Твердые или жидкие компоненты, например по методу вернейля — C30B 11/10 — МПК (original) (raw)
Аппарат для получения корунда и т. п. искусственных камней
Номер патента: 28905
Опубликовано: 31.01.1933
Авторы: Ильин, Кнапский, Федоров
МПК: C30B 11/10, C30B 29/20
Метки: аппарат, искусственных, камней, корунда
...обойма 1 б для проводки светильного газа к горелке, состоящая из двух кольцевых упоров, куда в ставлены восемь латунных трубок и ., снаружи их надета еще одна латунная трубка, на которую надета рубашка 77 с наконечником-колпачком 79, Кожух в зависимости от требуемого объема светильного газа для горения или опускается книзу или поднимается кверху посредством кольца с нарезкой 17 а. Наверху обоймы установлен приемник 12 светильного газа с укрепляющей гайкой 15, имеющей асбестовый сальник и штуцер 13; для подводки светильного газа посред. ством шланга в приемнике 12 имеется предохранительный шарик 14.Весь аппарат на специальном каркасе или доске, покрытой асбестом, вешается на стену на кронштейнах 20 и 21.Для равномерной подачи...
Способ получения искусственных цветных камней
Номер патента: 48277
Опубликовано: 31.08.1936
Автор: Беркфельд
МПК: C30B 11/10, C30B 29/16
Метки: искусственных, камней, цветных
...исходить взамен окиси непо. средственно из тонких фракций так называемого микроналюминия", применяемого при термитной реакции Гольд- шмидта и изготовляемого путем распыления металлического алюминия.Материалом в этом случае должен служить исключительно только алюминий высококачественного состава (99,97%).При применении окиси алюминия засыпаемая в закрытый стакан горелки пудра окиси, падая по нижнему конусу стакана, передается в трубку для плавки, двигаясь непосредственно в токе кислорода, вводимого в стакан и оттуда в трубку.Падающая в потоке кислорода пудра окиси у нижнего конца трубки вводится в атмосферу водорода, где и происходит горение и дальнейшая плавка окиси.Расплавленные капельки окиси, выходя из зоны пламени, падают и...
Печь к аппаратам для выращивания монокристаллов тугоплавких веществ
Номер патента: 148017
Опубликовано: 01.01.1962
Авторы: Гулевич, Фаивусович, Циглер
МПК: C30B 11/10
Метки: аппаратам, веществ, выращивания, монокристаллов, печь, тугоплавких
...обмазкой 3, наружным цилиндром 4 и снизу ограничена фигурным кольцом 5, а сверху крышкой б. Через отверстия в фигурном кольце 5 горячие газы и избыточный водород, необходимый по технологии выращивания монокристаллов, поступают в кольцевую камеру. Отверстия в днище 7 служат для подсоса воздуха, необходимого для сгорания избыточного водорода. Вверху над камерой находится кольцевой сборник 8 для отработанных газов. Снизу печь имеет шлюз, закрывающийся съемной втулкой 9,Таким образом, при выращивании монокристаллов в предлагаемой печи в кольцевой камере образуется тепловой барьер, препятствующий отдаче тепла от муфеля 1 печи в окружающую среду.Предлагаемая конструкция печи более инерциогна по сравнению с известными и снижает температурные...
148380
Номер патента: 148380
Опубликовано: 01.01.1962
МПК: C30B 11/10
Метки: 148380
...изображена в разрезе кислородная трубка. части 1 и 2, соединя частей 1 и 2 на вн ая выточка, в котор 1 я 10 шая сооой цилин ным сквозным отвер направлена в сторо .цюю часть 2 кисло фрагмы шихта, даж .,метрично относите дством наклонных с ИСАНИЕ ИЗОБРЕ ВТОРСНОМУ СВИДЕТЕЛЬСТ С. Ш. Генделев и И ИСЛОРОДНАЯ ТРУБКА ГОРЕЛКИ ПОПОВА ДЛЯ ВЫРАЦИВАНКислородная трубка имеет две бой на резьбе. В месте соединения верхности выполнена цилиндрическ металличе"кая диафрагма, представ. дыш 3, выполненный с воронкообраз ная цилиндрическая часть которо-о наконечника 5, навинчеццого на ц 4При наличии металлической диа если она из бункера поступает исси родной трубки, фокусируется посре емые между сотренней их поой установлена дрический вкластцем 4, суженцу...
