921387
Опубликовано: 23.04.1988
Авторы: Верходанов, Власов, Гаштольд, Калиников, Кольдяев
МПК: H01L 27/04, H01L 29/78
Метки: полупроводниковое
...затвора в области канала,На чертеже изображено сечение полупроводникового устройства, состоящее из полупроводниковой подложки 1, например, р-типа проводимости, эпитаксиального слоя 2 противоположного типа проводимости, областей 3, 4 верхнего, нижнего. затворов, областей 5 каналов, областей б истока (стока), легированной области 7 канала.Как видно из чертежа, канал состоит из двух областей: неравномерно легированной и нелегированной.В эпитаксиальной области 5 канала легирующая примесь распределена однородно и соответствует уровню легирования исходной эпитаксиального слоя М, тогда как в области 7, которую создают с помощью операций диффузии или ионного легирования, концентрация примеси не постоянна, а уменьшается от значения, соответст"...
Геттер для уменьшения уровня шумов
Номер патента: 668502
Опубликовано: 23.04.1988
Авторы: Верходанов, Гаштольд
МПК: H01L 21/18
Метки: геттер, уменьшения, уровня, шумов
...повыше ния эффективности очистки, но цриэтом ухудшить качество других электрофизических параметров изготавливаемого устройства,4. Ограниченность применения, поскольку геттер может использоватьсяв производстве очень небольшой номенклатуры изделий, которые должны удовлетворять следующим условиям; во-первых, не иметь электрического контакта со стороны подложки, посколькуслой геттера является диэлектриком,во-вторых, изготавливаться только спомощью метода термической диффузии.Целью настоящего изобретения является повышение воспроизводимостии эффективности геттера,Поставленная цель достигаетсятем, что в качестве геттера используют соединения типа БдК, где К -металлоиды 1 Ч, Ч и Ч 1 групп периодической системы, преимущественно углерод или...
Способ изготовления тонкопленочных конденсаторов
Номер патента: 297326
Опубликовано: 05.02.1975
Авторы: Гаштольд, Кутолин, Остаповский, Степанов, Тепман
МПК: H01G 13/00
Метки: конденсаторов, тонкопленочных
...электродов и ди электрика. Это приводит к перерасходу мате риала и уменьшению пробивного напряже Цель изобретения - зкономия материала, увеличение пробивного напряжения и получение однородной границы металл-диэлектрик,Это достигается тем, что диэлектрическую пленку конденсатора и его электроды получают путем последовательного испарения нитридов переходных металлов при температурах испарения, С:исп= 1300 - 1350поп = 1750 - 2000Изобретение поясняется чертежом, на котором приведен общий вид и разрез узла тонкопленочных емкостных элементов, где: 1 - нижний электрод - нитрид алюминия с металлической гроводпмостью, 2 - диэлектрик - нитрид алюминия с высоким удельным сопротивлением, 3 - верхний электрод - нитрид алюми. ния с металлической...