Титанаты; германаты; молибдаты; вольфраматы — C30B 29/32 — МПК (original) (raw)
Электроустановка для выращивания монокристаллов
Номер патента: 113495
Опубликовано: 01.01.1958
Авторы: Абрамов, Аветисов, Ильин, Скотников, Соколин
МПК: C30B 11/02, C30B 29/32
Метки: выращивания, монокристаллов, электроустановка
...клапаном с жесткои передачей от электрических часов.Конструкция печи поясняется чертежом.Электропечь состоит из корпуса 1, имеющего теплоизоляцию 2. Печь имеет в качестве нагревательных элементов силитовые стержни 3, Внутри электропечи заключен жаропрс)щяй, например из алунда, глухой в виде цилиндра экран 4, который имеет отверстия с керамическими трубками для впуска и выпуска сжатого воздуха. Внутри экрана проходит воздухопровод 5, в виде спирали, дающей возможность омывать и равномерно охлаждать стенки экрана воздухом.Расход сжатого воздуха, проходящего внутри спирали, обеспечивает программное регулирование температуры рабочего пространства печи.Таким образом, темп;ратура тигля б с расплавом, потоком воздуха в алундовом...
Сегнетоэлектрические монокристаллы
Номер патента: 143477
Опубликовано: 01.01.1961
МПК: C30B 29/32
Метки: монокристаллы, сегнетоэлектрические
...характеристики и относительно пологую петлю гистерезиса. Это не позволяет использовать монокристаллы в качестве запоминающих устройств,Для увеличения нелинейности характеристики и повышения прямоугольности петли гистерезиса предлагается к титанату бария добавлять 1,2/о гафната бария.Описываемые монокристаллы имеют вид плоских прозрачных треугольных пластин с длиной ребер в среднем 0,5 сл, Толщина пластинок от 100 до 50 мк. Кристаллы не поглощают влаги, Петля гистерезиса кристалла отличается хорошей прямоугольностью. Насыщение наступает при напряженности поля в 5 кв/ся, Кристаллы обладают высокой зависимостью диэлектрической проницаемости от величины напряженности поля, Ее максимум достигается в поле напряженностью 1 кв/с,к1 и...
Способ получения монокристаллов
Номер патента: 173202
Опубликовано: 01.01.1965
МПК: C30B 29/32, C30B 7/10
Метки: монокристаллов
...(088,8) ликовано 21 Ч 1,1965. Бюллетень15 ата опубликования описания 26,Ч 111.1 Авторыизобретения цов и Л. М. Кефели П аявитель СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ Общеизвестен способ получен таллов методом гидротермаль при температуре выше 400 С. рического состава, либ олибденового катализато монокрисо синтеза тов стехио шок желе пор Предмет 5 Способ получения жащих железо, гид при температуре 450 тем, что, с целью и либдата железа, их 10 водном растворе хло лов Ге О - ЗмоО;, и молибденового катализобретен монокристаллов,ротер мальным си- 500 С, отличаюолучения кристаллвыращивание веристого железа изли из порошка иизатора. идроучаеза способ голяет пол тбдат желедут в автоклаи температуре40 - 50%, велеза. Питаткислов исход одписная...
Способ выращивания монокристаллов i -: -г. -у; луч: ; , •., ••, . j i. 1, л
Номер патента: 173421
Опубликовано: 01.01.1965
Авторы: Буслаев, Козлова, Рез, Роде, Сафронов, Сперанска
МПК: C30B 29/32, C30B 9/12
Метки: выращивания, луч, монокристаллов
...кристаллы основного соединения отделять от расплава с помощью подвижной сетки-сепаратора при температуре выше температуры образования инконгруэнтно плавящегося соединения.По описываемому способу смесь исходных компонентов (В 10, 78% и Т 1 О 22%) загружают в платиновый тигель, в котором помещается также сетка, соединенная стержнем с подъемным устройством, После расплавления шихты расплав выдерживают в течение суток при 1200 С; сетка в это время служит для перемешивания расплава. После выдержки температуру расплава равномерно снижают со скоростью 1 - 2 в час до 900 С (сетка находится на дне тигля), в результате чего происходит процесс кристаллизации В 14 Т 1:04;. При 900 С сетку с кристаллами поднимают и выдерживают 5 - 6 час для...