Способ газопламенного отжига монокристаллов
Номер патента: 172287
Опубликовано: 01.01.1965
Авторы: Волынец, Губен, Козлов, Охапин, Смирный
МПК: C30B 11/10
Метки: газопламенного, монокристаллов, отжига
...того, с целью уменьшения концентрации дислокаций В монокристалле, ВО Врсмя кристаллизации проводят поочередное, начиная сверху, подключение трубок, расположенных по спирали.Данный способ иллюстрируется конкретным примером его осуществления для выращивания и Отжига моно,рцсталлОВ корунда (температура плавлсш 1 я 2050-С) длиной 150 х 1,1 и диаметром до 25 з 1,11 с крцсталлографической ориентировкой 0, 15", 40, 60, 75 и 90 в стандартной печи. В зоне отжцга были проделаны нормальцыс к поверхности печи (стальНОИ 1 у ,Ожуку ц адуцдовой жарОВО ТрубЕ) круглые отверстия, расположенные по спцральнОи криВО 1 таким ООразом, что каждое слсду 1 ощее ОтВерстне Вын 1 с (ц 1 и нцжс) предыдущего на 12 я,11, а их Осц смс 1 цецы в проекции ца...
Устройство для выращивания монокристаллов
Номер патента: 203639
Опубликовано: 01.01.1967
МПК: C30B 11/10
Метки: выращивания, монокристаллов
...в виде двух керамических полуцилиндров 1 и металлического корпуса, также состоящего из двух полуцилиндров 2. Части муфеля соединены с частями корпуса, шарнирно установленными на вертикальной штанге д аппарата с помощью перекрестных рычагов 4, которые через ролики б связаны с эксцентриками б приводного вала 7. Части корпуса прижаты друг к другу пружинами 8, степень сжатия которых регулируют с помощью гаек 9. На валу 7 может быть расположено несколько пар эксцентриков, количество которых соответствует числу аппаратов ростового блока,5 11 одготовленное к работе устройство закрывают, поворачивая приводной вал. 11 ри этом эксцентрики взаимодействуют с роликами рычагов, и керамические части муфеля соединяются. Части корпуса установлены...
205820
Номер патента: 205820
Опубликовано: 01.01.1967
МПК: C30B 11/10, G05D 7/00
Метки: 205820
...форма и объем которого соответствуют заданной программе, и элемент 9 с одинаковой по высоте площадью поперечного сечения. Оба элемента соединены с приводами перемещения их относительно уровня жидкости в емкости,Устройство работает следующим образом. Программный элемент 8 вводят с помощью привода в жидкость, находящуюся в емкости б, Вытесненная жидкость переливается через трубку 7 в емкость 5, укрепленную на мембране. Количество перелитой жидкости определяет величину опускания емкости и, соответственно, величину изменения плошади проходного сечения клапана в процессе выращивания; программу расхода можно изменять, опуская вместе с программным элементом дополнительный элемент 9.Изменение расхода кислорода осуществляют при разращивании...
Способ приготовления шихты для выращивания монокристаллов веществ по вернейлю
Номер патента: 212237
Опубликовано: 01.01.1968
Авторы: Деларова, Дукельска, Смирный
МПК: C30B 11/10
Метки: вернейлю, веществ, выращивания, монокристаллов, приготовления, шихты
...тем, я шихты,мк смеиготов ристал обжи ссифи устр а;рупно порош ичеств верхно астираСпособ пр вания монок включающи чснием и кла что, с целью 1фракцию с шивают с взятой в кол вания на по ного слоя, р кислоты, я образо- лекуляр- ссифици 0 с присоединением заявкиОСОБ ПРИГОТОВЛЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВИзвестные способы приготовления шихты для выращивания монокристаллов по Вернейлю включают в качестве заключительных операций обжиг, измельчение и классификацию, Подготовленная таким образом шихта при транспортировании по магистралям питателя комкуется и налипает на стенки питателя и горелки, чем нарушается равномерность ее подачи на растущую поверхность. Отличием описываемого способа является смешение фракции с крупностью частиц до 60 мк с...
