Тиман — Автор (original) (raw)
Тиман
Способ неразрушающего контроля процесса диффузионного отжига полупроводников
Номер патента: 728593
Опубликовано: 15.12.1993
Авторы: Загоруйко, Тиман, Файнер
МПК: H01L 21/66
Метки: диффузионного, неразрушающего, отжига, полупроводников, процесса
...нанесенными на поверхность 25 исследуемого. образца. В этом способе ток проходит по образцу перпендикулярно диффузионному потоку, По скорости изменения во времени тока определяют коэффициент диффузии, по которому судят о процессе 30 диффузии во время диффузионного отжига.Недостатком эого способа является его недостоверность из-за отсутствия возможности контролировать глубину диффу+ зионного фронта и его непригодность для 35 контроля процесса диффузии в образцах, имеющих большую толщину в направлении диффузии.Целью изобретения является повышение достоверности контроля диффузии ак цепторной примеси в полупроводники п-типа проводимости путем определения положения диффузионного фронта. 45параллельном диффузионному потоку примеси,в качестве...
Способ получения пьезополупроводникового материала на основе соединений а в
Номер патента: 769836
Опубликовано: 15.12.1993
Авторы: Загоруйко, Тиман, Файнер
МПК: C30B 29/46, C30B 33/04
Метки: основе, пьезополупроводникового, соединений
...к об разлу, врез 18 мин пссцесс обработ(и пре кращают ИзепчОт теГ 1 пеодтчрнч( за иси;:,ость удельнсга сопротивления об разца,Темнсвое удельное сопротивление аб раз 18 при 300 К составляет 1,5 10 Омсм диапазон рабочей температуры 200 - 358 К,П р и м е р 2, Палученле манакристалл. Сэ 3;Я:С к 11 звестнь 1 м способам выращивают мс 11 окристалл сульфида кадмия(СНЯ, Образеь размером 20 х 20 х 7 мм помещаот в квар ценуО 3 павлу, запаина)ст и псдверГают От жигу в парах сары при температуре 1273 1 в течение о ч. Получают образец с темновы 1 1 О у,".,ельным сопротивлениемр = 2 10 Ом с," при 300 К, На большле грзни этого образц напыля ст в вакууме10 мм рт ст) сло меди тол;цинсй - 5 .км. Образец псмеща от в муфельну 1 О печь с тдм 1...
Способ получения полупроводникового пьезопреобразователя
Номер патента: 676121
Опубликовано: 15.12.1993
Авторы: Загоруйко, Тиман, Файнер
МПК: H01L 21/02, H01L 41/22
Метки: полупроводникового, пьезопреобразователя
...при одновременном воздействии температуры приводит увеличению скорости диффузии компенсирующей примеси на освещенных частях кристалла по сравнению с его затемненными частями. Образующиеся при этом диффузионные слои на затемненных и освещенных частях кристалла отличаются толщиной и профилем высокоомного рабочего слоя, что обеспечивает возможность изготовления многоканального пьеэопреобразовэтеля с различными резонансными частотами отдельных каналов,П р и м е р. На пластину низкоомного сульфида кадмия Е-среза размером 5 х 5 х 10 мм напылением в вакууме (5 10 мм рт,ст.) наносили слой меди толщиной - 5 мкм, Для отжига пластину помещали в муфельную печь типа СУОЛ,25, 1/12-М с температурой 300 С, Одновременно на пластину направляли световой...
Способ термообработки радиационно-поврежденных монокристаллов дидейтерофосфата калия
Номер патента: 1345688
Опубликовано: 15.11.1993
Авторы: Азаров, Атрощенко, Селин, Тиман, Ткаченко
МПК: C30B 29/14, C30B 33/02
Метки: дидейтерофосфата, калия, монокристаллов, радиационно-поврежденных, термообработки
...указанного выше состава, В табл, 2 представленырезультаты микроскопического исследования этих кристаллов, из которых следует, чтопосле отжига предложенным способомпрактически все радиационные дефектыструктуры исчезали, что привело к восстановлению оптических свойств кристаллов(коэффициент К),П р и м е р 3, Монокристаллы ДКДР вколичестве 5 штук, вырезанные и обработанные, как и в примере 1, подвергали воздействию электронов с энергией 10 МэВпри интенсивности потока 10 эл/см сек .одо достижения дозы 10 электрон/см 2.15Радиационно-поврежденные кристаллы помещали при комнатной температуре вмуфельную печь, повышали температуру впечи со скоростью 1 град/ч до достижениятемпературы (Тл)С, выдерживали приэтой температуре в течение 8 ч, затем...
