Пластине — Метка (original) (raw)
Патенты с меткой «пластине»
Способ крепления проволочных держателей к пьезоэлектрической пластине
Номер патента: 91033
Опубликовано: 01.01.1950
МПК: H03H 3/02
Метки: держателей, крепления, пластине, проволочных, пьезоэлектрической
...и л Оакаи 1203. По 11 и 1 с 27 1-1055 г 1.1+сЬ 1 ООО. цена 25 коп,ГО А,.а;ы рк т 1;ог)Яф 151 о 2 М 11)Исто)ств 1 1)гг.т"1)111 Чтвапско 1 АССР. И Я ДСЖНОГО СОЕДИ 1 ЕИ 51, ТЯЕ Еспе ЛЕТЯ.1)5 ЧЕСКИЙ С)ой ОКЯЗЫВЯЕТСЯ ПЕе епрО НО сцспленнымй кристалличесео поверх 110 стыо.Предлагается способ припаивания проволочных держателей В уз- ЛОВЫХ ТОЧКЯХ )ИСТЯЛЛИ 1 ЕСЕИХ ПЛЯСТИН, ООССПЕЧИВЯЮЩИЙ ПРОЧНОЕ П 2. дсеное крепление.НЯ пластины из раствори:,пх ристаллов наносится металличес 5 с пят 10 п 1)и похОщи р 2 стВОрения пОВерхности кристалла и Ведрения В неГО хЯссь мс. 1:их металлических частиц, П)и рястВОрснии поверхности кэистялля частицы порошеообразного металла, например, серебра проникают па пскоторую глубину. Г 1 орошкообразное серебро замешивается...
Способ контактной приварки стержня к пластине
Номер патента: 87725
Опубликовано: 01.01.1950
Автор: Шперк
МПК: B23K 11/02
Метки: контактной, пластине, приварки, стержня
...электрического тока стерж хней части, где он имеет тугую лучший электрический контакт, анни стержня нижняя его часть ранит прежний диаметр и стерже тносительно второй половины иг Пре ет изоб етения контактной при соединений инс , что, с целью верстие в поло тержня, выполи ду стержнем и Способ шарнирных щийся те пластине, о щей части с посадку межтовлении личаюержня к ыступають тугу 10 В основном к пластине по ме способу в пласти вставляется стер трический ток, П шарнирных соед по авт. св,78 примыкающей к зом, чтобы обеспе При прохожд в основном в вер будет получаться При осажив Поэтому она сох зящую посадку о. св,78892 от 4 гяая 1947 г. на нгня того я е лнц б приварки стержня отивленпем. По этому ается отверстие, в него ну пропускается...
Устройство для приварки давлением провода к пластине внахлест без применения нагрева
Номер патента: 105905
Опубликовано: 01.01.1957
МПК: B23K 20/02
Метки: внахлест, давлением, нагрева, пластине, приварки, применения, провода
...и 1 триц и пу янсона.Особенностьо описываемого устройства я ВЛ 5 ется то, 1 О Одна из МТрнц ВЫПО.ПСНя С ПОЛтцЛРНдричес 01 ВыОЧ 1 сои д,я клДн ГрОВодя,д р 5 гяя, служя п 1 51 дл 5 п рижима к проводу пластины, - с прямоугольным отверс 1 ем для пуансона, имеющего сошенную торцевук поверхность и закругленные ря. Г 1 о;об ое выполнение 5 строиств предупреждяе; перерезание сварнваемого проводя,Па фиг, 1 показан общий вид предложенного устройства. на фиг, 2, 3 и 4- пуансон в трех проект 1 АВ тРНРРЯ ПРОВОД1 РРИРЕБЕНЯЯ НАГРЕВ прямоугольным отверстием в пеи дл 51 п 1 соня 4.Пуансон имеет закругленные краяскошенные боковые повеохност 11. сходящиеся клином к торцу и к строне пунеона, обращенной к свободному концу провода. Закругление и скосы на...
