С добавлением легирующего материала, например для n-р переходов — C30B 15/04 — МПК (original) (raw)
Устройство для введения легко испаряющихся примесей в расплав полупроводниковых материалов
Номер патента: 150488
Опубликовано: 01.01.1962
МПК: C30B 15/04
Метки: введения, испаряющихся, легко, полупроводниковых, примесей, расплав
...устройство исключает казанный недостаток. Достиется это тем, что оно снабжено поплавком,На чертеже изображено предлагаемое устройство.Устройство состоит из пузырька 1 грибовидной формы с цилиндрической ножкой 2, имеющей отверстие 3, которое плотно закрыто пришлифованным к нижней поверхности ножки поплавком 4. Держатель 5 прикреплен к концу штока для вытягивания кристаллов.Принцип действия устройства следующий. Пузырек 1 через отверстие 3 заполняют легкоиспаряющейся примесью. После расплавления полупроводникового материала устройство опускают в расплав так, что в последний погружены поплавок и часть ножки пузырька, При этом примесь в пузырьке нагревается и испаряется. По достижении соответствующего давления пары примеси отталкивают...
Способ получения легированных монокристаллов германия п типа
Номер патента: 623294
Опубликовано: 23.05.1982
Авторы: Дудник, Левинзон, Логинова, Нижегородов, Соколов, Шаповалов, Шершель
МПК: C30B 15/04
Метки: германия, легированных, монокристаллов, типа
...вытягивания монокристаллов, расплавляют шихту, выдерживают расплав 5 - 10 мин, и вытягивают монокристалл из расплава по Чохрольскому на затравку, ориентированную в направлении 31, со скоростью 2 мм/мин при скорости вращения затравки и тигля, соответственно, 30 и 5 обор,/мин.Получают монокристалл германия и-типа проводимости с концентрацией оптически активного атомарного кислорода 6,0 10 в ат, см - з. Однородность распределения оптически активного атомарного кислорода по объему монокристалла составляет (6 0,5) 10" ат, см -623294 Зависимость концентрации оптически активного атомарного кислорода от содержания двуокиси германия в борном ангидриде и соотношения борного ангидрида и двуокиси германия к расплаву германия показана в таблице....
Способ получения монокристаллов титаната висмута
Номер патента: 1468987
Опубликовано: 30.03.1989
Авторы: Волков, Захаров, Каргин, Кистенева, Неляпина, Петухов, Скориков
МПК: C30B 15/04, C30B 29/32
Метки: висмута, монокристаллов, титаната
...Значение фоточувствительности монокристалла и оптической однородности прн комнатнойтемпературе дено в таблице.П р и м е р 3. Шихту, содержащую97,6 мас.7 В 1 Оз и 2,3 мас.7 ТО, вколичестве 400 г 360,8 г ВгОз и .9,2 ТО, ) смешивают с ЕпО, взятомв количестве 2,0 г (0,5 мас.7), прикомнатной температуре в агатовойступке и затем помещают в цилиндрическом платиновом тигле в печь для выращивания. Выращивание монокристалла проводят методом Чахральского при скорости вытягивания 2,0 мм/ч и скорости вращения затравки 100 об/мин. Получают монокристаллы бледно-зеленого цвета диаметром 15-20 мм и длиной 60-80 мм, которые затем отжигают в инертной атмосфере азота (М ) прио600 С в течение 6 ч. Данные лакальнога рентгеноспектрального анализа...
Способ получения монокристаллов молибдата свинца
Номер патента: 1659535
Опубликовано: 30.06.1991
Авторы: Антонова, Васильев, Веселинов, Кузнецов, Кунев, Малеев, Павлюк, Петров, Харченко
МПК: C30B 15/00, C30B 15/04, C30B 29/32 ...
Метки: молибдата, монокристаллов, свинца
...м едл е н н о (1-2 ч), что бы избежать термоудара. Перед началом процесса вытягивания расплавляют 2-3 мм затравки для удаления поврежденной обработкой части. Начинают вытягивать монокристалп (скорость вращения затравки 12 об/мин) со скоростью 0,25 мм/ч. Разращивают со сбросом температуры в 0,5 С/см до диаметра 25 мм и убирают сброс постепенно после 40 мм вытягивания, Кристалл в конце опыта резко отрывают от расплава и охлаждают со скоростью 30,/ч, Кристалл имеет слабо желтую окраску, оптически однородный, без блоков и макровключений. В нижней части кристалл имеет диаметр 35мм при длине 70 мм, вес 791 г. П р и м е р Э. Шихту, приготовленнуюметодом осаждения, нагревают со скоро 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 стью 150/ч. Процесс...
