Ашмонтас — Автор (original) (raw)

Ашмонтас

Фототранзистор

Номер патента: 1407353

Опубликовано: 30.06.1993

Авторы: Ашмонтас, Вакуев, Мармур, Оксман, Ширмулис

...барьерперехода эмиттер"база равным энергиикванта регистрируемого излучениячто достигается,приложением настоян"наго напряжения и смещения эмиттеря,удовлетворяющего условию где Ц " контактная разность патеццц- ЯЛОВ эмиттерцого перехода; 1постоянная Планка,Сскорость светязаряд злРктроцяЪ - длина волны регистрируемогоизлучения,Перешедшие в базу носителя попадают в коллекторный р-и"переход,смещенный в обратном направлении.Как ц ц Ооычцом биполярном трЯцзистаре ицжекция цеосновцьх па Отцашецию к базе) носителей обегпечиваетусиление мощности электрических сигналов.Толщина эмиттеря 1 це превышаетдлины Остывация Фотоцосителей " рас.стояния, ця котором фотоносители тряют приобретенную от света энергию,т, ей " 1 ., где д - толщиназьцг:тара...

Фотокатод для инфракрасной области спектра

Номер патента: 1579322

Опубликовано: 23.05.1993

Авторы: Ашмонтас, Броздниченко, Мармур, Новицкий, Оксман, Трейдерис, Тютиков

МПК: H01J 1/34

Метки: инфракрасной, области, спектра, фотокатод

...фотокатода происходит спев дукщим образом.Регистрируемое ИЕ-излучение с энергией кванта меньше ширины запрещенной зоны полупроводника поглощается свободными электронами в сильцо легиро-. ванном пф-слое, сообщая им энергию, равную энергии фотона. Разогретые светом носители движутся к р-п -пере+ ходу и те из них, энергия которых достаточна дпя преодоления потенциального барьера, переходят в р-слой. Таким образом, в рассматриваемом случае внутренней фотоэмиссии высота потенциального барьера гомоперехода, задаваемая прямым смещением, определяет диапазон длин волн регистрируемого излучения. Черт больше длина волны ИЕ- излучения, тем меньше должна быть высота потенциального барьера и, соответственно, тем больше должцт, быть...

Способ малоинерционной регистрации инфракрасного излучения

Номер патента: 1662219

Опубликовано: 15.05.1993

Авторы: Амосова, Ашмонтас, Верещагин, Мармур, Оксман

МПК: G01J 5/20

Метки: излучения, инфракрасного, малоинерционной, регистрации

...регулируемая температурой, равна где 1 - постоянная Больцмана,Т - рабочая температура,и - концентрация свободных электронов в слаболегированном слое эмиттера,Таким образом, смысл условия Т1 Рсводится к Ограничению высотыЫпп+lпбарьера 00 энергией кванта излучения 1 т, Для регистрации излучения выбирают транзистор, толщина слаболегированного слоя эмиттера которого Оп удовлетворяет условию д Э(Ь т), где ЯЬ 1) - длина рассеяния энергии фотовозбужденных электронов, В противном случае фотоэлектроны не могут преодолеть барьер на границе с металлической базой.Условие для рабочей температуры про+веряли на германиевых и -п-переходах, изготовленных вплавлеиием сплава олова с сурьмой и фосфором в подложки с и 10 см , При этом в сильно легированной...

Способ преобразования инфракрасного излучения

Номер патента: 1538834

Опубликовано: 07.05.1993

Авторы: Ашмонтас, Мармур, Оксман, Трейдерис

МПК: H01L 31/10

Метки: излучения, инфракрасного, преобразования

...рлбочеи температуры Т ъ26 Квьтекает из того, что активное поглощение происходит ца свободных носителях, поставляемых ионцзовацнымипримесями. Поэтому условие являетсяобратным условию, необходимому длявьморажцнация примесей.Верхний предел рабочей температуры вытекает из условия малости тока,создаваемого тепловыми носителямив прямом смещенном светодиоде,Пределы для прямого смешения связаны с тем, чтотребуемое преобразование излучения обусловлено квантовым процессом переброса, которыйимеет место в области спектра, длякоторой справедлив закон Фаулера.Пре"деды для величины прямого смещениясоответствуют высоте барьераотвечающей условию 0,5 Ь 1ч" бйт 2,При большой высоте барьера це будутвозникать фототок и стимулированнаяИК-излучением...