Способ выполнения знаков совмещения на полупроводниковой пластине
Номер патента: 414658
Опубликовано: 05.02.1974
Авторы: Дудко, Колегаев, Кравченко
МПК: H01L 21/302
Метки: выполнения, знаков, пластине, полупроводниковой, совмещения
...сполученные известным способом знаки совмещения не выдерживают длительной высокотемпературной обработки в окислительной среде, причем из-за окисления размеры знаков совмещения изменяются, что приводит к изменению расстояний между ними и изменению оптического контраста знаков.Цель изобретения - повышение стойкости знаков совмещения к окислению и обеопечение их высокой контрастности по отношению к окисному слою.Предлагаемый способ отличается тем, что в приповерхностных слоях пластины формируют дислокационные области путем электроннолучевой обработки пластины но заданному рисунку, затем методом фотолитографии вскрыдают в окисном слое окна по заданному рисунку и матируют обнаженные участки поверхности пластины путем вытравливания на них...
Способ определения концентрации примесей в полупроводниковой пластине
Номер патента: 480029
Опубликовано: 05.08.1975
Авторы: Иванов, Манаенков, Седов, Урывский
МПК: H01L 21/66
Метки: концентрации, пластине, полупроводниковой, примесей
...фаз поперечной компоненты отраженной и падающей волны;6- разность фаз параллельной компонентыРаспределение концентрации примеси по толщине полупроводниковой пластины определяют следующим ооразом. Образец с неизвестным распределением примеси помещаюв приставку НПВО и, посылая на образец излучение меняющейся длины волны от мо. нохроматора, регистрируют изменение относительной разности фаз отраженной и падающей волн. Изменение фаз компонент отраженной и падающей волн определяют по форму- лам 25)з 1 п" О, - ии-созе - (2)2 я и 30 б созОпзд 1 яп 6 пд и2 зг иГлубину проникновения излучения можно определить как расстояние от границы раздела двух сред до того уровня, на котором амплитуда электрического поля уменьшается в 1 раз Лггр - (4)2...
Способ выявления структурных нарушений на пластине кремния
Номер патента: 500555
Опубликовано: 25.01.1976
Авторы: Завадская, Кузнецов, Парфенова, Приходько
МПК: H01L 21/00
Метки: выявления, кремния, нарушений, пластине, структурных
...что растворение нарушенных областей 20кристалла происходит намного легче, чемна остальной поверхности, потому что энергия активации процесса растворения уменьшается в этом случае на величину, равнуюэнергии деформации, приходящейся на один 25 атом, в результате точечные нарушения или нарушенные области выявляются в виде отдельных треугольных "ямок" травленияМ Юили ряда треугольных ямок травления, отражающих симметрию граней.Методом контроля в травителе Сиртля широко распространен в исследовательной и заводской практике, однако травитель Сиртля может быть применен для выявления как слиточных нарушений, так и нарушений, внесенных обработкой только кристаллов, вырашенных в плоскости 111;Скорость травления в травителе Сиртля велика, т, е....
Устройство для проявления скрытого изображения на электрофотографической пластине
Номер патента: 666512
Опубликовано: 05.06.1979
МПК: G03G 15/08
Метки: изображения, пластине, проявления, скрытого, электрофотографической
...7 устройство поворачивают вокруг оси 9 на угол 90 по часовой стрелке, При этом проявляющий состав 2 пересыпается иэ емкости 10 через зазор между электродом 4 и электрофотографической пластиной 7 в емкость 11. Далее устройство поворачивают против часовой стрелки на 180 ф, и проявляющий состав пересыпается по зазору опять в емкость, 10. Затем устройство возвращается в исходное положение поворотом его на 90 по часовой стрелке.Формула изобрет енияУстройство для проявления скрыто- го изображения на электрофотографической пластине, состоящее из шарнирно укрепленной камеры для проявляющего состава и плоского металлического электрода, "установленного в ней,о т л и ч а ю щ е е с я тем, что, с.целью упрощения конструкции устройства и повышения...