Способ выращивания монокристаллов германата висмута
Номер патента: 1700954
Опубликовано: 15.04.1993
Авторы: Бондаренко, Бондарь, Бурачас, Загвоздкин, Кривошеин, Пирогов, Тиман
МПК: C30B 15/00, C30B 29/32
Метки: висмута, выращивания, германата, монокристаллов
...при этом увеличивается, и кристалл начинает подплавляться. Поэтоиу в этом случае для сохранения прежнего поперечного сечения необходимо понизить температуру расплава эа счет уменьшения мощности нагревателя с помощью ЛСУТП. При этом происходит быстрая кристаллизация в центре фронта кристаллизации внизу кристалла. В результате в течение некоторого времеви в расплаве формируется нижний конус кристалла, содержащий большое количество дефектов 1 пузырей и включений). Такая дефектная структура имеет значительномевьиую теплопроводность, так как поглощает н рассеивает излучение, цдущее от расплава, что уменьшает передачу, тепла от расплава к кристаллу,Вследствие этого при отделении кристалла (со сформированным таким образом нижним...
Способ выращивания монокристаллов оксидов и устройство для его осуществления
Номер патента: 786110
Опубликовано: 23.01.1993
Авторы: Аракелов, Белабаев, Бурачас, Дубовик, Назаренко, Саркисов, Тиман
МПК: C30B 15/00, C30B 15/14, C30B 29/30 ...
Метки: выращивания, монокристаллов, оксидов
...следящей системы,Постоянное вмешательство следящейсистемы в процесс выращивания обусловливает основной недостаток известного способа и устройства автоматического управления процессом ростамонокристаллов, так как постоянноевмешательство приводит к искусственным колебаниям температуры расплава,связанным с самим управлением. В своюочередь, колебания температуры отрицательно сказываются на оптическойоднородности кристалла и снижают выход годных кристаллов,Применение кристаллов ниобата лития в квантовой электронике предъявляет к качеству кристаллов повышенные требования, особенно к однородности структуры кристалла по высоте.Искусственные колебания температурырасплава, возникающие в процессе автоматического управления процессомроста,...
Устройство для измерения физических свойств материалов при низких температурах
Номер патента: 1714487
Опубликовано: 23.02.1992
Авторы: Белогуров, Коток, Маликов, Стадник, Тиман
МПК: G01N 29/00, H01B 12/00
Метки: низких, свойств, температурах, физических
...таких, какмодуль упругости. затухание и скорость звука проводится в па- под рах азота при вытягивании исследуемого уси образца, в направлении температурного 25 пре градиента путем механического перемеще- вы ния сосуда Дьюара с жидким азотом, токНедостатком известного устройства кон являются отсутствие. контроля температу- дук ры фазового перехода, невысокие чувстви кот тельность и стабильность измеряемого уси параметра, обусловленные высокой ким теплопроводностью штока-вибратора, но выполненного иэ латунной проволоки, и по нелинейностью температурного градиента 35 сте в пространстве над поверхностью азота. соЦель изобретения - повышение точно- же сти измерений. колПоставленная цель достигается тем, что иэ устройство для измерения...
Железнодорожная платформа
Номер патента: 1572866
Опубликовано: 23.06.1990
Авторы: Алексеев, Гохман, Красовский, Минаев, Тиман, Умняшкин
МПК: B60P 7/13
Метки: железнодорожная, платформа
...взаимодействующие с выполненными на платАорме 1 выступами 6.Панели 2 закреплены на раме плат" формы 1 попарно по обе стороны от ее продольной оси с возможностью пово 35 рота вокруг горизонтальных поперечных осей 7, В средней части платформы установлены откидные панели 8 с упорами 9 для Аитингов контейнеров При транспортировке контейнеров торцовая панель 2 с упорами 3 для фиксации контейнеров 4 в верхнем положении устанавливается впадиной 5 на Фиксирующий выступ, при этом откидные плиты установлены на нужный типоразмер контейнера.При подготовке к перевозке колесной техники торцовую панель 2 с упорами 3 поворачивают вокруг осей 7 нао180 и укладывают на кронштейны упорами 3 вниз, тем самым обеспечивается беспрепятственный проезд. колесной...