Способ получения монокристаллов метатитанатасвинца
Номер патента: 295579
Опубликовано: 01.01.1971
МПК: C30B 11/02, C30B 29/32
Метки: метатитанатасвинца, монокристаллов
...не менее 1350 С в течение 30 мин,затем со скоростью 2 град(мин расплав охлаждают до 1100 С, после чего нагрев выключают.Способ заключается в следующем. 30 Кристаллизацию РЬТ 1 Оз производят из расплава под давлением воздуха 110 в 1 атл в пластиковых ампулах. Исходной шихтой является предварительно прокаленная при температуре 1100 С смесь окислов РЬО и Т 102. Ампулу с шихтой помещают в установку, представляющую собой стальной сосуд высокого давления с внутренним нагревателем, В установку нагнетают воздух до давления 110 - 120 ат.и и ампулу нагревают до температуры 1350 С. Давление воздуха препятствует улетучиванию РЬО и нарушению стехиометрпи кристаллов, а также восстановленшо свинца до металла из его окиси, что возможно прп использовании...
409962
Номер патента: 409962
Опубликовано: 05.01.1974
МПК: C30B 15/00, C30B 29/32
Метки: 409962
...от растворителя.Целью изобретения - упрощение процесса выращивания монокристаллов калийиттриевото,молибдата. 20,Поставленная цель достигается тем, что в качестве исходной шихты используют смесь окислов иттрия (ЪгОг), окиси молибдена (МоОз) и углекислого калия (КгСОг) в соотношении, отвечающем составу 90 - 95% 25 Кт (Мо 04)г и 5 - 10 вес. % КгМо 01 о, которую подвергают последующей выдержке при температуре 1020 в 10 С в течение 2 - 5 час.П р и м ер. В платиновый тигель емкостью 140 см (ф 50 мм) помещают тщательно пере- ЗО 2мешанную смесь окислов, состоящую из 4516 г тгОг, 129,93 г МоО, и 32,37 г К,СО,. Вещества МоОз и КгСОз взяты в таком количестве, что избыток их против стехиометрии соединения Кт(Мо 04)г соответствует около 9 вес, %...
Способ получения монокристаллов титаната висмута
Номер патента: 1468987
Опубликовано: 30.03.1989
Авторы: Волков, Захаров, Каргин, Кистенева, Неляпина, Петухов, Скориков
МПК: C30B 15/04, C30B 29/32
Метки: висмута, монокристаллов, титаната
...Значение фоточувствительности монокристалла и оптической однородности прн комнатнойтемпературе дено в таблице.П р и м е р 3. Шихту, содержащую97,6 мас.7 В 1 Оз и 2,3 мас.7 ТО, вколичестве 400 г 360,8 г ВгОз и .9,2 ТО, ) смешивают с ЕпО, взятомв количестве 2,0 г (0,5 мас.7), прикомнатной температуре в агатовойступке и затем помещают в цилиндрическом платиновом тигле в печь для выращивания. Выращивание монокристалла проводят методом Чахральского при скорости вытягивания 2,0 мм/ч и скорости вращения затравки 100 об/мин. Получают монокристаллы бледно-зеленого цвета диаметром 15-20 мм и длиной 60-80 мм, которые затем отжигают в инертной атмосфере азота (М ) прио600 С в течение 6 ч. Данные лакальнога рентгеноспектрального анализа...
Способ получения монокристаллов молибдата свинца
Номер патента: 1659535
Опубликовано: 30.06.1991
Авторы: Антонова, Васильев, Веселинов, Кузнецов, Кунев, Малеев, Павлюк, Петров, Харченко
МПК: C30B 15/00, C30B 15/04, C30B 29/32 ...