Способ регистрации ик-излучения

Номер патента: 1478918

Опубликовано: 23.04.1991

Авторы: Ашмонтас, Градаускас, Мармур, Оксман

МПК: H01L 31/10

Метки: ик-излучения, регистрации

...в цепи затвора на инерционность фотоответа,ра ведет к изменению сечения и проводимости канала и соответственнок изменению протекающего в цепи исток-сток тока. Заявляемый способприменим в широком температурном интервале, Высокое быстродействиеобеспечивается тем, что разогревэлектронной подсистемы отличаетсямалой инерционностью (время релак 42,сации носителей по энергии1 О с).Затвор должен быть закорочен с истоком, так как сечение канала и егопроводимость управляются не напряжением на затворе, а разогревом носителей излучением,П р и и е р, Проверка способа была проведена на кремниевых полевыхтранзисторах КП 902, КП 903, КП 302,КП 103, у которых были удалены корпу1478918 свободных носителей и отсутствуетвлияние сопротивления...

Способ измерения коэффициента идеальности вольт-амперной характеристики диода

Номер патента: 920581

Опубликовано: 15.04.1982

Авторы: Ашмонтас, Лапинскас, Олекас

МПК: G01R 31/26

Метки: вольт-амперной, диода, идеальности, коэффициента, характеристики

...(ВАХ) диода путем подачи на него импульсов тока и измерения отклонения. реальной ВАХ от иде-.альной (1) .Однако этот способ позволяет измерять коэффициент идеальности ВАХ диода только при больших напряжениях, когда ток, текущий через диод, значительно превышает ток насыщения.Наиболее близким по техническс 1 й сущности к предложенному является способ определения коэффициента идеа льности ВАХ диода путем подачи на диод постоянного смещения, малого переменного напряжения и измерения дифференциального сопротивления диода при двух различных напряжениях смещения (2 .Однако точность данного способа снижается при малых смещениях, ког.па ток, текущий через диод, не пре" вышает тока насыщения. Кроме того, известный способ требует измерения...

Зонд для измерения распределения напряженности сверхвысокочастотного электрического поля

Номер патента: 873161

Опубликовано: 15.10.1981

Авторы: Ашмонтас, Гашка, Субачюс, Ярмалис

МПК: G01R 29/08

Метки: зонд, напряженности, поля, распределения, сверхвысокочастотного, электрического

...легирующей примеси.Переход со ступенчатым изменением концентрации легирукщей примеси может иметь несколько вариантов, например о+- и, рф-р и и"р переходы.Разрешакщая способность опреде" ляется толщиной перехода и его ориентацией относительно продольной оси зонда. Современная технология выра873161 Формула изобретения Составитель Г. ЧелеиТехред М. Рейвес Корректор М. Шароши Редактор Н. Воловик Заказ 9026/71 . Тираж 7 ф ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета СССРпо делам изобретений и открытий113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5 Филиал ППП фПатент",г. Ужгород, ул. Проектная, 4,щивания кристаллов методом Чохральского позволяет получать переходы 3толщиной порядка 1 мкм. При этомразрешающая способность предлагаемого зонда по...

Способ измерения времени релаксации энергии носителей заряда в полупроводниках

Номер патента: 857889

Опубликовано: 23.08.1981

Авторы: Ашмонтас, Олекас

МПК: G01R 31/26

Метки: времени, заряда, носителей, полупроводниках, релаксации, энергии

...зависимостьи т. д. Величина .в зависит от различныхфакторов, в частности от степени легирования полупроводника. 10Известен способ измерения времени релаксации энергии носителей заряда в полупроводниках, основанный на измерениях электрических параметров как на СВЧ, так и напостоянном токе, заключающийся в том,что создают специальные тестовые диодныеструктуры, содержащие п - и+ переход, пропускают через них постоянный ток и измеряют продольные и поперечные составляющие токов, по которым определяют параметры полупроводника.Недостаток этого способа заключаетсяв том, что он требует изготовления сложных тестовых структур. Известен также способ, основанный на том, что в полупроводнике создают неоднородное электрическое поле с различными...

Устройство для формирования на-носекундных высоковольтных импульсовмногоступенчатой формы

Номер патента: 813712

Опубликовано: 15.03.1981

Авторы: Ашмонтас, Даргис, Седракян

МПК: H03K 3/53

Метки: высоковольтных, импульсовмногоступенчатой, на-носекундных, формирования, формы

...содержит источник 1 постоянного тока, соединенный через зарядной резистор 2 с коммутирующим элементом 3и формирующей линией 4, в разрывы центрального проводника которой включены резисторы 5-1, 5-2 и 5-иУстройство работает следующим обра 35зом. При замыкании коммутирующего элемента 3 происходит разряд формирующей пинии между коммутирующим элементом и резистором 5-1, и формируется первая40 ступенька импупьса с амплитудой О и длительностью Т - -где у - скоростьгэлектромагнитной волны в пинии, адлина участка формирующей линии между коммутирующим элементом и резистором 5-1, Эатем разряжается участок линии от резистора 5-1 до резистора 5-2, и формируется вторая ступенька с амппитуХпой оп:О р- -гпе и - вопновое сопротивление, а й -...