Блока кристаллизационных
Номер патента: 220951
Опубликовано: 01.01.1968
Авторы: Гул, Либин, Литвинов, Скоробогатов
МПК: C30B 11/10
Метки: блока, кристаллизационных
...зав На фиг. 1 изображен предлагаемый суппорв положении, соответствующем началу кри сталлизации; на фиг. 2 - то же, в положе Изобрет ленного п сталлов, п рундов. Извести ционных а мышленно рунда. Каждьп ких блоко п том.ние относится к области промышоизводства тугоплавких монокрпреимущественно синтетических ко конструкции блоков кристаллнза ппаратов, применяемых для про о производства синтетического ко кий институт монокристаллов,обо чистых химических веществ нии, когда готовые кристаллы выведенымуфелей. Суппорт состоит из траверсы с рабочими5 столиками, направляющих и привода. От привода 1 движение передается, например, через червячные пары 2, связанные с трансмиссионным валом 3, винтом 4, который 10 закреплен на общей траверсе 5,...
Устройство для подачи порошкового материала в кристаллизационный аппарат
Номер патента: 222336
Опубликовано: 01.01.1968
МПК: C30B 11/10
Метки: аппарат, кристаллизационный, подачи, порошкового
...7, прикрепленньш к стенкам бункера. Течка 8 бункера входиг в верхнюю полость дозатора 9, разделенного перегородкой 10 из пористого материала на О верхнюю и нижнюю полости. В перегородке 10по периферии, на равном расстоянии от оси бункера, имеются отверстия, через которые в верхнюю полость введены трубки 11, соеди.ненные с линиями 12 отвода газа. Линия 3 5 подачи газа встроена в полость дозатора подперегородкой. Над трубками 11 установлены игольчатые вентили 14, с помощью которых трубки могут быть перекрыты полностью или частично.О Устройство работает следующим образом,) , фирсова Новикова В. Афанас Составительева Техред Р. едактор М Корректоры: Е. Ласточкинаи А. Абрамова аказ 3717/8 Тираж 480НИИПИ Комитета по делам изобретений и...
Способ получения монокристаллов тугоплавких металлов и сплавов
Номер патента: 232214
Опубликовано: 01.01.1969
Авторы: Баранов, Бурханов, Раскатов, Савицкий
МПК: C30B 11/10, C30B 29/52
Метки: металлов, монокристаллов, сплавов, тугоплавких
...затравку 1 из вольфрама или другоо тугоплавкого металла укрепляют на медном водоохлаждаемом штоке2, соединенном с приводом вращения и возвратно-поступательного перемещения по вертикали, В качестве источника нагрева используется плазменная струя, создаваема при помощи плазменной дуговой горелки 3, В качестве плазмообразующего газа - аргон, 1 елий, азот и другие газы, неактивные по от. ношени 10 1 перекристаллизуемому металлу, 11 сходный материал, например, в виде прутка 1, равномерно подают в процессе выращивапы в горячую зону плазменной струи, где он расплавляется и стекает в образующуюся на )Ор 110 затравки жидку 10 Ванну, удерживаезук 1 слами поверхностноо натяжения. Б качестве исходного материала может быть использоВа Также...
Устройство для подачи порошковой шихты
Номер патента: 245730
Опубликовано: 01.01.1969
Авторы: Волков, Матвеев, Мурашкевич
МПК: C30B 11/10
Метки: подачи, порошковой, шихты
...порошковой шихты в горелку аппарата для выращивания кристаллов по способу Вернейля, включающее последовательно установленные по вертикали бункер, дозатор с сеткой и приемный конус с шихтопроводом, входящим в полость горелки.Отличием описываемого устройства является то, что шихтопровод снабжен распылителем в виде спирали.Это позволяет подавать комкующиеся порошки в рабочее пространство в распыленном состоянии.На чертеже показано описываемое устройство.Оно включает бункер 1 с запасом порошковой шихты, последовательно установленный под ним дозатор 2 с сеткой 3 и приемный конус 4, расположенный под сеткои дозатора и соединенный с шихтопроводом 5. Отверстие бункера снабжено клапаном 6, который перемещается вверх или вниз в зависимости от...
Устройство для подачи порошковых материалов в горелку кристаллизационного аппарата
Номер патента: 268145
Опубликовано: 01.01.1970
Авторы: Волков, Матвеев, Мурашкевич
МПК: C30B 11/10
Метки: аппарата, горелку, кристаллизационного, подачи, порошковых
...аппарат, включающее установленный над горелкой бункер с порошковым материалом, расположенный под ним дозирующий стакан с ситом и пневматический вибратор, Уровень порошка на сите поддерживается постоянным при помощи датчика уровня и клапанного механизма. Однако при работе клапана нарушается режим пульсации давления газа, что нарушает равномерность подачи порошка в горелку.Предлагаемое устройство отличается тем, что в дозирующий стакан выше сита встроена гопизонтальная перегородка из эластичного материала с отверстием в центре. Это отличие упрощает его конструкцию и повышает равномерность подачи порошка в горелку,Кроме того, нижняя часть дозирующего стакана введена в полость горелки, что предотвращает коагуляцию поступающего в горелку...
