Безирганян — Автор (original) (raw)
Безирганян
Способ получения рентгеновских проекционных топограмм
Номер патента: 1748030
Опубликовано: 15.07.1992
Авторы: Абоян, Безирганян, Хзарджян
МПК: G01N 23/20
Метки: проекционных, рентгеновских, топограмм
...рассеяния (в рассеиваемом объеме не происходит многократныхотражений); на фиг. 3 и 4 - топографы, полученные способом-прототипом и предлагаемым способ соответственно.Определив ширины первичного и дифрагированного пучков и их направленияхнаправления сканирования), можно с помощью часового механизма регулироватьшаговые движения образца и пластинки,Казалось бы, при сканировании образца(кристалла) с шагом, равным ширине первичного пучка, области кристалла,подобные ВВ 1 В (фиг, 1), проектируютсядважды и независимо от скорости перемещения пластинки картины таких областейна ней получаются дважды.Однако нетрудно убедиться в том, чтодифракционно проектируемыми зонамикристалла являются только области, облучаемые первичными пучками, т,е....
Рентгеноинтерферометрический способ исследования дилатационных несовершенств монокристаллов
Номер патента: 1679313
Опубликовано: 23.09.1991
Авторы: Абоян, Безирганян, Хзарджян
МПК: G01N 23/20
Метки: дилатационных, исследования, монокристаллов, несовершенств, рентгеноинтерферометрический
...от того, падает ли первичная волна со стороны первого или третьего кристалла, получают1 11 оьь ЮьоКопо - Ив1. В двухкристальных интерферометрах, когда межплоскостные расстояния отражающих плоскостей первого и второго кристаллов отличаются одно от другого, период муаровых картин зависит от того, падает ли первичная волна со стороны первого или второго кристалла.2. В трехкристальных интерферометрах, когда межплоскостные расстояния отражающих плоскостей первых двух(первого и второго) или последних двух (второго и третьего) кристаллов одинаковы, но отличаются от межплоскостных расстояний оставшегося (третьего или первого) кристалла, период муаровых картин зависит от того, падает ли первичная волна со стороны первого или третьего...
Рентгеноинтерферометрический способ исследования кристаллов
Номер патента: 1673933
Опубликовано: 30.08.1991
Авторы: Абоян, Безирганян, Хзарджян
МПК: G01N 23/20
Метки: исследования, кристаллов, рентгеноинтерферометрический
...даже до их проектирования, не полны - они преимущественно представляют картины полей деформации, возникших в направлении нормали отражающих плоскостей.В рентгеноинтерферометрических исследованиях, кроме перечисленных, регистрируемые дифракционные изображения (муаровые картины) сильно зависят от направления поворотов отражающих плоскостей, вызванных несовершенствами кристаллов интерферометра, от характера изменения межплоскостных расстояний отражающих плоскостей, от как абсолютного, так и относительного месторасположения несовершенств кристаллов интерферометра. Если в случае отдельного кристалла при формировании дифракционного изображения основную роль играет относительное расположение векторов Бюргерса и дифракции, то в...
Способ рентгеновской топографии кристаллов
Номер патента: 1562804
Опубликовано: 07.05.1990
Авторы: Асланян, Безирганян, Мартиросян, Симонян
МПК: G01N 23/20
Метки: кристаллов, рентгеновской, топографии
...9 овЫ 9 лАгде 8, и В - углы наклонов левойи боковой поверхностейОА и О+Псоответственно. При одинаковых наклонах боковые поверхности Ь, и Дравны. Этот способ позволяет получить маят" никовые полосы от достаточно толстых клиновидных кристаллов, от которых можно получить и эффект Бормана.Когда в толстых кристаллах (фиг.8) первичная волна падает ближе к боковой поверхности, из верхней части кристалла в направлении отражения выходят ворны с волновыми векторами Ки К ь и образуют маятниковые по"Илосы, а от основания в результате эффекта Боомана выходят волны второФ, Уго поля К и К. На Фиг. 9 привеР 2.дена схема распределения интенсивности в зависимости от расстояния линии падения первичной волны до боковой поверхности призмы, показанной на...