Способ обнаружения поверхностных дефектов на пластине материала
Номер патента: 696380
Опубликовано: 05.11.1979
МПК: G01N 33/38
Метки: дефектов, обнаружения, пластине, поверхностных
...составит 750 рабочих дней, При стоимости 1 рабочего дня 7,2 руб. годо.вая экономия при работе на одном электронном микроскопе составит около 5 тыс. руб.Значительно больший эффект можно ожи 10 дать из того, что предлагаемый способ существенно сокращает сроки получений исчерпывающей информации о характере поверхности и это может быть оперативно использовано для активного воздействия на режимы обработки.15 Составитель М. Слинько Техред Л.АлфероваКорректор А. Гриценко Редактор О. Иванова Заказ 6758/45 Тираж 1073 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж-.35, Раушская наб., д. 4/5Филиал ППП "Патент", г, Ужгород, ул. Проектная,4 угольной пленки распылением сфокусирован.ным лучом...
Устройство для контактной привар-ки стержня k пластине
Номер патента: 795813
Опубликовано: 15.01.1981
Автор: Ерманок
МПК: B23K 11/10
Метки: контактной, пластине, привар-ки, стержня
...образом.При опускании электрода 1 к выступу 4 пластины 3 сначала прижимается электрод 6 усилие сжатия которого с пластиной составляет 0,1 - 0,8 от общего усилия сжатия, развиваемого приводом. Общее усилия сжатия Р разделяется на усилие подогрева (прижатие электрода, составляющее 0,2 Р) и на усилие прижатия макерного стержня (усилия на сварку, составляющее в данном случае 0,8 Р). В процессе дальнейшего опускания анкерного стержня 2 его нижний конец прижимается к выступу 4 на пластине 2 При включении сварочного трансформатора (на чертеже не показан) исходный сварочный ток )в разделяется на ток подогрева795813 Формула изобретения зЗп., проходящий через электрод 6 непосредственно на пластину 3, минуя стержень 2 и ток собственно сварки Зсв,...
Способ определения направления наклонаканалов b микроканальной пластине
Номер патента: 805448
Опубликовано: 15.02.1981
Авторы: Глуховской, Скрицкая
МПК: H01J 43/06
Метки: микроканальной, наклонаканалов, направления, пластине
...фиг. 3 представлено изображение взаимного расположения крестовпредметногостекла и окуляра, соответствующее максимальному смещениюодной из осей креста предметного стекла от соответствующей оси креста 20 окуляра (откалибровочного полокения)и фиксация точки, в которой устанавливается метка после вращения МКП.Изображение содержит вертикальную ось 5 креста предметного стекла, вер тикальную ось 6 креста окуляра, внешний контур МКП (окружность МКП) 7, точку пересечения окружности МКП 7 с: горизонтальными осями 8 и 9 крестов предметного стекла и окуляра, в которой ставится метка 10.П р и м е р, На предметный столик микроскопа, например ММ, помещают предметноестекло 1 с нанесенным на него непрозрачным крестом 2, включа-. ют нижний подсвет...
Устройство для визуального контроля микроструктур на полупроводниковой пластине
Номер патента: 924778
Опубликовано: 30.04.1982
Авторы: Комаров, Никулин, Поярков
МПК: H01L 21/66
Метки: визуального, микроструктур, пластине, полупроводниковой
...пластина 20 с микроструктурами располагается на предметном столеНа пластине-держателе 14 фиксируется перфокарта 21 с записанной ранееюо информацией о годности микроструктур полупроводниковой пластины 20 по электрическим параметрам (отверстие в перфокарте означает брак данной микроструктуры).45В исходном положении электромагнит 9 включен в зонд-пуансон 5,притянут к сердечнику электромагнита благодаря наличию зазора между зондом-пуансоном 5 и рычагом 12. При перемещении предметного стола 1 на шаг электро 50 магнит 9 отключается и зонд-пуансон 5 опускается, Если при этом на перфокарте 21 в месте нахождения зонда- пуансона 5 будет отверстие, что свидетельствует о браке кристалла микроструктуры по электрическим параметрам, рабочая...