Устройство для крепления контейнеров на платформе транспортного средства
Номер патента: 1558740
Опубликовано: 23.04.1990
Авторы: Акулов, Алексеев, Гохман, Дружинин, Красовский, Минаев, Тиман
МПК: B60P 7/13
Метки: контейнеров, крепления, платформе, средства, транспортного
...плане.Устройство для крепления контейнеров содержит поворотную панель 1 с жестко закрепленными на ней упорами 2, которая шарнирно связана горизонтально осью 3 с опорным кронштейном 4. Опорный кронштейн 4 закреплен на листе настила пола платформы с возможностью вращения относительно вертикальной оси посредством корончатой гайки 5 и шайбы 6. Опорный кронштейн расположен в месте пересечения оси симметрии панели 1 с ее кромкой. Фиксаторы положения поворотной панели 1 выполнены в виде отверстия 7 в листе настила пола, в которое входят приливы 8 поворотной панели 1.Горизонтальная ось 3 удерживается в петлях поворотной панели 1 гайкой 9. Для подъема панели 1 служит рукоятка 10, а утапливается упор 2 в нерабочем положении поворотной панели 1 в...
Забойный якорь
Номер патента: 1229308
Опубликовано: 07.05.1986
Авторы: Валямов, Гайсин, Тиман, Хамзина
МПК: E21B 23/02, E21B 33/13
...якорь содержит верхний переводник 1, предназначенный для соедчнения с обсадной колонной, корпус 2, через продольные окна 3 которого проходит палец 1, соединяющий втулку 5 с подвеской 6. Втулка 5 имеет седло под бросовый шар, перекрывает в исходном положении окна 3 корпуса и закреплена внутри него срезной шпилькой 7, На корпусе 2 расположен с воэможностью взаимодействия с втулкой при ее перемещении узел раскрепления, включающий соеди",енные шарнирно с подвеской 6 рабочие плашки 8, которые находятся в гастоянном контакте с конусом 9, Узел раскрепления установлен на корпусе с возможностью ограниченного осевого перемещения относительна него за счет расположения между конусом 9 и башмаком 1 О стоек 11, нижним концом входящих в...
Способ определения внутреннихмеханических напряжений b монокри-сталлах корунда
Номер патента: 830211
Опубликовано: 15.05.1981
Авторы: Гринченко, Литвинов, Саввин, Тиман
МПК: G01N 24/08
Метки: внутреннихмеханических, корунда, монокри-сталлах, напряжений
...линии от величин 0,68 (НС) и 0,82 ( И С) определяют степень внутренних механических напряжений, .Способ осуществляют следующим образом.Исследуемый нв внутренние напряжения участок монокристаллв корунда вводят в катушку датчика ЯМР, ориентируют монокриствлл твх, чтобы угол между оптической осью кристалла и направлением постоянного магнитного поля составлял 0 или 90, регистрируют из всего спекотра ЯМР А 8 две компоненты - центральХ 7ную линию и высокополевой сателлит и определяют отношение их амплитуд. При , наличии внутренних напряжений наблюдается уменьшение указанных значений отношения амплитуд., Количественную характеристику внутренних напряжений (степень напряжений) определяют по отклонению отношения амплитуд, высокополевого...
Способ определения блочности кристалла корунда
Номер патента: 529411
Опубликовано: 25.09.1976
Авторы: Гринченко, Коневский, Литвинов, Тиман
МПК: G01N 27/78
Метки: блочности, корунда, кристалла
...Если полученное соотношениенаходится в пределах 9:8:5 - 9;(6,4):3, то кристаллмалоблочный, если оно меньше 9: (6,4):3 - кристалл блочный. Граница такого разделения являетсяусловной, но с ее помощью можно легко выявить З 1значительные отклонении в ту или другую сторону.Если наблюдается расщепление сателлитных линий, то измеряют расстояние между отдельнымипиками, которое однозначно определяет уголразориентации отдельных блоков. ИУгловой интервал ориентации кристалла выбранисходя из того, что данные ориентации осуществимы для монокристаллов корунда с обычно встречающимся расположением оптической оси подо60 - 90 по отношению к геометрической оси крис- ЗОталла.При углах менее 62 начинается наложение рядаолиний спектра, так что получить...