Способ измерения коэффициента диффузии носителей заряда в полупроводниках, содержащих переход

Номер патента: 620918

Опубликовано: 25.08.1978

Авторы: Ашмонтас, Субачюс

МПК: H01L 21/66

Метки: диффузии, заряда, коэффициента, носителей, переход, полупроводниках, содержащих

...в сильных электрических СВЧ полях.Цель изобретения - повышение точности измерений.Это достигается тем, что на исследуемый полупроводник воздействуют однородным СВЧ полем, определяют отношение тангенсов угла наклона вольтамперной характеристики образца в электрическом поле и без него, а коэффициент диффузии носителей заряда определяют по формуле620918 Е) =(1 - е 11О, 1 х.,Составитель Т. ДозоровТехред О. Луговая. Корректор А. Власенко Тираж 1112 Подписное Редактор Л. ГребенниковаЗаказ 4649/42 ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж.35, Раушская наб., д, 4/5 филиал ППП Патент, г. Ужгород, ул. Проектная, 411 - термоЭДС горячих носителей заряда;Х - отношение тангенсов...

Устройство для измерения мощности сверхвысокочастотных колебаний

Номер патента: 520547

Опубликовано: 05.07.1976

Авторы: Ашмонтас, Гуога, Лапинскас, Субачюс

МПК: G01R 21/04

Метки: колебаний, мощности, сверхвысокочастотных

...отрезок волновода 1, полупроводниковую пластину 2 с точеч-, Щ ными омическими контактами 3, 4 и метал,. лическими зондами 5, 6 к ним, причем пластина 2 расположена в полости отрезка; волноводв нв теплопроводяшей изоляционной,: подложке 7. Приконтактнвя область 8 плас- М в со;ступенчатым распределеей примеси, а приконтвктнвяплавным распределением. работает следующим,образом в отрезок волноводв сверх- . ых колебаний между контакт разность потенциалов, пропроходящей через отрезок щности этих колебаний,Асимметрия, вольт-амперной характерис-, тики контакта 3 обусловлена возникновени-, ем обьемного заряда в приконтактной облас)- тн 8 со ступенчатым распределением ле-гирующей примеси и нелоквльной связью между подвижностью носителей...

Способ определения нелокальной связи между подвижностью носителей заряда и напряженностью электрического поля в полупроводниках

Номер патента: 516976

Опубликовано: 05.06.1976

Автор: Ашмонтас

МПК: G01R 31/00

Метки: заряда, между, напряженностью, нелокальной, носителей, подвижностью, полупроводниках, поля, связи, электрического

...исртОКОВ:= -(ам ф -9"9Однако при малых концентрациях чосителей1 цзаряда Ъ"д ( 10"- см-"- в Однородном эоразце дцф;,узпэнным током мохкно пренеоречь. Тогда полный ток,. текуц;ий черезобразец. будет равен Еггц. (к)3(л)(у -).сг,р: разность токов, текуших черезг; - ;, с-о:новый образец при двух прот - ,; 1 к 1,ых полярностях приложенного, .том уран: ения (3) определяют нело.:яльную связь между подвижностью носите.1 ей заряда и напряженностью электринеско 1и. ярНеравномерное распределение электрического поля можно получить, например:з бра;,е с несимметричным сужением всередине - см. фиг. 1, На фиг, 2 показано распределение напряженности электрическос о поля вдоль образца,Критерием, характеризуюшим исследуе:,чо структуру...

Способ измерения эффективной температуры горячих носителей тока в полупроводнике

Номер патента: 335751

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Ашмонтас, Репшас

МПК: G01R 31/26, H01L 21/00

Метки: горячих, носителей, полупроводнике, температуры, эффективной

...щают щую Изобретопие относится к области использования горячих,носителей тока в полупроводникахх.Приборы, работающие на основе разогрева носителей тока электрическим:полем, широко 5 применяются в технике (например, генераторы, основанные на эффекте Ганна) .Важнейшим параметром, определяющим степень разогрева носителей тока электрическим полем, является их эффективная темпе ратура.Известен способ измерения эффективной температуры горячих носителей тока путем определения их термо-э.д.с.Этот способ имеет существенный недоста ток. Термо-э.д.с. горячих носителей тока возникает только при градиенте концентрация носителей тока, который обы шо создают легированием полупроводника, что является технологически сложным и трудноконтроли руемым...