Монокристалле — Метка (original) (raw)
Патенты с меткой «монокристалле»
Способ определения группы симметрии позиции парамагнитных центров в монокристалле
Номер патента: 481827
Опубликовано: 25.08.1975
Авторы: Булка, Винокуров, Гайнуллина, Низамутдинов
МПК: G01N 27/78
Метки: группы, монокристалле, парамагнитных, позиции, симметрии, центров
...относительно кристаллографических осей, которые задаются группои направлении монокристалла, и проводят определение схемы вырождения спектров ЭПР от изучаемых пааьлгнитных центров на спектрометре ЭПР 20Экспериментально определенные схемы вырождения сопоставляются с вычисленными теоретически схемами вырождения по приведенному соотношннию и при сопоставлении опредгляют группу симмет рии позиции парамагнитных центров.9 клК = - =Хпсл л ал вК,л- индекс Лауэ группы симметрии 6,лзо 2соответствующей позиции парамагнитногоцентра:3 л- ПОРЯДОК этой гРУппы;С,- лауэвская группа симметрии исследуЕМОГО КРИСталла3;- порядок Лауэ группы симметрииисследуемого кристалла;и; степень вырождения спектров ЭПР,При этом количество наблюдаемых...
Способ регистрации фазового перехода первого рода в монокристалле
Номер патента: 545908
Опубликовано: 05.02.1977
Автор: Нитц
МПК: G01N 23/20
Метки: монокристалле, первого, перехода, регистрации, рода, фазового
...рассеяния на каждот зародыше уширена, поэтому диапазон длин волн нейтронов, испытывающих дифракцию на зародышах цовой фазы, значительно больше, чем ца толстых доменах матричной фазы. Вследствие этого в случае достаточно большого числа центров зародышеобразования (дислокаций, примесей, границ доменов) ца пути первичного пучка в точке фазового перехода отношение интенсивности нейтронов, рассеянных на доменах новой фазы к интенсивности рассеяния на доменах матрич545908 Формула изобретения Составитель К. КононовТехред В. Рыбакова Корректор И, Симкина Редактор С, Титова Заказ 124/295 Изд, М 435 Тирак 1054 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий Москва, Ж, Раушская наб., д, 4/5Тип,...
Способ исследования многоволно-вого рассеяния рентгеновских лучейна монокристалле
Номер патента: 811122
Опубликовано: 07.03.1981
Авторы: Безирганян, Габриелян
МПК: G01N 23/20
Метки: исследования, лучейна, многоволно-вого, монокристалле, рассеяния, рентгеновских
...фона в пучке.Такой пучок может быть получен с помощью двухблочного интерферометра, в первом блоке которого возбуждается окольный пучок, играющий роль первичного пучка для второго блока. Окольный пучок, возбужденный в первом блоке, автоматически будет в положении многоволнового отражения во втором блоке, в частности отражение (200) во втором блоке автоматически возбудит трехволновую конфигурацию (111) и (200).Интерферометр состоит из двух параллельных одинаковых монокристаллических пластин (блоков), из практически бездислокационного монокристалла германия на общем основании. Размеры больших поверхностей блоков 25(20 мм, расстояние между ними 5 мм. Блоки вырезаны таким осразсм, что плоскость (111) является боковой поверхностью...
Устройство для измерения полей микронапряжений в монокристалле
Номер патента: 1067416
Опубликовано: 15.01.1984
Авторы: Балабанов, Ковтун, Нежевенко
МПК: G01N 21/23
Метки: микронапряжений, монокристалле, полей
...может быть очень малой (не менее0,1 мм), что в свою очередь не позволяет измерять поля микронапряженийв исследуемом монокристалле с высоким пространственным (0,01 мм) разрешением. Кроме того, не обеспечивается воэможности получения и регистрации коноскопических картин одновременно от нескольких областей исследуемого монокристалла, что существенно увеличивает затраты временина проведение измерений полей микронапряжений в монокристалле. Приэтом устройство требует использования дорогостоящих линз Лазо и Бертрана, которые нуждаются в тщательнойюстировке,Цель изобретения - сокращениезатрат времени на измерение полей 0микронапряжений в. монокристалле.Цель достигается тем, что в устройстве для измерения полей микронапряжений в...
