Репшас — Автор (original) (raw)
Репшас
Способ определения дрейфовой скорости носителей заряда в полупроводнике
Номер патента: 1250923
Опубликовано: 15.08.1986
Авторы: Репшас, Скучене
МПК: G01N 22/00
Метки: дрейфовой, заряда, носителей, полупроводнике, скорости
...ударную ионизацию путем подключения источника,развивающую в исследуемом полупроводнике 2 импульсное СВЧ электромагнитное поле Е, и, отключив входдифференциального усилителя осциллографа 5 от сопротивления 8, поосциллограмме нарастания напряженияна исследуемом полУпроводнике 2,определяют время жизни носителейзаряда. Подключают вход дифференциального усилителя осциллографа 5противление ИПП 2 К. ЦСННЗ, усредненная за период колебанич СВЧ определяется по формулеЧ:.= (., ) Йп (К /К.) 1 (К- К, ) 7 Кгде 1. - длина полупроводника. 1 ил. к сопротивлению 8. За время короче0,1 после окончания импульса импульсного СВЧ электромагнитного поля, т.е. пока концентрация избыточных носителей заряда не успела заметно измениться измеряют сопротивление...
Способ изготовления датчиков импульсной мощности свч
Номер патента: 557698
Опубликовано: 23.06.1983
Авторы: Версоцкас, Гавутис, Гечяускас, Кальвенас, Пожела, Репшас, Юскевичене
МПК: H01L 21/22
Метки: датчиков, импульсной, мощности, свч
...датчиков импульсной мощности 10 в большой степени зависят от температуры окружающей среды.Известен также способ изготовления датчиков импульсной мощности СВЧ путем вплавления металлического сплава в приконтактную область кремниевой пластины электронного типа проводимости 2 .Недостатком изготовленных этим способом датчиков импульсной мощности СВЧ является изменение их показаний в интервале температур Т = - -(50-60 ОС) до 6. Это обьясняется тем, что контакт к кремниевой пластине создается вплавлением сплавазолота с примесью сурьмы, а диффузия примеси с глубокими уровнями в запрещенной зоне ведется из спла- .ва. Для получения необходимой концентрации примеси типа золота в кремниевой пластине сплав золото - сурьма необходимо нагревать...
Устройство для измерения распределения сверхвысокочастотного поля в полупроводниковом образце
Номер патента: 930160
Опубликовано: 23.05.1982
Авторы: Конин, Приходько, Репшас
МПК: G01R 29/08
Метки: образце, полупроводниковом, поля, распределения, сверхвысокочастотного
...уста новлены концентраторы 6 и 7 электрического поля из диэлектрика с высокой диэлектрической проницаемостью, при этом в дополнительном отрезке 2 волновода на расстоянии Х/1(2 п ф 1) от концентратора 7 электрического поля размещен зонд 8 связи с индика" тором, а в отрезке 1 волновода концентратор 6 электрического поля установлен с зазором по отношению к общей широкой стенке для размещения . в нем полупроводникового образца 9.Устройство работает следующим образом.Волна ТЕ, распространяющаясяпо отрезку 1 волновода, создает СВЧ электрическое поле в исследуемомполупроводниковом образце 9. Областьполупроводникового образца 9, расположенная под щелью 5 связи, воз- буждает в ней, а следовательно, и в перестраиваемом резонаторе, образованном...
Способ измерения плотности потока сверхвысокочастотной мощности
Номер патента: 885909
Опубликовано: 30.11.1981
МПК: G01R 21/09
Метки: мощности, плотности, потока, сверхвысокочастотной
...сопротивление источника питания, и определяют ппотность сверхвысокочастотной мощности, 5На чертеже представлена структурнаяэпектрическая схема устройства, реализующего предложенный способ.Устройство содержит датчик 1 Холла,помещенный в волноводном тракте 2, согласованнуто нагрузку 3, источник 4 регулируемого постоянного напряжения, измеритель 5 напряжения, бпок 6 управлениярежимом питания с отсчетным устройством,измеритепь 7 напряженности магнитногоЙ поля и измеритель 8 ЭДС Холла.Устройство работает следующим образом.При подаче СВЧ мощности в датчик 1возникает сверхвысокочастотная ЭДС Халла, которая уравновешивает ЭДС, созданную внешним Источником питания, Компенсация производится в слабом, негреющемносители заряда...