Устройство для электрофореза на вертикальной пластине геля
Номер патента: 966578
Опубликовано: 15.10.1982
Автор: Полокайнен
МПК: G01N 27/26
Метки: вертикальной, геля, пластине, электрофореза
...гелевыхячеек 3 и вставок 4, формирующих боковые.стенки и дно каждого дополнительного буферного отсека 5 между гелевыми ячейками.Детали прижимаются друг к другу прижимными приспособлениями, например болтамии гайками или пружинными зажимами. Длягерметичности соединений вдоль торцовогокрая прижимаемых. к гелевой ячейке створок 1 и вставок 4 проделаны жеЛобки 6,содержащие эластичные герметизирующиеэлементы 7.Гелевая ячейка 3 разобрана и включаетО-образную раму 8, две прямоугольныеодинаковой ширины, но различной высотыжесткие, прозрачные, например стеклянные,пластины 9 и 10 и эластичные герметизирующие прокладки 11, 12 и 13. Рама снабжена с внутренней стороны по бокам двумяпараллельными вертикальными желобками 14и 15 прямоугольного профиля, а...
Устройство для электрофореза на вертикальной пластине геля
Номер патента: 989438
Опубликовано: 15.01.1983
МПК: G01N 27/26
Метки: вертикальной, геля, пластине, электрофореза
...18 присоединяютшлангидля подачи и отвода охлаждаюшей жидкости, а токоподвод соединяют с источником питания (не показан).Режим фракционирования высокомолекулярных соединений зависит от видаиспользуемого геля и характера исследуемого материала, После окончаниязлектрофоретического разделения отключают источник питания, прекрашаютподачу охлаждающей жидкости, выливают буферный раствор из верхнего со,суда иудаляют съемные стенки 8. Пластины геля вынимают и подвергают На фиг, 1 изображено устройство для электрофореза на вертикальной пластине геля, обший вид 1 на фиг.2 - часть устройства, состоящая из верх-ЭО него сосуда для буферного раствора, гелевых камер и блока охлаждения камер, разрез; на фиг. 3 - то же, вид ,со стороны шелевых...
Машина для контактной стыковой приварки стержней к пластине
Номер патента: 384298
Опубликовано: 15.05.1983
Авторы: Кононец, Косяков, Кучук-Яценко, Литвинчук, Томашевский, Чвертко, Чередничок, Шулепов
МПК: B23K 11/04
Метки: контактной, пластине, приварки, стержней, стыковой
...механизации процесса 20 освобождения стержней в предлагаемой машине механизм зажатия и освобождения их выполнен в виде установленного на гидроцилиндре оплавления и осадки,цругого гидроцилиндра, поршень которого шарнирно связан с одним иэ зажимных рычагов, а ци-. линдр - с другим.На Фиг. 1 показана предлагаемая машина с местным разрезом по меха низму Фиксации, зажима и освобождения клыкоВ: На фнг. 2 - разрез А-А на Фиг. 1.Машина для приварки клыков к тракусодержит станину 1, на которой установлен гидропривод 2 оплавле ния и осадки с закрепленным на нем механизмом 3 Фиксации,. зажима и освобождения клыков 4.Механизм 3 Фиксации, зажима и освобождения состоит из гидроприво 40 да 5, шарнирно подвешенного на рычагах б, для Фиксации и зажима...