Рентгенографический способ исследования структурного совершенства сверхрешеток
Номер патента: 1543313
Опубликовано: 15.02.1990
Авторы: Айвазьян, Безирганян, Заргарян
МПК: G01N 23/20
Метки: исследования, рентгенографический, сверхрешеток, совершенства, структурного
...направляющие косинусыТдпадающей и дифрагированной волн;К - волновое число;х - модуль действительнойгЪчасти Фурье компонентыполяризуемости.В случае сверхрешетки каждому сателлиту в первом приближении соответствуют свои значения м,и х6 О рТон ТЬ 1 Ье = 24 Уп 2", Нх",. ОЕсли рассматривается симметричная схема дифракции, то также можно положить.= у, и );= ., т,е, экстинкционная длина практически не зависит от углов падения и отражения. Минимальная длина экстинкции определяется максимальным значением х , т.е. при нулевом или одном из первых сателлитов, и составляет такую же величину, что и в случае идеального кристалла - несколько микрон.При резко асимметричной схеме дифракцииУю 1 ф Хоф 03 мс 10Учитывая, что с увеличением номера сателлита...
Способ определения параметров решетки поликристаллических материалов
Номер патента: 1436036
Опубликовано: 07.11.1988
Авторы: Абовьян, Акопян, Безирганян, Григорьян
МПК: G01N 23/20
Метки: параметров, поликристаллических, решетки
...поглощения рентгеновских лучей веществом, Естественная энергетическая ширина К-уровня главного края поглощения некоторых элементов, материалы из.которых могут быть использованы в качестве поглотителя (например, элементы с атомным номером Е 24), составляет несколько электронвольт,При дифракции соответствующее уг" ловуе разрешение составляет порядка 10 рад. Искажения углового положения провала интенсивности.на дифрагированном фоне, обусловленные геометричес-кими параметрами для конкретной рентгенооптической схемы (как и в обычных случаях регистрации детектором или фотометодом), могут быть учтены и занижены практически до уровня рсходимости падающего излучения (10-10 рад), Использование в качестверегистрирующего элемента...
Способ определения тонких структурных изменений в растянутых полимерах
Номер патента: 1413493
Опубликовано: 30.07.1988
Авторы: Багдасарьян, Безирганян, Мартиросян
МПК: G01N 23/20
Метки: изменений, полимерах, растянутых, структурных, тонких
...2 изображена рентгенооптическая схема предлагаемого способа.На чертежах обозначены М, А - зеркальный и анализирующий блоки. Р - образец - растянутая пленка полимера, Х - пучок рентгеновских лучей, Р - экран или фотопленка, 0 - ось растяжения.Способ осуществляют следующим образом.Рентгеновский пучок, падая на первый кристаллический блок под углом Брэгга, расщепляется на два пучка - проходящий и дифрагированный, которые дифрагируют во втором блоке М и складываются у входной поверхности блока А, образуя интерференционную картину - муаровые узоры на экране т". Помещение на пути одного из дифрагированных пучок растянутой пленки приводит к смещению муаровых полос. Измерив смещение, находят о - декремент показателя преломления рентгеновых...
Рентгеновский спектрометр
Номер патента: 1226211
Опубликовано: 23.04.1986
Авторы: Безирганян, Нариманян, Ростомян
МПК: G01N 23/20
Метки: рентгеновский, спектрометр
...соберут 10 ся в одной точке К, которая находится на окружности с центром 0 ирадиусом г,Пусть пучок с угловой расходимостью 2 о падает на кристалл-анализа 15 тор, находящийся в положении МоМооа центральный луч РО, направленныйк оси вращения, падает на кристаллпод углом максимального отражения 9для исследуемой длины волны Э,20 После нечетного числа и отраженийэтот луч выходит иэ точки Во подуглом 29 относительно оси Х. Чтобылуч, распространяющийся в направлении РА, можно было привести в положение максимального отражения, необходимо повернуть кристалл-анализатор против хода часовой стрелки наугол 3 . Тогда луч РА, падающий наММ в точке А, выйдет из анализато 30 ра от точки 8 под углом 2 д +3. Координатыиточки пересечения...