Способ измерения сверхвысокочас-тотной мощности
Номер патента: 802880
Опубликовано: 07.02.1981
МПК: G01R 21/08
Метки: мощности, сверхвысокочас-тотной
...изменения электропроводности от электрического сверхвысокочастотного поля,, дЧ /дх/хо - величина производнойЭДС Холла в точкеминимума измененияэлектропроводностиот электрическогосверхвысокочастотного поля,КЬ - волновое число.На чертеже приведена структурнаясхема устройства, реализующего способ.Устройство содержит датчик 1 Холла, помещенный в волновод 2, согласованную нагрузку 3, сменную короткоэамыкающую нагрузку 4, источник 5постоя,.ного напряжения, измеритель 6напряжения Ед, измеритель 7 напряженности магнитного поля Н (магнитнаявнешняя система не показана) и измеритель 8 ЭДС Холла.Устройство работает следующимобразом,При подаче СВЧ-мощности в датчике 1 Холла возинкает сверхвысокочастотная ЭДС Холла, которая уравновешивается ЭДС...
Устройство для измерения термоэдс горячих носителей заряда в полупроводнике
Номер патента: 763810
Опубликовано: 15.09.1980
Авторы: Паукште, Репшас
МПК: G01N 22/00
Метки: горячих, заряда, носителей, полупроводнике, термоэдс
...в м(- роких стенках отрезка 2 прямоугольНОГО ВОлнОВОДа и снабх(еы контактными злементами 5 б, пОдключеннымик одному из входов индикатора 1, аконец стержня 4 выведен через от7688 О ГПОТОТИП Раж 10 1 1 одписно ВНИИПИ Заказ 6274/3 илиал ППП Патент верстие в узкой стенке отрезка 2прямоугольного волновода и снабженконтактным элементом 7, ттодклюеннттмк другому входу индикатора 1.Устройство работает следуюшимобразом,1:ат( как по отрезку 2 прямоугольного волновода распространяется воя - на типа Н , то стержень 3 между контактными элементами 5,6 нахо - дится в сильном электрическом СВЧ поле. В стержне 4 поле ЯвляетсЯ сла - бым из-за большой диэлектрической проницаемости полупрОВОдникау а В контактных элементах 5,8 поле слабое из-за...
Датчик сверхвысокочастотной мощности
Номер патента: 559184
Опубликовано: 28.02.1979
Авторы: Гашка, Репшас
МПК: G01R 21/06
Метки: датчик, мощности, сверхвысокочастотной
...приведена схема предлагаемого датчика.Датчик СВЧ-мощности содержит полупроводниковый элемент 1 с приконтактными блоками 2 - 7, на которых размещены омические контакты 8 - 13. Полупроводниковый элемент 1 выполнен в виде лежащих в одной плоскости трех параллельных пластин, середины которых соединены перемычкой, причем омические контакты 1 О, 11 и 12, И каждой крайней пластины соединены металлическими перемычками 14 и 15 соответственно.Датчик работает следующим образом. При распространении электромагнитной волны вдоль волновода вследствие разогрева носителей заряда электрическим СВЧ- полем между приконтактными блоками 4 н 5, б и 7 возникают биградиентные потенциалы, одинаковые по величине, но противоположного знака, так как напряжение...
Способ измерения сверхвысокочастотной мощности
Номер патента: 590682
Опубликовано: 30.01.1978
Авторы: Гашка, Репшас
МПК: G01R 21/08
Метки: мощности, сверхвысокочастотной
...созданной внешними полямц, ц определения сверхвысокочастотной мощности непосредственно по удвоенному процзведеншо значений постоянных электрического и магнитного полей, после уравновешивания основной ЭДС Холла дополнительной ЭДС Холла отключают сверхвысокочастотную мощность и измеряют ЭДС Холла, созданную внешнцмц электрическим и магнитным полями, отключают внешние электрическое и магнитное поля и измеряют ЭДС Холла, созданную сверх- высокочастотной мощностью, а сверхвысоко- частотную мощность определяют по формулен- Е 00где Е 0 и В 0 - значения внешних уравновешивающих электрического и магнитного полей соответственно;У, - ЭДС Холла, созданвысокочастотнойКорректор Л, Орлова Редактор Н. Суханова Подписное Заказ 3259/16 Изд. Мо 181...