Способ возбуждения режима самоподдерживающейся эмиссии в усилительной микроканальной пластине
Номер патента: 1035680
Опубликовано: 15.08.1983
Авторы: Акимов, Бобрович, Крутяков, Морковин, Пикалов, Степанов
МПК: H01J 43/24
Метки: возбуждения, микроканальной, пластине, режима, самоподдерживающейся, усилительной, эмиссии
...луч такой величины, при которой значение выходного тока с МКП при постоянном напряжении питания Оп составляет 10 А, Свечение экрана при ускоряющем напряжении +(б)кв практически отсутствует. При подаче на МКП при этом дополнительного импульсного питания амплитудоЯ (0,6 - 0,7)Цщкй длительностью 3 10 Ьфиксируется яркое вспыхивание экрана ,в пределах воздействующего луча и токовый импульс в его цепи на сопро-. тивлении нагрузки.Увеличение входного тока не приводит к изменению светящегося пятна на экране и увеличению выходного заряда с МКП, .измеряемого на Ц, . Уменьшение исходного постоянного напряжения питания МКП до значений 0,60,к 0,30,и 0,10 и соответствующее увелйчение амйлитуды подаваемого на МКП импульса до значения, при котором общее...
Устройство для контроля электрических параметров полупроводниковых и магнитных структур на пластине
Номер патента: 1064497
Опубликовано: 30.12.1983
МПК: H05K 13/08
Метки: магнитных, параметров, пластине, полупроводниковых, структур, электрических
...7, и рычага 15, выполненного в виде вилки и закрепленного в центрах 16, которые делят плечи рычага 15 в отно. шении 1:1 Ограничитель 17 колебаний, выполненный в виде рычага, поджат пружиной 18 к направляющим 14 и закреплен на оси 19 на несущей плите 8.Упругая направляющая обеспечивает связь подвижной рамки,13 с несущей плитой 8, состоящей из мембран 20, укрепленных по наружному диаметру в корпусе 21 при помощи набора шайб 22 и гайки 23, связанных по внутреннему диаметру с помощью колонки 24, набора шайб 25 и гайки 26.Устройство работает следующим образом.После предварительной ориентации .проверяемой пластины относительно зондов (вручную оператором) в режиме фАвтоматф срабатывает механизм перемещения зондовой карты по осикоторый...
Способ селекции признаков при распознавании аналоговых сигналов на полупроводниковой пластине
Номер патента: 1072071
Опубликовано: 07.02.1984
Автор: Беломестнов
МПК: G06K 9/00
Метки: аналоговых, пластине, полупроводниковой, признаков, распознавании, селекции, сигналов
...легированного примесями, образующими глубокие уровни в запрещенной зоне полупроводника так, что длина линии электрического тока, протекающего через пластину в процессе селекции признаков, превышает диффузионную длину неравновесных носителей заряда при низком уровне инжекции.Сущность способа заключается в том, что когда к полупроводниковой пластине прикладывают кратковременный импульс электрического поля, после окончания которого остается небольшое постоянное опорное поле, то в этой пластине образуется локализованный "шнур" тока, т.е, пространственно неравномерное распределение плотности тока, Образовавшийся шнур тока находится в безразличном равновесии относительно трансляций, но перемещается в магнитном поле.На фиг. 1...
Способ контроля механических напряжений в полупроводниковой пластине
Номер патента: 1087779
Опубликовано: 23.04.1984
Авторы: Карпов, Квасов, Корешков, Лабунов, Полонин, Прохоренко
МПК: G01H 13/00
Метки: механических, напряжений, пластине, полупроводниковой
...циклов, измеряют амплитуду Е деформации поверхностного слоя и ширину динамической петли гистерезиса и рассчитывают механичес- кие напряжения по формуле гНедостатком способа является низкаяточность контроля, обусловленная неодородностью определения величины механических напряжений, зависящей от жест-кости заделки контролируемого образца,Наиболее близким к изобретению является способ контроля механических 5 напряжений в полупроводниковой пластине,заюпочаюп 1 ийся в том, что возбуждаютизгибные колебания полупроводниковойпластины и измеряют первую и вторуюрезонансные частоты, по которым вы- О числяют искомые параметры Г 3,1.Недостатком способа является низкаяточность контроля, обусловленная зависимостью результатов контроля от жесткости...