Способ формирования периодической доменной структуры в монокристалле сегнетоэластика редкоземельного молибдата
Номер патента: 1184031
Опубликовано: 07.10.1985
Авторы: Алексеев, Крайнюк, Носенко, Отко, Проклов
МПК: H01L 41/22
Метки: доменной, молибдата, монокристалле, периодической, редкоземельного, сегнетоэластика, структуры, формирования
...1101 или 1101 монокристалла,84031 г,Г ИПИ Заказ 6277/52 Тираж 678 Подписно Филиал ППП "Патент", г.ужгород,ул,Проектная, 11Изобретение относится к вычислительной технике и автоматике и можетбыть использовано при разработкеразличных приборов акустоэлектроники и оптики.Целью изобретения является повы -шение точности способа Формирования периодической доменной структуры в монокристалле сегнетоэластикаредкоземельного молибдата.На Фиг. 1 показан пример реализации предложенного способа Формирования периодической доменной структуры в образце монокристалла; наФиг, 2 - Фотографии получаемых доменных структур,Образец монокристалла 1 (Фиг. 1)закрепляют в держателе 2, например,с помощью клеевого соединения, Механический крутящий момент к образцу...
Способ записи информации в монокристалле linbo
Номер патента: 1524091
Опубликовано: 23.11.1989
МПК: G11C 11/42
Метки: linbo, записи, информации, монокристалле
...маску, повторяющую формуоптического иэображения, Нагреваюткристалл до 120-140 С, охлаждают,снимаю 1 маску, В результате этого 2 ическими средствами, ения является повыше сти способа записи информкристалле Ь 1 ИЬОз полярногоСпособ заключается в том,лярный срез монокристалланакладывают проводящую масряющую записываемую информталл нагревают до 140 С идо комнатной температуры,мают, Считывание записанножения осуществляется при пкристалла между скрещеннымидами и наблюдении кристалл ость способа запи вана на том, чтониобата лития является силь оэлектриком, В процессе нагр т 20 до 140 С на поверхности ла наблюдается появление пирического заряда, который пе еделяется в соответствии с проводящей маски, При охлажосителя заряда, экранирующие...
Способ создания лазерноактивных f2 -центров окраски в монокристалле фторида лития
Номер патента: 1261534
Опубликовано: 10.09.2013
Авторы: Васильев, Исянова, Лобанов, Ломасов, Максимова, Овчинников
МПК: H01S 3/16
Метки: лазерноактивных, лития, монокристалле, окраски, создания, фторида, центров
Способ создания лазерноактивных -центров окраски в монокристалле фторида лития, включающий охлаждение и облучение монокристалла ионизирующим излучением, отличающийся тем, что, с целью снижения величины поглощения неактивных центров окраски при одновременном упрощении создания -центров окраски, перед охлаждением монокристалл облучают при комнатной температуре в интервале доз 5·108 - 5,1·108 P, затем охлаждают его до температуры -20°С - 0°С, ограничивающей подвижность анионных вакансий, и облучают при этой...
Способ создания лазерноактивных центров окраски в монокристалле фторида лития с примесями
Номер патента: 1245207
Опубликовано: 10.09.2013
Авторы: Лобанов, Максимова, Щепина
МПК: H01S 3/16
Метки: лазерноактивных, лития, монокристалле, окраски, примесями, создания, фторида, центров
Способ создания лазерноактивных центров окраски в монокристалле фторида лития с примесями, включающий термическую обработку и последующее облучение монокристалла ионизирующим излучением, отличающийся тем, что, с целью повышения концентрации -центров окраски и создания -центров окраски, монокристалл перед термической обработкой предварительно облучают ионизирующим излучением в интервале доз 5·107 - 108 P и проводят его термическую обработку в течение 30-60 мин в температурном интервале 220-250°С, затем монокристалл охлаждают...