Устройство для выращивания монокристаллов тугоплавких окислов
Номер патента: 283983
Опубликовано: 01.01.1970
Авторы: Вакуленко, Либин, Носоновский
МПК: C30B 11/10
Метки: выращивания, монокристаллов, окислов, тугоплавких
...винтом 28.Все узлы и детали установки жестко закреплены на станине.Устройство работает следующим образом,Перед окончанием выращивания включают дополнительную горелку 1 б, факел которой омывает пространство между наружной поверхностью стакана 12 и внутренними поверхностями огнеупорных половин - полумуфелями 10 и 11. При нагревании стакана до температуры порядка 1800 в 18 С и по окончании выращивания монокристалла в ростовом блоке несколько снижают температуру основного факела. Затем подвижные полумуфели ростового блока 7 и одного из отяиговых блоков 11 перемещают по направляющим 9 и 15 в положение, необходимое для перемещения готового кристалла в вертикальной плоскости. Стакан при помощи подъемного приспособления 13 приподнимают в...
Шихта для выращивания монокристаллов магний-марганцевых ферритов
Номер патента: 394094
Опубликовано: 01.01.1973
МПК: C30B 11/10
Метки: выращивания, магний-марганцевых, монокристаллов, ферритов, шихта
...магта: 21,5 МдО, 34,9выращенного по меменьшей из нескольквов шириной линиинанса (Л Н), равной9470 Мгц при комнат и ширину линии фмр, измеренную при комнатнон температуре на частотах 4850 и 9100 Мгт 1 в кристаллографическом направлении (100), меньшую или равную 3 эрстедам, 5 П р и м е р. Сернокислые соли магния имарганца (да) и железоаммонийные квасцы (ОЧ), взятые в указанном соотношении перемешивают и подвергают термическому разложению при температуре 900 С. Затем 10 вновь перемешивают и обжигают при 1250 Св течение 3 час. После обжига шихту размельчают и просеивают через сито 10000 отв/смг. Монокристаллы выращивают на аппарате с использованием двухканальной ки 1 з слородно-водородной горелки и кристаллизатора с внутренним диаметром 30 -...
Устройство для подачи порошкообразного материала
Номер патента: 413985
Опубликовано: 05.02.1974
Авторы: Акулов, Гусев, Дубовицкий, Изобретени
МПК: C30B 11/10
Метки: подачи, порошкообразного
...я стакана, ц коническое дно бункера выполненос отверстиями.Наружный стакан снабжен патрубком длязагруз,ц ъатерала.На чертеже изображено предлягас:,ое усг- ,3 ройство.Устройство включает наружный стакац 1 сотверстием 2 в его основании для выпуска материала и кислородный канал газовой горелки кристаллзатора. Стакан закрыт герметпч но крышкой 3 п имеет загрузочное отверстне-, герметично закрываемое фланцем 6. В стакане установлен бункер 6 с коническим дном и подводящей трубкой 7, герметично закрытой глянцеЯ, через которую вводят порошкооо- Б цгзцы 1 -,ят 11-л Коцц еское дпо буцкепа 6имев ",: "стя 9. Вдоль осц бункера 6 размецец цо.-гкжцы: в вертикальном направлении шток 10 с сет пятым конусом 11 па нижнем конце.Вв Сверку штока установлен...
416313
Номер патента: 416313
Опубликовано: 25.02.1974
МПК: C01F 7/32, C30B 11/10
Метки: 416313
...а-ходифик лучают при осаждении из рВйт и го .библ алюмииия аммиаком с последующим прокаливаиием при температуре в 11 С. Этот способ непригоден для широкого использон- иия н промышленности из-за многоступенчатой техно,чогии и высокой стоимости сьрья.Цель изобретения - получение окиси аломииия гексагоиальиой хо 1 и 1 чикзиии термических разложением а,чооаххоиих цов. Для этого и квасцы добавляют 5 -- 10 вес. а (в р;счеге на конечный продукт) предварительно по,чучеииой окиси алюминия гексагон модификации, получаемой, например, из гидроокиси аломииия.Корректор Л, Орлова Гсдзкгор Т. Фадеева Заказ 51717 Изд. М 532 Тираж 537 Подписное Ц 11 ИИГ 111 Государственного комитета Совета Министров СССР по лелям изобретений и открьпий Москва, 71(-35,...