Устройство для развальцовки контактов в контактной пластине электрических аппаратов
Номер патента: 1123788
Опубликовано: 15.11.1984
Автор: Шибанов
МПК: B21J 15/10
Метки: аппаратов, контактной, контактов, пластине, развальцовки, электрических
...головка 5 с пуансоном 6. Развальцовочная головка 5 получает вращение от двигателя 7. Прямой ход пиноли 3 осуществляется коромыслом 8 от привода, выполненного в виде кулачка 9, а обратный - от пружины 10. На коромысле 8 шарнирно установлен двуплечий рычаг 11, один конец которого связан с дополнительным приводом в виде кулачка 12, а другой через упор 13 взаимодействует с ползушкой 14, установлен 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 ной между концом двуплечего рычага 1 и коромыслом 8.Ползушка 14 кинематически соединена с электромагнитом 15 при помощи тяг 16 и 17 и дополнительного рычага 18, ось которого закреплена на коромысле 8. Устройство содержит также механизм 19 установки контактов, поддержку 20 с центрирующими элементами 21, которые...
Способ зондового контроля интегральных микросхем на пластине
Номер патента: 944486
Опубликовано: 15.04.1985
Авторы: Белявский, Епифанов, Завало, Кононов, Ступень, Филиппович, Ярош
МПК: H05K 1/18
Метки: зондового, интегральных, микросхем, пластине
...положение и на шаг, для каждой микросхемы определяют расстояние между контактными площадками и зонда ми, перемещают пластину на это расстояние и останавливают, затем пере мещают ее в положение контроля.1 электрических параметров микросхемы 1 пластина опускается в исходное положение на величину г : Ее =Л +д 2 + 21 1 Н1 0 й (фиг, 1) и перемещается на один шаг (фиг. 4).В это время для микросхемы 2, контроль которой будет осуществлять" ся второй, с помощью датчика 5 положения определяется величина разновысотности по отношецию к микросхеме 1 аХ . После этого пластина поднимается до соприкосновения зондов с контактными площадками микросхемы 2 на Величину 2 -дя =1,Фд" 17 ц остаС навливает св (фи. 5 1.20 3 94448Дальнейший подъем пластины...
Устройство для контактной приварки стержней к пластине
Номер патента: 1298023
Опубликовано: 23.03.1987
Авторы: Васильев, Курзин, Молодых, Ситников
МПК: B23K 11/02, B23K 11/04
Метки: контактной, пластине, приварки, стержней
...конец штанги 15 закреплен внеподвижном кронштейне 12, а гильза гидроцилиндра 13 имеет возможность перемещаться в направляющих втулках 21 неподвижного кронштейна 12,Штанга 15 предотвращает вращениеподвижного кронштейна 1 О относительно осигидроцилиндра 13.Регулируемый упор 18 воздействует наторец стержня и сообщает ему усилие, необходимое для осадки при сварке. Регулировка заключается в перемещении упора18 на направляющей 16. Этим достигаетсянеобходимый вылет для разного типа стержней,Устройство работает следующим образом.Привариваемый стержень подается между башмаками 2 к регулируемому упору 18.Поршень со штоком пневмоцилиндра 7 совершает прямой ход, клин 8 раздвигает 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 2ролики 3, поворачивая башмаки...