Рентгенографический способ исследования структурного совершенства монокристаллов (его варианты)
Номер патента: 1133520
Опубликовано: 07.01.1985
Авторы: Асланян, Безирганян, Заргарян
МПК: G01N 23/20
Метки: варианты, его, исследования, монокристаллов, рентгенографический, совершенства, структурного
...дифракцию лентообраэного падающего пучка на ступенчатый кристалл в двух случаях: первичный пучок падает с 1 О гладкой стороны монокристалла (фиг.1), первичный пучок падает со ступенча- той стороны монокристалла (фиг. 2). При лентообразном падающем пучке 15поперечное сечение пучков, дифрагированных в ступенчатых мозаичных и со,вершенных монокристаллах, будетиметь вид, показанный на фиг. 5-12,где обозначены . ступенчатый моно Окристалл 1, первичный пучок 2, поперечное сечение 3 дифрагированногопучка, когда первичный пучок падаетс гладкой стороны, поперечное сечение 4 дифрагированного пучка, когда 25первичный пучок падает со- ступенчатойстороны,Поперечные сечения пучков, дифрагироваиных в мозаичных и совершенных монокристаллах,...
Рентгеноинтерферометрический способ определения искажений атомной решетки монокристалла
Номер патента: 1117503
Опубликовано: 07.10.1984
Авторы: Асланян, Безирганян
МПК: G01N 23/20
Метки: атомной, искажений, монокристалла, рентгеноинтерферометрический, решетки
...При малых поворотах (повороты в пределах угловойобласти отражения) векторыНЬ Й и ЬН можно представить в следующем вйде (фиг.1):", лгде х, у и У - единичные векторы по направлениям осей ОХ, 07 и 02 соответственно.Следовательно, величину вектораЬ Нможно представить уравнением1 дн 1= (2) 7503 о повопериода торого где Ни Нбратных реше исталлов с При выводеуглы Е и Еционарных интся выражением(ЬНг) В этом случае внутри второго кр лярны к отражающи муаровые плоскости сталла перпендикуплоскостям (фиг. и 4),Муаровые плоско можно регистрирова(наблюдать),ых распределеисталла непароверхности вы(,наблюдаютсяторце получаютности второгортины, вызвайоси ОУ, нельзя если плоскости муаровний внутри второго кр ал 25лельны (пересекают) пхода этого...
Способ получения линейно поляризованного рентгеновского излучения
Номер патента: 1100641
Опубликовано: 30.06.1984
Авторы: Аветисян, Безирганян
МПК: G21K 1/06
Метки: излучения, линейно, поляризованного, рентгеновского
...излучения.Поставленная цель достигается тем, что согласно способу получения линейно поляризованного рентгеновского излучения, основанному на дифракции первичного рентгеновскогопучка на кристалле"монохроматоре,производят пространственную селекциюдифрагированного излучения в угло вом диапазоне между углами полногоотражения компоненты излучения с6 поляризацией и компоненты с Г-поляризацией.При этом, в случае параллельного 10 первичного пучка пространственнуюселекцию излучения осуществляют путем ориентирования кристалла-монохроматора относительно падающегопучка в указанном угловом диапазоне.15 Кроме того, в случае расходящегосяпервичного пучка пространственную селекцию излучения осуществляют путемустановки на пути дифрагированногопучка...