Метки: молибдата, монокристаллов, свинца
...м едл е н н о (1-2 ч), что бы избежать термоудара. Перед началом процесса вытягивания расплавляют 2-3 мм затравки для удаления поврежденной обработкой части. Начинают вытягивать монокристалп (скорость вращения затравки 12 об/мин) со скоростью 0,25 мм/ч. Разращивают со сбросом температуры в 0,5 С/см до диаметра 25 мм и убирают сброс постепенно после 40 мм вытягивания, Кристалл в конце опыта резко отрывают от расплава и охлаждают со скоростью 30,/ч, Кристалл имеет слабо желтую окраску, оптически однородный, без блоков и макровключений. В нижней части кристалл имеет диаметр 35мм при длине 70 мм, вес 791 г. П р и м е р Э. Шихту, приготовленнуюметодом осаждения, нагревают со скоро 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 стью 150/ч. Процесс...
Способ выращивания профилированных кристаллов сложных оксидов
Номер патента: 1691433
Опубликовано: 15.11.1991
МПК: C30B 15/34, C30B 29/22, C30B 29/30 ...
Метки: выращивания, кристаллов, оксидов, профилированных, сложных
...Включение материала формообразователя и дефекты,связанные контактом с формообразователем, наблюдаются только на поверхностнойчасти кристалла,Измерить давление в замкнутом объемене представляется возмокным но онолегкорассчитывается из следующих условий;рЧ = сопэт(закон Бойля-Мариотта) и Р -Р.= рцэр,где Р - давление в замкнутом объеме;Р - давление в камере;р - плотность расплава;о - ускорение свободного падения;Ь - высота поднятия расплава в замкнутом обьеме относигельно уровня расплава.Но в данном случае наиболее вахнойхарактеристикой является расстояниеотпластины затравки до места схлопывания(фиг. 4), в зависимости гп Р - давления в 10 15 20 25 30 35 40 45 50 камере. Зто расстояние рассчитывают поформуле Н-Н+ Нф,Ну р цРгде Н -...
Способ выращивания монокристаллов со структурой силленита
Номер патента: 1705424
Опубликовано: 15.01.1992
Авторы: Аккуратова, Гаврилов, Тихонов, Цыганова
МПК: C30B 15/00, C30B 29/32
Метки: выращивания, монокристаллов, силленита, структурой
...происходит отклонение от стехиометрического состава за счет интенсивного испарения ВцОз, имеющего более высокое парциальное давление паров по сравнению с ЯЮг и бе 02. В соответствии с диаграммой состояния это и приводит к снижению темпеоатуры плавления на поверхности слитка. Из расчетов скорость охлаждения слитков силиката висмута диаметром 65 мм равна 7,1 град/ч, однако проведенные исследования показали, что использование малых скоростей охлаждения целесообразно лишь в зоне аномального возрастания напряжений. Для монокристаллов силиката и германата висмута они лежат в диапазоне 500-700 С,Проведенные эксперименты показали, что скорость охлаждения при температурах51 О 15 20 25 30 35 40 45 50 за пределами указанного диапазона можно...
Способ выращивания монокристаллов титаната бария
Номер патента: 1737034
Опубликовано: 30.05.1992
Авторы: Леонюк, Меликсетян, Урусов
МПК: C30B 29/32, C30B 9/06
Метки: бария, выращивания, монокристаллов, титаната
...скоростью 20-30 С/ч, выдерживают при этой температуре в течение 8-10 ч, затем охлаждают до температуры 800 С со скоростью 1-3 С/ч.В таблице представлены экспериментально найденные параметры процесса кристаллизацииПри других соотношениях исходных компонентов и температурных режимах и ложительный эффект отсутствует,П р и м е р 1. Смесь ВаТЮз, В 20 з, КГ, взятую в соотношенг и 10,6 и 84 мас.0 ь соотСостав смеси, мас.ВаТОз ВгОз КР 80-65 8 - 10 20-30 1 - 3 Качест, не- сдвойникованные, объемные монокристал- . лы кубической формы толщиной в несколько миллимет ов Составитель Н,МеликсетянТехред М,Моргентал Корректор М.Пожо Редактор М.Петрова Заказ 1871 Тираж Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР...