Питатель сыпучих материалов
Номер патента: 426691
Опубликовано: 05.05.1974
Авторы: Будник, Гринченко, Игнатьев, Литвинов
МПК: C30B 11/10
...представлена схема питателя.Он состоит,из сепарационных камер 1 и2, соединенных между собой трубопроводом 3. В нижней части каждой камеры закреплены пористые перегородки 4 и б, под которыми расположен газораспределительный коллектор б с двухходовым краном 7. Сепарационные камеры соединены с вертикальной питательной трубкой 8 через наклонные отверстия9,в ее боковой поверхности.Питатель работает следующим образом.В сепарационные камеры 1 и 2 подаютшихту разного состава. При,переключениикрана 7 в положение 1 кислород поступаетпод пористую перегородку б. При этом шихта1 в камере 2 переходит в псевдоожиженное состояние. Унесенные частицы поступают в питательную трубу 8 через наклонные отверстия9, а затем - в горелку...
Способ оценки качества моно-кристаллов рубина
Номер патента: 850766
Опубликовано: 30.07.1981
Авторы: Буров, Герасимчук, Смыков, Фролов
МПК: C30B 11/10
Метки: качества, моно-кристаллов, оценки, рубина
...в соответствии с номенклатурой н сопоставлении их с соответст-вующими значениями для сортов этоговида продукции. Повышение сорта кристаллов связано с увеличением их геометрических размеров й уменьшением850766 Из таблицы следует, что повышение сорта кристаллов по предлагае.мому способу полностью соответствует возрастанию их потребительской полезности. Способ осуществлен на вы" борке кристаллов объемом 1800 шт. нз серийно выпускаемой продукции.В табл.2 приведены данные выхода сортной продукции по известному и предлагаемому способам,Таблица 1 Сортностьпо способу ште Единичные показатели кацества крнсталПмм мм мм отй,ппшт. шт., предла" гаемому извест мм ному 1 В,О В,О38,О 250 ОО О О 644 Т П 1 238 й Отход 1127 Щ 1 40 0,.2 4 22,0 10,5...
Устройство для подачи порошкообразных материалов
Номер патента: 883198
Опубликовано: 23.11.1981
Авторы: Малахова, Сытин, Циглер, Чиркин
МПК: C30B 11/10
Метки: подачи, порошкообразных
...до сеточки дозатора подбираются в соответ-55 ствии с величиной сыпучести подаваемого материалаПредлагаемое устройство позволяет осуществлять равномерную подачу порошкообразного материала в кристаллизационный аппарат, которая обеспечи" вается постоянной величиной колебаний бункера с дозатором, а также постоянным слоем порошка на сеточке доза- тора за счет свободного просыпания45 порошка из- бункера и дозатор через раструб конуса бункераДосыпка порошка в. дозатор происходит также постоянно ( по мере убывания порошка из дозатора ) через вибрирующий раструб конуса бункера, где порошок даже с очень плохой сыпучестью не зависает на стенках, а просыпается в дозатор.На,чертеже представлено устройство, продольный разрез,. 55Устройство...
Устройство для подачи порошкообразного материала
Номер патента: 996530
Опубликовано: 15.02.1983
Авторы: Каргин, Малахова, Сытин, Циглер, Чиркин
МПК: C30B 11/10
Метки: подачи, порошкообразного
...дозатора поддерживается постоянным (до уровня отверстийтрубы), что обеспечивает равномернуюподачу порошкообраэных материалов вкристаллизационный аппарат в течениевсего процесса кристаллизации. Соединение свободного конца Г-образного сердечника электромагнитного вибратора сдозатором уменьшает энергозатраты напередачу колебаний системы бункер -дозатор, так как центр тяжести системы находится выше точки приложениясилы, возбуждающей колебания системы. На чертеже представлено устройство, общий вид в разрезе.Устройство включает в себя корпус 1 с перегородкой 2, на которой жестко укреплен сильфон 3, в полости которого установлен дозатор 4 с сеточкой 5, во внутренней полости дозатора 4 закреплен бункер 6, снабженный трубой 7 с отверстиями 8 в...