Способ исследования плотности материалов
Номер патента: 1078296
Опубликовано: 07.03.1984
Авторы: Асланян, Безирганян, Семерджян
МПК: G01N 23/08
Метки: исследования, плотности
...через образец и регистрации прошедшего через образец излучения, образец размещают в зазоре рентгеновского двублочного многокристаллического интерферометра с расстоянием между блоками, меньшим толщины каждого иэ блоков, ширину пучка в направлении, параллельном плоскости дифракции, выбирают большей размера образца в соответствующем направлении и о степени неоднородности распределения плотности судят по нарушению интерференционной картины от части пучка, прошедшей через об разец, относительно интерференционной картины от части пучка, прошедшей вне образца.На фиг, 1 показан рентгеновский двухблочный интерферометр; на фиг.2 65 рентгенооптическая схема предлагаемого способа,Способ реализуют следующим образом.Двублочный интерферометр...
Способ исследования структурного совершенства монокристаллов
Номер патента: 1035489
Опубликовано: 15.08.1983
Авторы: Аветисян, Безирганян
МПК: G01N 23/20
Метки: исследования, монокристаллов, совершенства, структурного
...причем рентгеновский пучок направляют под угломВульфа-Брэгга к выбранной системе кристаллографических плоскостей идеального монокристалла и регистрируютдифракционную картину за исследуемым монокристаллом, по которой судят о его структурном совершенстве Г 23В известном способе повышение чувствительности достигается за счетдифракционного увеличения получаемойдифракционной картины эа исследуемым объектом ( монокристаллом) с помощью более. толстого совершенногомонокристалла.Однако известный способ не позволяет исследовать незначительные нарушения кристаллической решетки исследуемого монокристалла.Цель изобретения - повышение чувствительности способа,Поставленная цель достигается тем,что согласно способу исследованияструктурного...
Способ исследования структурного совершенства монокристаллов
Номер патента: 957077
Опубликовано: 07.09.1982
Авторы: Безирганян, Кочарян
МПК: G01N 23/20
Метки: исследования, монокристаллов, совершенства, структурного
...ленточный пучок 1 рентгеновского излучения направляют под углом Вульфа-. Брэгга на плоский монокристалл 2. Дифрагированный. монокристаллом 2 пучок 3 рентгеновского излучения падает на клиновидный монокристалл 4. Монокристаллы 2 и 4 установлены на независимых осях поворота (не пока заны)двухкристалльного спектрометра. Дифрагированные клиновидным моно- кристаллом 4 пучки 5 и б регистрируют с помощью рентгеновской пленки. При наличии разориентации монокристаллов 2 и 4 в дифракционной картине присутствует картина муара с маятниковыми полосами.В случае идеальных кристаллов (не имеющих решеточных поворотов, растяжений и сжатий) вершины маятниковых полос должны быть расположены на центральной линии 00 отраженного от системы пучка, так...
Способ рентгеновской топографии пьезоэлектрических кристаллов
Номер патента: 951129
Опубликовано: 15.08.1982
Авторы: Адамян, Безирганян
МПК: G01N 23/20
Метки: кристаллов, пьезоэлектрических, рентгеновской, топографии
...узким пучком рентгеновскогоизлучения и регистрации в геометрии.25 "на просвет" дифрагированного различными участками кристалла излученив условиях воздействия на кристаллпостоянного электрического поля,исследуемый кристалл предварительно30 облучают по всей исследуемой поверх951129 Составитель К.КононовРедактор Т, Парфенова Техред М,Рейвес Корректор И. Муска Заказ 5934/47 Тираж 887 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж-Д 5, Раушская наб., д.4/5Филиал ППП ".Патент", г.ужгород, ул.Проектная, 4 ности рентгеновским излучением в условиях воздействия на кристалл постоянного электрического поля.Сущность изобретения заключается в следующем.При облучении кристаллов кварца...