Способ измерения температуры в режущей пластине круглой формы
Номер патента: 1346341
Опубликовано: 23.10.1987
Авторы: Бухштейн, Дмитренко, Кильдиватов, Радзевич
МПК: B23B 25/06
Метки: круглой, пластине, режущей, температуры, формы
...в круглой пластине, план,наФиг.2 - то же, в теле режущек пластины,В режущей пластине 1 круглой Формы выполняют отверстия 2"5. Оси отверстий тараллельны осн О-О пластины1. В отверстия 2-.5 устанавливают ис Окусственные термопары 6 и соединяютих с регулирующим устройством - амперметром 7 или др. Отверстия 2-5 подискусственные термопары выполняютна Разном РасстоЯнии Н, К К Н 4 25.К от оси О-О пластины 1 и смещаютих друг относительно друга по углу% р Ц 2Ч р 4а ЗТК УГЛЫ МОГутрбыть выполнены равными. Регистрациютемпературы производят при различньх 3 Оугловых положениях режущей пластины,т,е. круглая пластина закрепляетсяв державке, вводится в работупослечего регистрируется температура., ДЯлее пластину 1 ряскрепляют, поворачивают...
Устройство для контактной приварки стержней к пластине
Номер патента: 1579685
Опубликовано: 23.07.1990
Авторы: Васильев, Курзин, Молодых, Ситников
МПК: B23K 11/04
Метки: контактной, пластине, приварки, стержней
...13. Регулируемый упор 18 воздействует на торец стержня и сообщает ему усилие, необходимое для осадки при сварке, Регулировка заключается в перемещении упора 18 по направляющей 16. Этим достигается необходимый вылет для разного размера стержней. Устройство для контактной приварки стержней к пластине работает следующим образом.После приварки к пластине очередного стержня в штоковую полость пневмоцилиндра 7 подается сжатый воздух, шток пневмоцилиндра с закрепленными на нем клином 8 и копиром 9 перемещается вверх. Хомут 11 неподвижен, прижат сжатыми пружинами 23 к упорным шайбам 24. Оси 5 под воздействием наклонных пазов копира 9 движутся одна навстречу другой, поворачивая башмаки 2 нижними плечами в разные стороны. Башмаки освобождают...
Способ формирования рельефа на полупроводниковой пластине
Номер патента: 1218857
Опубликовано: 23.10.1990
Авторы: Осинов, Стратиенко
МПК: H01L 21/308
Метки: пластине, полупроводниковой, рельефа, формирования
...рельефа на полупроводниковой подложке, включающем операции нанесения фоторезиста на подложку, сутпку, экспонирование, нроянление, плазменную обработку фоторезиста н ВЧ-диодной системе н инертной среде при давлении 0,1-100 Па и температуре подложки 20-80 С и плазменное травление, плазменную обработку фоторезиста и травление проводят в одном вакуумном цикле, причем плазменную обработку фоторезиста проводят в три стадии, дпительность каждой из которых составляет 1-5 мин,. при удельной мощности 0,2+0,02;0,5+0,05 и 1,0 ф 0, 1 Вт/см .Изобретение позволяет сократить технологический процесс формирования рельефа на полупроводниковой подложке в сравнении с прототипом на время проведения высокотемпературной сушки и связа.1 ных с ней...
Устройство для приварки шпилек к пластине
Номер патента: 1698029
Опубликовано: 15.12.1991
Авторы: Алябьев, Борисова, Крупеников, Паханьян, Поликарпов, Чернущенко
МПК: B23K 37/04, B23K 9/20
Метки: пластине, приварки, шпилек
...упор 16 для шпилек 11 и подпружиненный отсека- Гель 17 расположенный между базовой плитОЙ 7 и уГ 1 аром 16 Для шГ 1 илек 11,Подвижная призма 14 связана с приводам в видо силового цилиндра 18 и имеет жестко закрепленный талкатель 19, взаимодействующий с подпружиненным отсекателем 17 непадьижнай призмы 15.Сборочное приспособление соединено с приводом 20 с возможностью перемеще ния по раме 1 ме.жду Ограничителями 21 и )Сборочное П 1 испоГГД,1 ение оснащено 1 рижимными рычагами 23, связанными с силовым цилиндрам 24,Устройство работает следующим образам,В начале рабаты сборочное приспособление 2 нахОдится на нижних Ограничителях 22, В это время подвижная призма 14 расположена 6 крайнем левом положении и подпружиненные отсекатели 17 также...