Устройство для исследования вольтамперных характеристик полупроводниковых материалов
Номер патента: 543886
Опубликовано: 25.01.1977
Авторы: Добровольскис, Кроткус, Репшас
МПК: G01R 27/00
Метки: вольтамперных, исследования, полупроводниковых, характеристик
...измерения содержат пог-1 б решности 3.Наиболее близким техническим решением к изобретениео является устройство для исследования вольт-амперных характеристик полупроводниковых материаловсодержащее 111 последовательно соединенные генератор, ргу-". ное реле и коаксиальную измерительную линию, резистивный зонд, стробоскопический осциллограф и двухкоординатный самописец С 23. ЦИ 1 более с"ьих,"1 Ве 1 в 1;1 м еда татком тае ко 1-О устройства 111;11 Отс я низ 1 ая 1 розводи. ТЕЛЬИОСТЬ ИЗ 1 Д:.РЕ;,1 И 1.1 АЕЛЬ ИЗООН:.ТРИЛ " ПО 11.ИС 11 ИО 1 И 1 ОИЗВО П 1.Р;,ЬНР( ТИ;: с;, -,-т 1Для лост 1.же 1 и 1 Остаы 1 е 1111 ой 11 О 11 и В уст ОЙСТВО Д 11 Я ИСС:. :Она 111 ВОЛЬТ - а,11 Е 1111 к"1 (те 11 гк И 1 " ,рво:ичзьх11 е 1.иалОВ содержащее...
Устройство для измерения объемной дифферинциальной термоэдс
Номер патента: 513415
Опубликовано: 05.05.1976
Авторы: Завистанавичюте, Репшас
МПК: H01L 35/02
Метки: дифферинциальной, объемной, термоэдс
...прибор, подключенные к образцу из исследуемого материла, выполненного в форме гантеля с массивными ц приконтактными блоками, находящихся при различных температурах. Однако точность измерения объемной термо-э.д,с. снижаетсяза счет возникновения на переходах перешеек-блок гантеля эффекте. Пельте и измене 1 ния вследствие этого сопротивления гантеля вблизи упомянутых переходов, а также из-за необходимости компенсации эффектаЗеебека на контактах блоков.Цель изобретения - повышение точности 20 измерении объемной дифференциальной те мо-э.д,с, исследуемого материала, Это доотигается тем, что контакты для подключения источника питания находятся на свободных концах разомкнутого образца и термо статированы вместе с контактами для...
Устройство для измерения импульсной напряженности электрического свч-поля
Номер патента: 482691
Опубликовано: 30.08.1975
Авторы: Гечяускас, Мозалис, Репшас
МПК: G01R 21/06
Метки: импульсной, напряженности, свч-поля, электрического
...так, чтобы выполнялось условие 1( Х,/10, где Х, - длина волны в волноводе, Максима.чьная глубина погружения рабочей части чувствительного э,чемента 5 10 15 20 2530(23) ПриоритетОпубликовано 30,08.75,Изобретение относится к СВЧ-технике и может использоваться для измерений импульсных значений напряженности электрического поля, мощности, а также наблюдения огибающей СВЧ-колебаний в волноводах.Известно устройство для измерения импульсной напряженности электрического СВЧ- поля, содержащее отрезок волновода, чувствительный элемент П-образной формы, выполненцый из монокрцсталла, и индикатор.Цель изобретения - повышение точности при увеличении допустимой средней мощности. Для этого на основаниях чувствительного элемента выполнены расположенные...