Способ исследования структурного совершенства пьезоэлектрических монокристаллов
Номер патента: 935759
Опубликовано: 15.06.1982
Авторы: Адамян, Безирганян, Заргарян
МПК: G01N 23/205
Метки: исследования, монокристаллов, пьезоэлектрических, совершенства, структурного
...топограмму получают в условиях воздействия на исследуемый монокристалл постоянного электростатического поля.На чертеже показана схема получения рентгеновской топограммы методомЛанга..Рентгеновский пучок 1, прошедшийчерез коллимирующие щели 2, падает35под брегговским углом на исследуемый пьезоэлектрический монокристалл3 с косым срезом, помещенный междупрозрачными для рентгеновского излу 40чения обкладками конденсатора 4, накоторые подается постоянное напряжение от источника (не показан), Прошедший через коллимационную щель 5,задерживающую также первичный пучок1, дифрагированный пучок 6 рентгенов 45ского излучения попадает на рентгеновскую пленку 7 Монокристалл 3 ипленка 7 во время съемки топограммысовершают...
Способ определения однородности изгиба по высоте монокристаллических пластин
Номер патента: 935758
Опубликовано: 15.06.1982
Авторы: Безирганян, Папоян
МПК: G01N 23/20
Метки: высоте, изгиба, монокристаллических, однородности, пластин
...лф 0,966, определяют радиусы изгиба у этих точек: В11,8 м, В.и = 8,1 м, которое хорошо совпадают с результатами, полученными известным способом рф (2). Учитывая, что расстояние между исследуемыми точками на поверхности кристалла равно ЬЬ = 2 мм, для параметра К получают значение К = Ьй/ЬЬ=1,85 м/мм. 2Применение предложенного способа позволяет исключить аппаратуру для тонкого переноса и поворота образца и системы щелей вместе с характерными ошибками, связанными с ними. Все зв это существенно упрощает методику определения степени однородности из 58 6гиба по высоте образца и обеспечива" ет высокую степень точности измерений, так как МП весьма чувствитель" ны к слабым деформациям. формула изобретенияСпособ определения однородностиизгиба...
Устройство для изгиба образцов монокристаллических пластин
Номер патента: 900166
Опубликовано: 23.01.1982
Авторы: Безирганян, Папоян, Семерджян
Метки: изгиба, монокристаллических, образцов, пластин
...образца определяется по шкале 12 измерением угла поворота микровинта 11,К нижней части общего основания 1 прикреплено приспособление для параллельного переноса изгибающего приспособления в горизонтальной плоскости . (шариковая салазка), включающее подвижный элемент 13, прикрепленный к основанию 1, неподвижный элемент 14, клин 15 с осью 16, жесткосвязанной с неподвижным элементом 14, и микровинты 17 и 18.Устройство работает следующим образом.Образец закрепляют между изгибающими стержнями 4. Фиксаторами 6 рычаги5 подкрепляют к вставкам 2 и начинают вращать микровинт 11. Поступательное перемещение конца микровинта 11 клинами 7 и 8, свободно движущимися вдоль осей 9и 10, передается рычагам 5, что приводит к вращению вставок 2 и,...
Способ рентгеновской интерферометрии
Номер патента: 866461
Опубликовано: 23.09.1981
Автор: Безирганян
МПК: G01N 23/20
Метки: интерферометрии, рентгеновской
...интерферометра. Ход лучей в интерферометре имеет следующий вид.При помощи экрана Э, непрозрачного для рентгеновских лучей и имеющегодве щели, от источника О выделяют двапучка ОА и ОВ, составляющих друг относительно друга угол 29, где,. о 30угол Вульфа-Брегга, причем угол междупучкжи задают расстоянием между экраном Э и источником О.Пучки ОА и ОВ падают на первыйблокО интерферометра под углами отражения по Лауз, где каждый из нихрасщепляется на два пучка ОА на АСн АО, а ОВ на ВЕ и ВГ.Достигнув второго блока с 1 интерферометра, каждый из вновь полученных пучков АС и АО, ВЕ и ВГ также расщепляется на два, и в результате получается восемь пучков: СК, С 1., О,ОМ, ЕМ, Ей, ГИ, ГР.Так как расстояниямежду тремяблоками интерферометра...