Способ разбраковки полупроводниковых структур на пластине по группам годности
Номер патента: 1704194
Опубликовано: 07.01.1992
МПК: H01L 21/66
Метки: годности, группам, пластине, полупроводниковых, разбраковки, структур
...активной части структур, проверку электрических параметров указанных областей. маркировку структур по результатам проверки. о т л и ч а ющ и й с я тем, что, с целью повышения надежности разбраковки, контрольные области формируют на поверхности, свободной от защитных пленок, в количестве, соответствующем числу групп годности, а маркировку производят нанесением меток на зти области,2. Способ поп,1, отл ича ющийс я тем, что нанесение меток производят злектроэрозионны," путем. Составитель И.Петрова Редактор С,Патрушева Техред М.Моргентал Корректор С.ЧерниЗаказ 65 Тираж Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035. Москва. Ж, Раушская наб 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г,...
Устройство для электрофореза на вертикальной пластине геля
Номер патента: 1721498
Опубликовано: 23.03.1992
Автор: Судовцов
МПК: G01N 27/453
Метки: вертикальной, геля, пластине, электрофореза
...между стеклами гелевой ячейки на определенном уровне (в 25за ; симости от условий эксперимента)де.ится на две или три равноценные емкости, сообщающиеся между собой и внижней части (сообщающиеся сосуды),Таким образом, если между стеклами залить разделяющий гель и его заполимеризовать, то по закону сообщающихсясосудов можно получить два или соответственно три абсолютно идентичных разделяющих гелей. Приготовленный 35концентрирующий гель в этом случае может быть общим для полученных разделяющих, Использовать большееколичество разделяющих гелей нецелесообразно, так как в этом случае эффективность охлаждения гелевых пластин,находящихся в центре, резко падает, чтоотрицательно влияет на процесс разделения, .особенно при анализе множественных...
Способ контактной приварки стержня к пластине
Номер патента: 1754371
Опубликовано: 15.08.1992
Автор: Васев
МПК: B23K 11/14
Метки: контактной, пластине, приварки, стержня
...цель достигается тем, чтосогласно способу приварки стержня к пластине, сквозь отверстие в которой пропускают привариваемый.стержень, одинэлектрод прижимают к выступающему концу стержня, а другой - к пластине, затемпропускают электрический ток и стержень 45осаживают, в стержне в месте соединенияс пластиной выполняют проточку, причемэлектрод, прижатый к пластине; одновре менно прижимают и к боковой сторонестержня, а электрический ток пропускают 50через перемычку в стер кне.Предложенный способ соединения пластины со стержнем, в которомизготовлена,например Ч-образная проточка, позволяет при пропускании тока создать по осистержня интенсивное тепловое выделение, которое с нарастанием равномернораспространяется к свариваемым поверхностям...
Фиксатор к пластине для остеосинтеза
Номер патента: 1773389
Опубликовано: 07.11.1992
Авторы: Артемьева, Писарева, Приходько, Ярошенко
МПК: A61B 17/58
Метки: остеосинтеза, пластине, фиксатор
...4 с отверстием 5, размещенную с возможностью перемещения в отверстии 5. Планка 3 имеет противоположно расположенные пазы 6, 7 лежащие в плоскостях перпендикулярных продольной оси устройства, В пазах 6, 7 установлен съемный компрессирующий элемент 8 имеющий паз 8 а,перемычку 8 б и ножки 8 в, 8 г, размещаемые в углублениях 9, 10 выступа 4 пластины 2. Особенностью устройства является то, что в пазах 11, 12, пластин 1,2 установлены с воз 25 30 35 можностью заклинивания фиксаторы 13, каждый из которых представляет собой трубку с продольным каналом 14 имеющей петлеобразный участок 13 а, изогнутый по дуге (фиг,1 - 5) с соединенными участками 13 б, 13 в, размещаемыми в пазах 11, 12 и разведенными концами 13 г, 13 д, имеющими заглушки 15,...