Устройство для измерения мощности свч
Номер патента: 467284
Опубликовано: 15.04.1975
Авторы: Гечяускас, Мозалис, Пожела, Репшас
МПК: G01R 21/06
...датчик, включающиив себя отрезок во.1 новода 1, полупроводниковый датчик 2 с контактами 3, изолируютцую пластинку 4 и втулку 5, электронный комму татор О, задающий генератор 7, индикаторы6 и 9 импульсной и средней мощностей, а также генератор 10 СВЧ-колебаний,Работа устройства основана на измерениидвух различных видов реакции полупроводника на воздействие импульсно-модулированных колебаний СВЧ.Кристаллическая решетка полупроводника2 обладает значительной тепловой инерцией, 15 и ее средняя температура является функциейсредней мощности импульсных колебаний СВЧ. Контакты 3 чувствительного элемента датчика составляют две, соединенные последовательно, термопары металл-полупроводник, 20 Благодаря тому, что напряженность поляу контакта,...
Способ определения абсолютной термо-эдс
Номер патента: 456156
Опубликовано: 05.01.1975
Авторы: Завистанавичюте, Репшас
МПК: G01K 7/02
Метки: абсолютной, термо-эдс
...в проводнике.Приложенное и проводнику внешнее электрическое поле Е; создает ток в проводнике, Ток создает падение напряжения в приконтактных областях и в объеме проводника, пропорциональное сопротивлению приконтактных областей и объема, соответственно. Поэтому, так как сопротивление приконтактных областей мало, то под воздействием результирующего поля Е=Ео+Е 1 удельное сопротивление проводника изменяется в основном только в объеме.Удельное сопротивление проводника под воздействием поля Е=Е,+Е, при небольших Е можно представить в следующем виде:р = рв 1+ 3(Ео+ 2 ЕоЕй+ Ет)з (1) где ро - удельное сопротивление проводника в отсутствии внешнего электрического поля;456156 о,: р, (1 + 2 ЪЕ,Е + ЗЕс + ЗЕоо), о = о (1 - 23 Е Ер + Ею+ ЯЕо)а разница...
Способ измерения свч-мощности
Номер патента: 449310
Опубликовано: 05.11.1974
Авторы: Гашка, Репшас
МПК: G01R 21/08
Метки: свч-мощности
...измерениямощности с использованиемой здс, Холла, возникающейпроводйиковой пластинкетвие воздействия на нееля Поскольку измеряемая э.д.с.Холла с СВЧ= мощностью связанаследующим образом:ч= см,-где С - некоторая константа,включающая размеры пластинки икоэффициент, зависящий от механизма рассеяния носителей тока в полупроводнике, а 1 м - подвижностьносителей тока, Изменение подвижности из-за изменения температуры окружающей среды или разогрева пластинки под действием СВЧмощности сказывается на точности определения СВЧ-мощности этимсрособом.Определение СВЧ - мощности поградуировочной кривой в свою очеЦель изобретения - повышени 5 точности измерения СВЧ-мощности - Достигается благодаря созданию в пощпроводниковой пластине дополнительный...
Устройство для измерения напряженности электрического поля свч
Номер патента: 427293
Опубликовано: 05.05.1974
Авторы: Василец, Изобретени, Репшас, Субачюс
МПК: G01R 29/08
Метки: напряженности, поля, свч, электрического
...монокристаллического полупроводникового материала помещен в полость волновода 3 через отверстия в его широких стенках параллельно электрическому вектору электромагнитного поля так, что его контакты 2 расположены вне поз 1 бсти волновода. Зазор между датчиком и стенками волновода заполнен поглощающим СВЧ энергию материалом 7. Это обстоятельство, а также расположение контактов вне полости волновода способствует сведению к минимуму напряженности элек. трического поля у контактов, что приводи к ослаблению паразитного сигнала и, следовательно, к повышению точности измерений.Чувствительность датчика определяется раз мерами датчика г, В и телесным углом х конического сужения,0Чем больше отношение - , тем больше чувствительность датчика....
Устройство для измерения свч-мощности
Номер патента: 425123
Опубликовано: 25.04.1974
Авторы: Завистанавичюте, Репшас
МПК: G01R 21/08
Метки: свч-мощности
...нитеобразной формы со съемочными проводами на концах расположен параллельно широким стенкам волновода, а съемочные провода вы ведены через отверстия в узких стенках волновода, причем постоянный магнит установлен на широких стенках прямоугольного волновода.На чертеже приведена схема устройства.25 Устройство для измерения СВЧ-мощностисодержит прямоугольный волновод 1, магнит 2, полупроводниковый датчик нитеобразной формы 3 со съемочными проводами 4 на концах и индикатор 5.30 Устройство работает следующим образом.Корректор Л. Орлова Заказ 2678/3 Изд.745 Тираж 678 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий Москва, )К, Раушская наб., д. 4/5Типография, пр, Сапунова, 2 При прохождении...