Состав для травления монокристаллов германата свинца р g о
Номер патента: 1738878
Опубликовано: 07.06.1992
МПК: C30B 29/32, C30B 33/10
Метки: германата, монокристаллов, свинца, состав, травления
...комплекса, а также возможно ее выделение в коллоидном состоянии. Не исключено, что все эти процессы протекают одновременно, что определяется соотношением компонентов в растворе и условиями осуществления реакции (температурой, перемешиванием). К тому же многоатомный спирт способен адсорбироваться на поверхности, что влияет на особенности растворения кристалла.Пределы концентрации азотной кислоты определяют опытным путем. При содержании кислоты менее 1 мас,; реакция протекает с малой скоростью, и результат травления получается неудовлетворительный: поверхность становится матовой, доменные границы не видны. При содержании кислоты более 5 мас.ф реакция протекает с очень большой скоростью, поверхность образца получается блестящей,...
Способ получения монокристаллов ортогерманата висмута
Номер патента: 1745779
Опубликовано: 07.07.1992
Авторы: Бузовкина, Васильев, Викторов, Волков, Каргин, Петров, Скориков, Тале, Шульгин
МПК: C30B 15/02, C30B 29/32
Метки: висмута, монокристаллов, ортогерманата
...смешивают в стехиометрическом соотношении 2;3, помещают в платиновый тигель и и рокаливают в воздушной атмосфере в течение суток при 850 С. В известном способе не требуется дополнительной выдержки шихты в видерасплава при 1050 С, не предьявляется также дополнительных жестких требований ксохранению стехиометрии исходного состава шихты, отсутствует необходимость в обеспечении контроля шихты непосредстпарения ВгОз, так и вхождения в шихту неконтролируемых примесей из тигля.Наиболее близким к изобретению является способ выращивания кристаллов ортогерманата висмута, содержащий оксид европия, методом 4 охральского. Шихту прокаливают в платиновом тигле медленными шагами до 850 С. Возникающий в процессе нагрева при испарении соединений...
Способ получения монокристаллов германата висмута со структурой эвлитина
Номер патента: 1603844
Опубликовано: 23.11.1992
Авторы: Бондарь, Бурачас, Горишний, Кривошеин, Пирогов, Салийчук, Федорова
МПК: C30B 11/02, C30B 15/00, C30B 29/32 ...
Метки: висмута, германата, монокристаллов, структурой, эвлитина
...г, оксид германия Ое 021054,2 гдля получения требуемого соотношения, соответствующего Формуле ВцСезО 2 (масса загрузки смеси на одно выращивание для тигля диаметром 100 мм и высотой 100 мм составляет 4200 г).Собирают нижнюю часть кристаллизационного узла в соответствии с чертежом, засыпают в тигель 2 и упло 1 няют полученную гомогенную смесь - первичная загрузка, Затем устанавливают верхнюю часть кристаллизационного узла, включают ростовую установку (" КристалЛ") и нагревают смесь оксидов со скоростью 100 град/мин до 940 С, далее со скоростью 15 град/мин до 1175 С (температуру контролируют по показаниям термопары типа ТПП), Агрегатное состояние смеси, процессе повышения температуры наблюдается через смотровое окно 5 и при получении...
Способ термообработки монокристаллов вольфрамата кадмия
Номер патента: 1515796
Опубликовано: 07.12.1992
Авторы: Вострецов, Нагорная, Овечкин, Пирогов
МПК: C30B 29/32, C30B 33/00
Метки: вольфрамата, кадмия, монокристаллов, термообработки
...в вакууме со скоростью 50-100 град/ч до 390-450 С и выдерживают в течение 2 - 5 ч, Затем проводят их термообработку в кислородсодержащей атмосфере, При этом нагрев ведут со скоростью 50-100 град/ч до 640 - 950 С, выдержку осуществляют в течение 10-15 ч, а охлаждение проводят со скоростью 30-50 град/ч. Достигают увеличения светового выхода кристаллов относительно светового выхода кристаллов Св(Т) до 437 ь.1 табл,МэВ) до обработки составляют 32 и 13%, а после обработки 43 и 10,30 соответственно. Достигают увеличения светового выхода кристалла относительно исходной величины на 33%, что значительно превышает результат(5 - 7), получаемый согласно прототипу,В таблице приведены значения светового выхода с отработанных кристаллов относительно...