Способ дифракционной микрорентгено-графии монокристаллов
Номер патента: 817552
Опубликовано: 30.03.1981
Авторы: Безирганян, Дрмеян
МПК: G01N 23/20
Метки: дифракционной, микрорентгено-графии, монокристаллов
...схема увеличения интерференционных картин с движущейся щелью; на фиг. 2 - схема получения рентгеновских топограмм,Первичный рентгеновский пучок 1 падает под углом Вульфа-Брегга на интерференционную систему из тонких монокристаллов 2, Дифрагированный пучок 3 падает на совершенный .монокристалл 4, толщина которого выбрана из условия нормального прохождения рентгеновского излучения и который установлен в. отражающее положение. На пути пучка 3 установлена щель 5. Прошедший через совершенный монокристалл 4 пучок регистрируется на фотопленке 6. При этом производят синхронное перемещение щели 5 и817552 талла пучка; тличаюнирование исуществляют установленной совершенным дифрагировантличаюнирование исуществляют пу" осительно мацки,и...
Способ исследования многоволно-вого рассеяния рентгеновских лучейна монокристалле
Номер патента: 811122
Опубликовано: 07.03.1981
Авторы: Безирганян, Габриелян
МПК: G01N 23/20
Метки: исследования, лучейна, многоволно-вого, монокристалле, рассеяния, рентгеновских
...фона в пучке.Такой пучок может быть получен с помощью двухблочного интерферометра, в первом блоке которого возбуждается окольный пучок, играющий роль первичного пучка для второго блока. Окольный пучок, возбужденный в первом блоке, автоматически будет в положении многоволнового отражения во втором блоке, в частности отражение (200) во втором блоке автоматически возбудит трехволновую конфигурацию (111) и (200).Интерферометр состоит из двух параллельных одинаковых монокристаллических пластин (блоков), из практически бездислокационного монокристалла германия на общем основании. Размеры больших поверхностей блоков 25(20 мм, расстояние между ними 5 мм. Блоки вырезаны таким осразсм, что плоскость (111) является боковой поверхностью...
Фокусирующий монохроматор рентгеновского излучения
Номер патента: 737992
Опубликовано: 30.05.1980
Авторы: Безирганян, Дрмеян
МПК: G21K 1/06
Метки: излучения, монохроматор, рентгеновского, фокусирующий
...расстояния точкираспространения от асимНпот гиперболы.Если облучать кристалл расходя-щимся пучком рентгеновских лучей, товозбуждаются все точкКраспространения (все участки поверхностей) в об-ласти отражения данного рефлекоа. "При этоМ потоки энергии перпендикулярны дисперсионным поверхностям всоответствующих точках, как-"это показано на Фиг. 2, где стрелками пока=занй"направления потоков энергии;Как .видно из этой фигуры, йотокиэнергии волн, возбужденных в тьчкаа 4распространения верхней ветви дисперсионной поверхности, расходятсяони не фокусируются, а потоки энер- .гии волн, возбужденных в точках распространения нижней ветви, дисперсиоиной поверхности, Фокусируются - происходит сужение волнового фронта.При этом коэффициент...
Рентгеновский интерферометр
Номер патента: 720350
Опубликовано: 05.03.1980
Авторы: Безирганян, Дрмеян, Эйрамджян
МПК: G01N 23/20
Метки: интерферометр, рентгеновский
...и трехкристзльная системы, с помощью которых получают муаровые картины.Узкий пучок рентгеновских лучей, проходя через коллиматор с диаграммой, падает на двухблочную систему из кристаллов 1 и 2. Дифрагированный лучок падает на идеальныи толстый кристалл 3, находягднйся в лоложенни отражения, а проходящий пучок задерживает ся экраном 4. Дифрагированный пучок, содержащий муаровые картины, проходит чсреэ кристалл 3 который, не меняя характера муара, увеличивает эту муаровую картину.илиал ППП Патент"ЖГО 1 эОд, ул. рай:.сэ па 5 Снимок может быть получен ца фотоВ)с 1- ке 5, помещенной между вторьм и третьим бпоками или на фотопленке б, расцогн)женцоп после третьего блока.Аналогичный эффект (увеличение) цоту )- ется при использовации...