Устройство для измерения мощности свч-колебаний
Номер патента: 362250
Опубликовано: 01.01.1973
МПК: G01R 21/06
Метки: мощности, свч-колебаний
...расположенная ца широкой стенке волновода в плоскости, перпендикулярной продольной оси волновода, а входы усилителя, выполненного по двухканальной схеме с общей нагрузкой, соединены с полупроводниковыми пластинами.Иа чертеже приведена функциональная схема предлагаемого устройства.В волповоде 1 на его широких стенках симметрично смонтированы полупроводниковые пластины 2 с градиентом концентрации носителей тока и электродами 3. Один из электродов каждой пластины 2 соединен со стенкой 2волновода 1, а с другого снимается вцдеосцгнал, поступающий на вход двухканальногоусилителя 4, цмеюц 1 его непоказанную на чертеже общую нагрузку, к которой подсоединен 5 измерительный прибор 5.Работа устроцства заключается в следующем.Благодаря...
Способ измерения коэффициента холла в сильных импульсных электрических полях
Номер патента: 356603
Опубликовано: 01.01.1972
Автор: Репшас
МПК: G01R 33/07
Метки: импульсных, коэффициента, полях, сильных, холла, электрических
...способ определения коэффициента Холла в силиных импульсных электрических полях при постоянном магнитном поле путем раздельного измерения э.д,с. Холла и тока в образце, 10Для повышения точности измерений по предлагаемому способу э.д,с. Холла сравнивают с падением напряжения на известной части сопротивления потенциометра ври наличии в образце как сильного, так и слабого 15 электрического импульсного поля, причем коэффициент Холла в сильном поле определяют как произведение отношения двух величин сопротивления части вотенциометра иа коэффициент Холла в слабом достояннам 20электрическом поле. соба заключается в следуюла с боковых контактов обртеж), в котором с помощью 2 сильное импульсное электридают на вычитающее устройкатором 3....
Способ измерения эффективной температуры горячих носителей тока в полупроводнике
Номер патента: 335751
Опубликовано: 01.01.1972
Авторы: Ашмонтас, Репшас
МПК: G01R 31/26, H01L 21/00
Метки: горячих, носителей, полупроводнике, температуры, эффективной
...щают щую Изобретопие относится к области использования горячих,носителей тока в полупроводникахх.Приборы, работающие на основе разогрева носителей тока электрическим:полем, широко 5 применяются в технике (например, генераторы, основанные на эффекте Ганна) .Важнейшим параметром, определяющим степень разогрева носителей тока электрическим полем, является их эффективная темпе ратура.Известен способ измерения эффективной температуры горячих носителей тока путем определения их термо-э.д.с.Этот способ имеет существенный недоста ток. Термо-э.д.с. горячих носителей тока возникает только при градиенте концентрация носителей тока, который обы шо создают легированием полупроводника, что является технологически сложным и трудноконтроли руемым...
232374
Номер патента: 232374
Опубликовано: 01.01.1969
МПК: G01R 21/04
Метки: 232374
...непы или стеПредмет из о б электри ленных ни кает рая пр воду мо ключае пластин тени рисоедииением заявки М Известное устройство для измерения мощности СВЧ-колебаний, содержащее полупроводниковый датчик, установленный в волноводе, по которому распространяются измеряемые СВЧ-колебания, и подключенный к датчику измерительный прибор, требует применения источника питания датчика, нестабильность напряжения которого приводит к снижению точности измерения.Предлагаемое устройство отличается тем, что в качестве полупроводникового датчика используют полупроводниковую пластину с градиентом концентрации носителей тока, снабженную на концах электродами, служащими для непосредственного подключения к ним измерительного прибора.Это позволяет упростить...