Способ термообработки кристаллов германата висмута
Номер патента: 1784669
Опубликовано: 30.12.1992
Авторы: Бороденко, Бурачас, Кухтина, Пирогов, Рыжиков
МПК: C30B 29/32, C30B 33/02
Метки: висмута, германата, кристаллов, термообработки
...сцинтилляцион- сцинтилляционного уровня кристаллов ных характеристик сцинтилляторов, вцре- ВОО. Сурьма, имея меньший атомный радизанных из одного кристалла, характерен ус,являетсяизовалентныманалогом висмубольшой разброс, Так, сцинтилляторы сли та, и поэтому может быть внедрена в нейными размерами 25 х 10 х 3 мм имеют све- подрешетку его оксида. Известно также, что товой выход от 11,2 до 16,3; а многие соединения сурьмы - хорошие люэнергетическое разрешение от 13,7 до минофоры, Пятиоксид сурьмы ЯЬ 205 - сое,5 О/о. динение устойчивое ниже 357 ОС, переходящееПредлагаемый способ принципиально 45 при более высоких температурах через отличается от аналогов составом кислород- ЯЬо 012 в ЯЬ 206 и далее в ЗЬ 20 з. Температусодержащей...
Способ получения шихты для выращивания монокристаллов германата висмута в, g, о
Номер патента: 1789577
Опубликовано: 23.01.1993
Авторы: Ангерт, Голубович, Кудрявцева, Новопашина, Тюшевская
МПК: C30B 15/00, C30B 29/32
Метки: висмута, выращивания, германата, монокристаллов, шихты
...начинается спекание шихты, котороеможет приводить к необратимому захватуеще неудаленных ОН - групп в объеме шихты при закрывании пор при спекании. Винтервале температур 830 в 8 С происходит синтез фазы эвлитина Вцбез 02. По результатам рентгенофазового анализа наэтой стадии наблюдается также присутствие фазы силленита В 46 езОа и Ое 02, При900-950 С достигаются полнота синтеза изначительное (в 1,5-1,6 раза) уплотнениематериала; плотность таблет шихты В ГО после такой термообработки достигает 90%от плотности расплава ВГО.Выше температуры 950 С начинаетсяподплавление шихты (т пл. ВГО = 1050 С).П р и м е р 1, Смесь просушенных порошков оксидов германия ОеОг и висмутаВ 20 з, взятых в стехиометрическом соотношении 2:3, смачивают...
Способ выращивания монокристаллов германата висмута
Номер патента: 1789578
Опубликовано: 23.01.1993
Авторы: Бондаренко, Бондарь, Бурачас, Кривошеин, Мартынов, Пирогов
МПК: C30B 15/00, C30B 29/32
Метки: висмута, выращивания, германата, монокристаллов
...затравку, разращивание верхнего конуса, рост при постоянном диаметре, отделение кристалла от расплава и последующее его охлаждение, согласно изобретению, разращивание верхнего конуса осуществляют в пределах телесного угла 130 - 160.В основе предлагаемого способа лежат следующие физические явления. Телесный угол разращивания верхнего конуса соответствует определенной скорости снижения температуры расплава в ходе разращивания и, следовательно, определенным тепловым условиям на фронте кристалл и за ции. Кон к ретн ы й хара кте р этих условий определяет характер роста Р-, Я- и К-граней. Поскольку, как показал предварительный анализ для достижения поставленной цели необходимо исключить преимущественный рост Р-граней, но обеспечить...
Способ выращивания кристаллов молибдата гадолиния 90 ориентации
Номер патента: 1801991
Опубликовано: 15.03.1993
Авторы: Курлов, Петьков, Редькин
МПК: C30B 15/00, C30B 15/34, C30B 29/32 ...
