Нагревание расплава или кристаллизуемого материала — C30B 15/14 — МПК (original) (raw)
Тепловой узел
Номер патента: 857308
Опубликовано: 23.08.1981
Авторы: Арефьев, Грачев, Колосов, Литвин
МПК: C30B 15/14
...и закреплен,ные на подставке тигля.Кроме того, по краям отверстийстаканов выполнены бортики, а наверхней части подставки выполненвыступ, с которым контактирует бортик внутреннего стакана.На Фиг, 1 приведен тепловой узел,общий вид; на Фиг. 2 - узел крепления подвижных экранов к подставкетигля,Тепловой узел состоит йз подставки 1 для тигля 2, укрепленной наштоке 3, соединенным с приводом 4,нагревателя 5, коаксиальных нагревателю цилиндрических неподвижныхэкранов 6, установленных на горизонтальном экране 7, и дополнительных экранов 8, закрепленных на подставку 2. Экраны 8 размещены в зазорах 9 между неподвижными экранами 6.Экраны 8 выполнены в виде стакановс отверстием в дне 10, по краям отверстий (фиг. 2) имеютсябортики 11,которыми экраны...
Нагреватель сопротивления
Номер патента: 887630
Опубликовано: 07.12.1981
Авторы: Блецкан, Кириченко, Курбанов, Пелевин, Соколов
МПК: C30B 15/14
Метки: нагреватель, сопротивления
...нагревателя впроцессе длительной эксплуатации, обус 10 ловленное уменьшением поперечного сечения в результате окисления поверхностикислородом, разрушение поверхности поддействием термоударов, испарения графита,вследствие чего такои нагреватель имеет15 малый срок службы (четыре - шесть месяцев в зависимости от атмосферы рабочейкамеры).Целью изобретения является повышениесрока службы нагревателя.0 Цель достигается тем, что нагревательные элементы выполнены из графитовогопорошка, засыпанного между тремя коаксиально установленными трубами из диэлектрического материала и электрически25 соединены слоем порошка, на котором установлено графитовое кольцо, а токоподводящпе кольца размещены в зазорах междутрубами,На чертеже показан предлагаемый...
Графитовый нагреватель
Номер патента: 1691431
Опубликовано: 15.11.1991
Авторы: Квашнин, Синев, Степанов, Сурков, Чернявец
МПК: C30B 11/00, C30B 15/14
Метки: графитовый, нагреватель
...имеет форму полого цилиндра с вертикальными прорезями, выполненными попеременно сверху и снизу. По торцам цилиндра в. прорезях выполнены гнезда, в которых установлены армирующие элементы в форме штырей из электроизоляционного, теплостойкого и прозрачного материала, такого как лейкосапфир, циркон, рубин или гранат. Нагреватель обеспечивает повышение качества продукции на 4,8 о . 1 з.п. ф-лы, 1 ил,Графитовый нагреватель работает следующим образом.При подаче питающего напряжения на несущие элементы 2 происходит разогрев цилиндра 1. При этом штыри 5 и 6 препятствуют деформациям цилиндра 1 как в радиальном, так и в осевом направлениях, д Использование прозрачного материала для О изготовления штырей улучшает условия теплообмена между...
Способ выращивания монокристаллов оксидов и устройство для его осуществления
Номер патента: 786110
Опубликовано: 23.01.1993
Авторы: Аракелов, Белабаев, Бурачас, Дубовик, Назаренко, Саркисов, Тиман
МПК: C30B 15/00, C30B 15/14, C30B 29/30 ...
Метки: выращивания, монокристаллов, оксидов
...следящей системы,Постоянное вмешательство следящейсистемы в процесс выращивания обусловливает основной недостаток известного способа и устройства автоматического управления процессом ростамонокристаллов, так как постоянноевмешательство приводит к искусственным колебаниям температуры расплава,связанным с самим управлением. В своюочередь, колебания температуры отрицательно сказываются на оптическойоднородности кристалла и снижают выход годных кристаллов,Применение кристаллов ниобата лития в квантовой электронике предъявляет к качеству кристаллов повышенные требования, особенно к однородности структуры кристалла по высоте.Искусственные колебания температурырасплава, возникающие в процессе автоматического управления процессомроста,...
Способ получения монокристаллов сложных окислов и устройство для его осуществления
Номер патента: 1165095
Опубликовано: 30.01.1993
Авторы: Асланов, Коваленко, Промоскаль, Скоробогатов, Стрювер
МПК: C30B 15/14, C30B 29/28
Метки: монокристаллов, окислов, сложных
...ратура всего тигля и, следовательно, всего обьема расплава в целом. Это влечет за собой уменьшение эффективности его конвективного перемешивания и, как следствие, увеличение толщины диффузионного слоя вблизи фронта кристаллизации, что благоприятствует скопЛению в этом слое примеси скоэффициентом вхождения меньше единицы, Вследствие эффекта концентрационного переохлаждения скопление такой примеси в диффузионном слое ведет к 25ячеистому росту монокристалла, резкоухудшающему его оптическую однородностьНаиболее близким техническим решением является способ выращивания монокристаллов, включающий плавление исходного материала, затравливание на затравку, ее разращивание до заданного диаметра изменением температуры расплава и последующее...
Способ выращивания монокристаллов сложных оксидов из расплава и устройство для его осуществления
Номер патента: 1228526
Опубликовано: 15.02.1993
МПК: C30B 15/14, C30B 29/22
Метки: выращивания, монокристаллов, оксидов, расплава, сложных
...1 б в керамическом диске 15, после че.о привод вытягивающего механизма отключают. В камере 7 охлаждения монокристалл 20 выдерживают 2 ч, затем охлаждают до комнатной температуры со скоростью 50 Кч, а в области температур, в которой существует аномалия термического расширения кристаллов лантангаллиевого силиката (850- 700 К), со скоростью ЭО К/ч.При этом платиновый экран 10,крышка 17 и керамические экраны 8, 9 прорези 11, выполненные в экране 8, а также удаленный верхний виток, на указанное расстояние обеспечивают выравнивание теплового поля в камере 7 охлаждения, повышают ее инерционность при охлажчденни и обеспечивают линейный температурный градиент по длине кристалла в области аномалии термического расширения 3 град/см.Для...
Устройство для вытягивания кристаллов из расплава
Номер патента: 1466275
Опубликовано: 10.12.1996
Авторы: Гончаров, Дудка, Лисовенко, Нероденко, Оболонский, Осадчий, Рейзлин, Решетько
МПК: C30B 15/00, C30B 15/14
Метки: вытягивания, кристаллов, расплава
Устройство для вытягивания кристаллов из расплава, включающее камеру роста с тиглем и коаксиально установленным тепловым узлом, содержащим тепловую трубу с нагревателем, отличающееся тем, что, с целью повышения качества кристаллов и выхода в годную продукцию за счет создания управляемого изотермического температурного поля вокруг кристалла, тепловой узел снабжен дополнительной тепловой трубой с нагревателем, расположенной над основной, между трубами размещена теплоизоляция, а тепловой узел установлен с возможностью вращения и осевого перемещения.