Фотохромный электрооптический материал
Номер патента: 1673654
Опубликовано: 30.08.1991
МПК: C30B 15/04, C30B 29/22
Метки: материал, фотохромный, электрооптический
...коэффициентом реверсивности (возможность стирания информации)0 -- ( - 100 7 ь и относительным контрЛТ,сЬТоастом записи ц - в диапазоне частотТо16000ч15000 см, где То - начальное значение оптического пропускания;Т 1 - пропускание после фотоактивации втечение г; Тф - бегущие значения пропускания в процессе длительной фотоактивации;Тс - значение пропускания после стиранияинформации светом с ч16000 смПолученные зависимости е(ч) и ЬТпредставлены на фиг.1 и 2 соответственно,значенияИО приведены в таблице.Данные фиг.1 свидетельствуют о такихнедостатках кристаллов ВЯО + Мп (кривая 1) и ВЯО+ Сг(кривая 2), как малые скорости окрашивания в спектральном диапазоне 16000ч11000 см считывания ин.1формации (включая наиболее практически значимый...
Способ получения кристаллов германия
Номер патента: 1253181
Опубликовано: 27.10.1996
Автор: Губенко
МПК: C30B 15/04, C30B 29/08
Метки: германия, кристаллов
1. Способ получения кристаллов германия из расплава, включающий введение в расплав основной легирующей примеси и дополнительной легирующей примеси с последующим выращиванием кристаллов, отличающийся тем, что, с целью повышения однородности распределения удельного сопротивления в объеме кристаллов и снижения концентрации точечных дефектов в них, в качестве дополнительной примеси берут элементарные свинец, олово, индий или их смеси.2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что олово или свинец вводят в количестве 1018 1020 см-3.3. Способ по п. 1, отличающийся тем, что при получении кристаллов германия, содержащих основную легирующую примесь в количестве более 3
Способ получения монокристаллических полупроводниковых соединений
Номер патента: 1621562
Опубликовано: 27.10.1996
Автор: Губенко
МПК: C30B 15/04, C30B 29/40
Метки: монокристаллических, полупроводниковых, соединений
...ОаАз легируют 1 п с концентрацией 210 см . В раствор дополнительно19 -3вводят Сд и 1 п в концентрациях соответственно 510 , 10 см и 610 , 510 см18 19 -3 19 20 -3 В таких же условиях выращивают пленки ОаАз из растворов, содержащих Сй - 5 1017 и 1 п - 410 см (запредельная концент 2 -3рация). Соотношения концентрации Сб и 1 п в предыдущем случае 1:12 и 1:15.П р и м е р 4. Выращивают эпитаксиальные пленки баАз из раствора Оа с растворенным баАз (Аз - 5 ат,о/,) и Бе с концентрацией 1,210 см . В раствор до 19 -3полнительно вводят РЬ с концентрациями 610 , 5 а 10 см и и: 910 , 2,510 см (соотношение концентраций РЬ:и = 1:15 и 1:12). Выращивают в идентичных условиях, но с концентрациями дополнительных элементов РЬ и п 10 и 810 см18 20 -3...
Способ получения кристаллов германия
Номер патента: 1461046
Опубликовано: 27.10.1996
Авторы: Губенко, Постникова
МПК: C30B 15/04, C30B 29/08
Метки: германия, кристаллов
Способ получения кристаллов германия выращиванием из расплава, содержащего легирующую примесь и две нейтральные примеси, одной из которых является свинец, отличающийся тем, что, с целью повышения термостабильности свойств получаемых кристаллов, в качестве второй нейтральной примеси в расплав вводят кремний и каждую из нейтральных примесей вводят в количестве 3 1018 1 1020 см-3.
Устройство для синтеза и вытягивания из раствора-расплава монокристаллов
Номер патента: 752877
Опубликовано: 10.02.2005
Автор: Гамазов
МПК: C30B 15/04
Метки: вытягивания, монокристаллов, раствора-расплава, синтеза
Устройство для синтеза и вытягивания из раствора-расплава монокристаллов, включающих летучий компонент, содержащее тигель для расплава, установленные сбоку трубку для подпитки расплава летучим компонентом и трубку для вывода летучего компонента, и перегородку, отделяющую область подпитки от области вытягивания кристалла, отличающееся тем, что, с целью увеличения поверхности взаимодействия подпитывающего компонента с расплавом перегородка в тигле выполнена в виде кольцевого канала, закрытого сверху.