Способ дифракционной микрорентгенографии
Номер патента: 720349
Опубликовано: 05.03.1980
Авторы: Безирганян, Дрмеян, Эйрамджян
МПК: G01N 23/20
Метки: дифракционной, микрорентгенографии
...рентгеновского пучка через установленный в отражающее положение тонкий монокристалл и фотографической регистрации дифрагированногоизлучения г 1. Однако разрешающая способность такогоспособа недостаточна.Цель изобретения заключается в том, чтобы повысить раэрешание получаемой дифракцнонной картины.Эта цель достигается тем, что по предложенному способу дифракцнонной микрорентгенографии, заключающемся в том, что на исследуемый монокристалл, установленный в отражающее положение, направляют коллимированный пучок монохроматического рентгеновского излучения н регистрируют дифрагированный пучок, последний дополнительно пропускают через установленный в отражающее положение совершенный монокрнсталл, толщина которого выбрана иэ условия нормального...
Монохроматор рентгеновского излучения
Номер патента: 714506
Опубликовано: 05.02.1980
Авторы: Безирганян, Ростомян
МПК: G21K 1/06
Метки: излучения, монохроматор, рентгеновского
...не ленточный, сфокусированный монохроматический пучок,На фиг, 1 показано циклическое расположение отражающих поверхностей кристаллов 1, когпа их-число равно четырем,входное 2 и выходное 3 окна, расположение атомных плоскостей 4, углы 5 асимметричностей отражений и ход лучей, новясняющий сущность фокусировки в плоскости,Первичный широкий пучок 6, содержащий непрерывный и характеристическийспектры, через вхопное окно 2 падает напервый кристалл, Из-за асимметричностиотражений на всех гранях угол отраженияскольжения меньше угла падения скольжения, После первого цикла правый 7 илевый 8 края пучка 9 становятся оченьблизки друг другу и к фокусу 10, показанных в увеличенном масштабе 11 на фотопластинке 12.На фиг, 2 пояснена сущность...
Рентгеновская трубка
Номер патента: 621038
Опубликовано: 25.08.1978
Авторы: Безирганян, Демирчян, Шабоян
МПК: H01J 35/10
Метки: рентгеновская, трубка
...приемлемые дпя проведения экспрессиых то.гюграфических исследований, Однако в силу кон я является увеличение ния.ем, что трубка сдержи ктронного пучка йо из вращаннцсгося анода,4дпя подачи отклонявицего напряжения, При ди,аметре анода 10 см можно использовать попе .излучения величиной порядка 3,5 х 2,5 см, чтовполне достаточно дпя контроля кристаллоа,используемых в полупроводниковой технологаСледует также заметить, что трубка может5 ьпь снабжена вторым катодом н средстэййидпя создания пространственного поля, т. к. теплавой режим такой трубки позволяет использовать два. поля излучения прн интенсивностах,достаточных дпя проведения топографическихисследований,Ф о р м у л а, н з о б р е т е и ц я Уентгеновская трубка, содержащая...
Установка для рентгеновской топографии монокристаллов
Номер патента: 611142
Опубликовано: 15.06.1978
Авторы: Аветян, Авунджян, Безирганян, Шабоян
МПК: G01N 23/04
Метки: монокристаллов, рентгеновской, топографии
...устройство.Источником 1 рентгеновского излучения служит рентгеновская трубка с достаточно большой удельной мощностью и с точечным фокусом, Питание рентгеновской трубки осуществляется высоковольтным источником с помощью высоковольтного кабеля. Охлаждение трубки производится проточной водой. Пучок рентгеновских лучей из источника проходит через щель коллиматора 2 шириной 0,4 мм, расположенную на расстоянии 20 см от фокуса трубки (такое расположение оптимально). Это дает возможность 30 получить достаточно интенсивный узкий параллельный рентгеновский пучок с достаточным разрешением для получения изображения дислокаций величиной 25 мкм и более без длительных экспозиций. с Дифрагированный от монокристалла 3 пу" чок, проходя через...