Ювелирная вставка из монокристаллического корунда и способ ее получения
Номер патента: 877991
Опубликовано: 15.02.1984
Авторы: Литвинов, Ольшевский
МПК: C30B 11/10
Метки: вставка, корунда, монокристаллического, ювелирная
...фианита алюмоиттриевого граната,легированных редкоземельными элвментами.Целью изобретения является получение более тонкого оттенка и мерцания цвета,Цель достигается тем, что окрашивающая добавка размещена в нижней части павильона у шипа и составляет одну треть его высоты.Способ получения предлагаемой ювелирной вставки, включающий выращиваниемонокристалла корунда переменного состава по методу Вернейля при изменении состава подаваемой шихты, последующую резку монокристалла на заготовки и их огранку, отличается от известного тем, что состав шихты изменяют от чистой окиси алюминия до окиси алюминия с окрашивающей добавкой после выращивания неокрашенного слоя толщиной в 2-2,2 раза большей толщины окрашенного слоя, резку ведут на...
Способ загрузки шихты окиси алюминия и устройство для его осуществления
Номер патента: 1147774
Опубликовано: 30.03.1985
Авторы: Алешкин, Епифанов, Зименкова, Масляков, Стрельников, Суздаль, Цуранов
МПК: C30B 11/10, C30B 29/20
Метки: алюминия, загрузки, окиси, шихты
...последнего питателя сигнал с элемента контроля обеспечивает прекращение подачи шихты в пневмопровод, выгрузку шихты иэ питателей в кристаллизационные аппараты и подачу избытка шихты в исходную емкость, 1 ОНедостатком способа и устройства для его осуществления является его сложность из-за наличия дополнительного питателя для каждого кристаллизационного аппарата и специального механизма (например,вибратора) для равномерного заполнения стакана крис таллизационного аппарата, причем при выгрузке из питателя она попадает в кристаллизационный аппарат в уплот ненном состоянии, что затрудняет ее дальнейшую подачу на затравку кристалла, а последовательное заполнение бункеров снижает производительность труда за счет значительного увеличе...
Устройство для выращивания монокристаллов тугоплавких окислов по методу вернейля
Номер патента: 248637
Опубликовано: 15.06.1985
Авторы: Либин, Носоновский, Пищик
МПК: B01J 29/16, C30B 11/10
Метки: вернейля, выращивания, методу, монокристаллов, окислов, тугоплавких
...ся от известного тем, что основная и дополнительная горелки расположены так, что их факелы направлены в ра- бочее пространство печи.Это позволяет уменьшить градиент 26 температур в осевом и радиальном направлениях монокристалла.На чертеже изображено предложенное устройство.25Оно содержит питатель 1 порошка с вводом 2 кислорода и основную горелку, состоящую из центральной трубки 3 с соплом 4,. трубы 5 с соплом 6 и вводом 7 кислорода, трубы 8 с соплом 9 и вводом 10 водорода, Устройство также включает дополнительную горелку, состоящую из трубы 11 с соплом 12 и вводом 13 гаэообразного топлива, печь, состоящую из корундового цилиндрического стакана 14,шамотной изоляции 15, легковеснойтеплоизоляции 16, металлическогокожуха 17 и...
Способ приготовления пудры окиси алюминия для выращивания монокристаллов корунда методом вернейля
Номер патента: 324781
Опубликовано: 23.09.1985
Авторы: Дербенева, Зверев, Зубкова, Цейтлин
МПК: C30B 11/10, C30B 29/20
Метки: алюминия, вернейля, выращивания, корунда, методом, монокристаллов, окиси, приготовления, пудры
...пудры окиси алюминия для выращивания монокристаллов корунда, которые могут быть использованы в ювелирной и,часовой промышлен ности, а также в других областях, где требуются окрашенные качественные кристаллы корунда.Известен способ приготовления пудры окиси алюминия для выращивания 1 О монокристаллов корунда и рубина методди Вернейля путем совместного осакд 4 ния исходных компонентов с последующим отжигом полученного продукта при высокой температуре. 15Недостатками известного способа являются низкие концентрации легирующих добавок, низкие .скорость выращивания и выход качественных кристаллов, а также сложность получения рО различных оттенков монокристаллов.По предлагаемому способу в исходную шихту вводят фторид алюминия в...