Метки: выращивания, гадолиния, кристаллов, молибдата, ориентации
...скоростью 20-50 об/мин до достижения толщины кристалла более 15 мм, при вытягивании кристалл вращают со скоростью 90-110 об/мин. Получают кристаллы длиной до 60 мм, шириной 32 мм, толщиной 25 мм хорошего качества, 2 табл. ращивании составляла 40 об/мин. При этом толщина кристалла 25 мм, После разращивания скорость вращения увеличили до 100 об/мин - толщина кристалла осталась прежней. Длина участка разращивания составила 15 мм, Было выращено 12 кристаллов молибдата гадолиния 90 ориентации длиной 50 - 60 мм, шириной до 32 мм, толщиной 25 мм хорошего качества, Из каждого кристалла вырезали 6 элементов шириной 10 мм, толщиной 11 мм, длиной 40 мм,В табл,1 приводятся значения толщин выращиваемых кристаллов в зависимости От толщины кристалла...
Способ выращивания монокристаллов германата висмута
Номер патента: 1700954
Опубликовано: 15.04.1993
Авторы: Бондаренко, Бондарь, Бурачас, Загвоздкин, Кривошеин, Пирогов, Тиман
МПК: C30B 15/00, C30B 29/32
Метки: висмута, выращивания, германата, монокристаллов
...при этом увеличивается, и кристалл начинает подплавляться. Поэтоиу в этом случае для сохранения прежнего поперечного сечения необходимо понизить температуру расплава эа счет уменьшения мощности нагревателя с помощью ЛСУТП. При этом происходит быстрая кристаллизация в центре фронта кристаллизации внизу кристалла. В результате в течение некоторого времеви в расплаве формируется нижний конус кристалла, содержащий большое количество дефектов 1 пузырей и включений). Такая дефектная структура имеет значительномевьиую теплопроводность, так как поглощает н рассеивает излучение, цдущее от расплава, что уменьшает передачу, тепла от расплава к кристаллу,Вследствие этого при отделении кристалла (со сформированным таким образом нижним...
Способ термообработки сцинтилляционных кристаллов
Номер патента: 1609211
Опубликовано: 23.04.1993
Авторы: Бондарь, Бурачас, Горишний, Зеленская, Кривошеин, Пирогов, Рыжиков
МПК: C30B 29/32, C30B 33/04
Метки: кристаллов, сцинтилляционных, термообработки
...кристаллы со ско" ростью 50-100 град/ч до 930+30 С и д- лее до комнатной температуры со скоростью 100-20 ф град/ч. После охлаждения ячейку вынимают нз печи и извле 1609211кают кристаллы (или сцинтилляторы),Кристаллы передают на оптико-механи:ескуа обработку, а спинтилляторына измерение сцинтилляционных параметров,Были проведены лабораторные испытания известного.и предлагаемого способов, Термообработке. подвергалосьболее 35 кристаллов германата висмута и сцинтилляторов из них, Характерные результаты испытаний приведены втаблице (для сцинтилляторов размером4040 мм и 5 ПМ 50 мм),В абсолютном значении световой выход увелицивается на 3,0-393, энергетицеское разрешение улучшается на2,0-7,33,Относительное улучшение сцинтилляционных параметров...
Способ выращивания монокристаллов германата висмута
Номер патента: 1810401
Опубликовано: 23.04.1993
Авторы: Бондаренко, Бондарь, Бурачас, Загвоздкин, Кривошеин, Мартынов, Пирогов
МПК: C30B 15/00, C30B 29/32
Метки: висмута, выращивания, германата, монокристаллов
...части, а во втором случае наоборот. Например, для германата висмута в одном из опьтов температура стенок тигля в первом случае снижается с 1146 до 1024 С в течение - 60 с., а во втором случае с 1148 до 972"С в течение того же времени.Таким образом, в результате снижения подводимой к индуктору высокочастотной мощности в 1,5-2,5 раза в течение 2 - 10 с (непосредственно сразу после отделения кристалла от расплава увеличением скорости вытягивания) кристалл не растрескивается и у него отсутствует дефектный нижний конус. При этом доля годного качественного кристаллического материала близка к 100, (т,е. увеличивается по сравнению с прототипом на 5 - 10 ), отсутствуетдеформация тигля. производительность ростовых установок увеличивается на "...