Способ выращивания тугоплавких монокристаллов
Номер патента: 403235
Опубликовано: 25.04.1976
Авторы: Катрич, Тиман
МПК: B01J 17/24
Метки: выращивания, монокристаллов, тугоплавких
...и скорости ия монокристаладан изменения толцины слоя р роста в процессе вырашив р тен их монокСпособ вырешиванияристаллов в вакууме путеца затравки и подачи насырья, отличаюшчто, с целью повышения туг оплавм расп авпения торрошкового тем,к онечн ог о чистот юдут мм пр 01 с асплародукта, кристаллизациюа толшиной не более 5 скорост а, не превышают ок Изобретение может найти применение врадиотехнике, лазерной технике и т.д,Известен способ выращивания мопокристаллов в вакууме путем расплавления торцазатравки и подачи на него порошкового сы- арья. Такой способ исключает возможностьполучения особо чистых монокристаллов изсырья технической чистоты,Цель изобретения состоит в повышениичистоты конечного продукта, Это достигается тем, что...
Конструкция скважин в условиях вечной мерзлоты
Номер патента: 440483
Опубликовано: 25.08.1974
Авторы: Ломоносов, Омесь, Розов, Тиман, Хортов
МПК: E21B 43/00
Метки: вечной, конструкция, мерзлоты, скважин, условиях
...вращательно-поступательное движение хладоносителя в кольцевом пространстве.Предлагаемая конструкция дает возможность осуществить контроль за состоянием вечной мерзлоты и регулированием термодинамическими процессами,Это достигается тем, что дополнительная колонна размещена в кольцевом пространстве между стенкой скважины и кондуктором.На фиг. 1 представлена схема предлагаемой конструкции; на фиг. 2 - узел соединения дополнительной колонны с кондуктором; на фиг, 3 - вид по стрелке А на фиг. 2; на фиг. 4 - разрез по Б - Б на фиг. 2.Конструкция содержит колонную головку 1, насос 2 для перекачки хладагента, емкость 3, дополнительную колонну 4. хлад- агент 5, спиральные фонари 6, кондуктор 7, узел соединения дополнительной колонны с...
Усилитель ультразвука
Номер патента: 374708
Опубликовано: 01.01.1973
Авторы: Комар, Тиман
МПК: H03F 13/00, H03H 9/54
Метки: ультразвука, усилитель
...выходной преобразователь и приемник. Однако они не обладают требуемыми коэффициентом усиления и полосой пропускания.Предлагается усилитель, позволяющий увеличить коэффициент усиления и расширить полосу пропускания. Для этого к входу входного, преобразователя дополнительно подключен генератор высокочастотных колебаний.На чертеже приведена блок-схема устройства. Она содержит входной преобразователь 1, рабочий пьезополупроводник 2, выходной преобразователь 3, приемник 4 и генератор высокочастотных колеоаний 5.На вход устройства подается напряжение полезного сигнала на частоте 5 лги и напряже. ние с частотой 40 лги от генератора высокочастотных колебаний б. Обе возбуждаемые во входном преобразователе 1 ультразвуковые волны...
Устройство для долива скважины
Номер патента: 256686
Опубликовано: 01.01.1969
Авторы: Катаев, Курочкин, Мухаметдинов, Тиман, Трест
МПК: E21B 21/08
...за период времени, необходимый для подъема одной свечи бурильных труб. Устройство для долива скважины промывочной жидкостью, содержащее закрытую дозировочную емкость, связанную трубопроводом с устьем скважины и воздухопроводом с воздушной системой бурового станка, отличаюитееея тем, что, с целью повышения надежности работы при любых климатических условиях, дозировочная емкость снабжена обратным впускным клапаном и установлена в приеме бурового пасоса ниже уровня жидкости. Устройств Дозировоч роизвольно роводе 7 в атного кла Известны устроиства для долива скважин, содержащие дозировочную емкость с пневмоцилиндром, связанным воздухопроводом с воздушной системой бурового станка.Описываемое устройство отличается тем, что дозировочная...