Способ получения монокристаллов рутила
Номер патента: 1806224
Опубликовано: 30.03.1993
МПК: C30B 11/10, C30B 29/16
Метки: монокристаллов, рутила
...окончания распыления продолжают перемешивэние в гечение 5 мин., фф лассе чего лоаученную сусленсию отфиаатровывают на воронке Бюхнера и отжатый осадок ТКОНк НтО отжигают е камернои (Д печи при температуре 900 .фС в течение 1,5 ч. Пудру ТО 2 просеивают через сито й 0,056, Выход мелкой фракции 85-90%, Частицы изометрической формы. Содержание фракции размером 0,31,2 мкм = 78%. Из полученной пудры выращивают монокристаллы рутила методом Вернейля со скоро1806224 Таблица 1 Та стью 3 мм/ час при соотношении газов Н 2:02 = 1:2 с ориентацией оптической оси к оси роста 0.Затем монокристаллы отжигают при 1400 ОС в течение 24 ч в печи с продувкой кислорода. Кристаллы рутила не содержат пузырей и непроплавов, Выход качественных...
Способ выращивания кристаллов методом вернейля и установка для его осуществления
Номер патента: 1820925
Опубликовано: 07.06.1993
Авторы: Гусев, Каргин, Царев, Циглер, Чиркина
МПК: C30B 11/10
Метки: вернейля, выращивания, кристаллов, методом
...одного материала к другому в ходе одного циклакристаллизации при выращивании многослойного кристалла.Так, в эксперименте установлено, чтопри выращивании сложного кристалла, например лейкосапфир-рубин-лейкосапфира,.с постоянным диаметром при переходе отодного материала к другому расход кислорода, согласно программе автоматическогорегулирования расхода газов, меняется на 4 - 6 от общего расхода. кислорода центральной горелки и соответственно берется тем больший процент измерения расхода,. тем больше диаметр вцращиваемого кристалла.Процесс выращивания кристаллов повышенной оптической однородности диаметром от 10 до 100 мм с использованием вновь разработанных систем нагрева и расположения Фронта кристаллизации эффективно осуществляется при...
Способ выращивания монокристаллов на основе окиси алюминия газопламенным методом
Номер патента: 731645
Опубликовано: 27.05.2002
Авторы: Бородин, Малахова, Пискун, Стериополо, Татарченко, Федоренко, Циглер, Чернышева, Чиркин
МПК: C30B 11/10
Метки: алюминия, выращивания, газопламенным, методом, монокристаллов, окиси, основе
1. Способ выращивания монокристаллов на основе окиси алюминия газопламенным методом, включающий подачу исходного порошка через факел пламени на затравку, разращивание кристалла до заданного диаметра, выращивание кристалла при поддержании постоянных условий процесса, сужение диаметра кристалла в конце процесса, отличающийся тем, что, с целью увеличения выхода кристаллов 30-90o - ориентации, сужение диаметра кристалла производят на 40-80% до соотношения высоты суженной части к диаметру, равного 1 : (0,3 - 1,5).2. Способ по п.1, отличающийся тем, что сужение диаметра кристалла производят путем одновременного уменьшения расхода сжигаемых газов и подачи исходного порошка.
Устройство для выращивания кристаллов по методу вернейля
Номер патента: 805667
Опубликовано: 27.05.2002
МПК: C30B 11/10
Метки: вернейля, выращивания, кристаллов, методу
Устройство для выращивания кристаллов по методу Вернейля, включающее кристаллизатор со смотровым окном и горелку, установленную над ним, отличающееся тем, что, с целью более равномерного обогрева торца растущего кристалла и улучшения за счет этого его оптической однородности, нижний торец горелки выполнен сферическим с радиусом R = 2F, где F - расстояние от нижнего торца горелки до оси смотрового окна, и имеет зеркальную поверхность.
Установка для выращивания монокристаллов по методу вернейля
Номер патента: 403236
Опубликовано: 27.05.2002
МПК: C30B 11/10
Метки: вернейля, выращивания, методу, монокристаллов
Установка для выращивания монокристаллов по методу Вернейля, содержащая кристаллизационную камеру, нагревательное устройство, например водородно-кислородную горелку, бункер с дозатором и шихтопроводом, кристаллодержатель с механизмом для его вертикального перемещения и вращения, отличающаяся тем, что, с целью обеспечения возможности введения дополнительных компонентов на периферию кристалла, она снабжена дополнительным бункером с дозатором и шихтопроводом, введенным в кристаллизационную камеру эксцентрически относительно ее вертикальной оси.