Способ термообработки кристаллов германата висмута
Номер патента: 1828882
Опубликовано: 23.07.1993
Авторы: Бороденко, Бурачас, Кухтина, Пирогов, Рыжиков
МПК: C30B 29/32, C30B 33/02
Метки: висмута, германата, кристаллов, термообработки
...разрешения согласно ГОСТ 17038-079 и ГОСТ17038.7 79. Затем их помещают в ампулы иэоптического кварца вместе с навесками порошка В 20 з квалификации ос,ч, иэ расче.та 3,3-5,3 г на 1 м объема ампулы. Ампулы-3вакуумируют до остаточного давления 10мм рт.ст, запаивают и помещают в электропечь сопротивления. Печь нагревают в режиме 75-200 град/ч, После достижения1000 + 80" С температуру печи стабилизируют. В изотермическом режиме ампулы выдерживают 0,5-1,0 ч, Охлаждение печиосуществляют, как и в прототипе, сначала соскоростью 50-100 град/ч до 930 + 30 С идалее со скоростью 100-200 град/ч. Прикомнатной температуре ампулы извлекаюти вскрывают. Поверхности сцинтилляторовснова полируют, после чего проводят измерения сцинтилляционных...
Способ получения монокристаллов ортогерманата висмута (bi4 (ge3o4)3)
Номер патента: 1266248
Опубликовано: 20.08.1996
Авторы: Каргин, Кожбахтеев, Марин, Нефедов, Скориков
МПК: C30B 29/32, C30B 7/10
Метки: ge3o4)3, висмута, монокристаллов, ортогерманата
Способ получения монокристаллов ортогерманата висмута Bi4Ge3O12, включающий синтез из исходных оксида висмута (III) и оксида германия (IV), расплавление полученной шихты и выращивание монокристаллов направленной кристаллизацией на ориентированную затравку, отличающийся тем, что, с целью упрощения, интенсификации и удешевления процесса при сохранении сцинтилляционных характеристик монокристаллов, синтез проводят гидротермальным методом в 3 7,5% -ном растворе фтористого аммония при следующем соотношении исходных оксидов, мол.Оксид висмута (III) 30 45Оксид германия (IV) 55 70
Способ получения монокристаллов вольфрамовых бронз
Номер патента: 703936
Опубликовано: 10.07.1999
Авторы: Аксентьев, Барабошкин, Волков, Докучаев, Захарьяш, Злоказов, Калиев, Кокшаров, Фотиев
МПК: C30B 29/32, C30B 9/14
Метки: бронз, вольфрамовых, монокристаллов
Способ получения монокристаллов вольфрамовых бронз для активных элементов датчиков рН птуем электролиза расплава смеси вольфрамового ангидрида и вольфрамата натрия, отличающийся тем, что, с целью повышения верхнего предела измерения рН щелочных сред, в расплав за 3 - 5 мин до окончания электролиза вводят вольфрамат лития в количестве 30 - 40 вес.% или вольфрамат магния в количестве 10 - 15 вес.%.
Композиция для обработки монокристаллов силленитов
Номер патента: 1577405
Опубликовано: 27.01.2000
Авторы: Копылов, Кравченко, Куча, Некрасов, Чернушич
МПК: C30B 29/32, C30B 33/10
Метки: композиция, монокристаллов, силленитов
1. Композиция для обработки монокристаллов силленитов, содержащая полирующий порошок, травитель и воду, отличающаяся тем, что, с целью повышения стойкости полированной поверхности монокристаллов к мощному лазерному излучению, композиция дополнительно содержит комплексообразователь, например трилон Б, и вещество, предотвращающее гидролиз травителя, например хлорид аммония, а в качестве травителя используют хлорид цинка при следующем соотношении компонентов, мас.%:Полирующий порошок - 0,1 - 5,0Трилон Б - 0,5 - 5,0Хлорид аммония - 1,0 - 15Хлорид цинка - 1,0 - 50Вода - Остальное2. Композиция по п.1, отличающаяся тем, что она дополнительно содержит...