Ниобаты; ванадаты; танталаты — C30B 29/30 — МПК (original) (raw)
280450
Номер патента: 280450
Опубликовано: 01.01.1970
Авторы: Ангерт, Баранов, Толчинска, Фарштендинер
МПК: C30B 29/30, C30B 33/00
Метки: 280450
...монодоменных кристаллов .ЮЬО, 0ориентации, являющегося материалом дляквантовой электроники,Известеп способ получения монодоменныхкристаллов .1 ХЬОз 0 ориентациями, заключающийся в том, что выращивание кристалловведут в электрическом поле, когда затравка ирасплав находятся .под постоянным напряжением.Однако известным способом получать круп:ные кристаллы сложно. Кроме того, выходконечного продукта низкий.С целью увеличения кристаллов и повышения выхода конечного продукта, выращенныйдо нужных размеров кристалл отжигают при1160 - 1180 С в течение 30 - 60 мин под напряжением 15 - 25 в. Затем кристалл охлаждают до 1075 - 1125 С при снижении напряжения на 25 - 40% с последующим охлажденнем кристалла со скоростью 26 - 30...
358871
Номер патента: 358871
Опубликовано: 01.01.1972
Авторы: Вестерн, Иностранна, Иностранцы, Легранд, Соединенные, Шобха
МПК: C30B 29/30, C30B 33/10
Метки: 358871
...Из более тяжелых ионов удовлетворительным является 1.+; более крупные ионы (Р 1+, А - , Лп-, Га-, Т 1+ и др,) могут быть использованы также, хотя меньшие скорости миграции вынуждают увеличить время электролиза,Удовлетворительным является градиент напряженности в интервале от 100 до 2000 всл. Ниже минимальной величины время обработки чрезмерно возрастает; при превышении верхнего предела возможны дуговой разряд и сильный Джоулев нагрев, желательным является уровень от 150 до 500 висл. В большИнстве случае целесоооразно использовать номинальную напряженность 200 в/сл. Используемые вещества прибли;кенно имеют промежуточное строение, характеризуемое пространственно-точечной группой Р 4 Ьт (Сг ) Рассматриваемые вещества, в основном, при...
Способ выращивания монокристаллов ниобатов и танталатов щелочных металлов
Номер патента: 369748
Опубликовано: 01.01.1973
Автор: Иностранец
МПК: C30B 15/00, C30B 29/30
Метки: выращивания, металлов, монокристаллов, ниобатов, танталатов, щелочных
...на установке Чохральского с нагревом тигля при помощи нагревателя сопротивления. Исходный материал в виде порошка помещают в платиновый тигель и расплавляют в проточной атмосфере, представляющей собой влажный кислород или влажную смесь кислорода с инертными газами. Для создания требуемой степени влажности поток газа пропускают перед входомэкамеру через наполненныи водои сосуд при температуре 22 - 28 С. Скорость протекания газа должна обеспечивать его насыщение водяным паром при данной температуре и выбирается 5 в пределах 0,3 - 3,0 л/час, предпочтительно0,5 - 1 л/час.В процессе вытягивания между затравкойи расплавом создают короткое замыканиедля стекания поляризационных зарядов, возникаю щих при переходе в...
Станнат-ванадат висмута и способ его получения
Номер патента: 1155630
Опубликовано: 15.05.1985
Авторы: Алексанян, Костанян, Осипян, Савченко
МПК: C30B 1/10, C30B 29/30
Метки: висмута, станнат-ванадат
...записи формулы соединения В-гйЧЦ 6 БР 1/60 г в виде слоев (В 0) (В 1 ц 6 Ч 66 БПЦбОф Видноу что состав Вг Чр Бп 1 Оггц изоструктурен Вг.гИО 6(В Мо 06), в котором позиции Ыф (Моб) заголнены ионами Ч и Бп6 Ф Ф 4+ в отношении 5; 1 - подрешетка вольфрама В в ВгВО разбивается на две "подподретешки", - В В 6 - ванадия и олова, При этом вследствие тре бования сохранения электронейтральности формульной единицы в подрешетВке кислорода образуется вакансионная дефектность; из разрешенных 0 позиций заполнены 06 г . Другим принципиально новым структурным мотивом яв,ляется наличие подрешетки А в соединении с числом п=1. Таким образом,з 1155630 ОтносительИнтерфеМежплоскостныерасстоянияЙ/й экспериментальные, А ные интенсивности, 7 ренционные...
Способ выращивания монокристаллов l т о
Номер патента: 1562363
Опубликовано: 07.05.1990
Авторы: Дыменко, Пополитов, Цейтлин, Яшлавский
МПК: C30B 29/30, C30B 7/10
Метки: выращивания, монокристаллов
...фзы к твердой/= 4:1,1. Автоклав герметически закры вют и помещают в двухзонную печь сопротивления. Температура зоны раст" варения равна 430 С, температурный перепад равен 30 С, При данном нагреве давление жидкой Фазы составляет 530 атм. Процесс получения 1,1 ТаО;, протвкает по схеме, описанной в примере 1. Средний размер монокристаллов 1 1 ТдОз от 3 до 4 мм,Предложенный способ эффективен, прост в техническом оформлении, воспроизводим, не требует дорогостоящей футеровки, позволяет получать цистые монокристаллы ЬаТаОз и увеличивать 25 их размеры при пониженных температурНЫх параметрах процесса, цто необходимо для их практического использования в кацестве рабочих элементов в приборах специального назначения.При этом количество получаемых...
Способ травления кристаллов танталата лития
Номер патента: 1583478
Опубликовано: 07.08.1990
Авторы: Большакова, Елкин, Козлов, Масленников, Сорокина
МПК: C30B 29/30, C30B 33/00
Метки: кристаллов, лития, танталата, травления
...1. представлена структураполидоменного образца, выявленнаяс помощью известного и предлагаемогспособов; на фиг,2 - поверхности крталла танталата лития, подвергнутогтравлению предлагаемым способом втечение 5; 7 и 10 с; на фиг.3структура монодоменного и полидоменго образцов,Гранулированный едкий кали в колчестве 7 г засыпают в керамический ится к обралата лития астности к и доменной етодами опти кроскопии.ить и сокра нокристаллы едкого кали5-7 с.нижена до роводится расплава, получитьЦов в течение 5 с (фиг.2 а), 7 с (фиг.2 б) и 10 с (фиг.2 в) в расплаве дкого кали.П р и м е р 3. Полидоменный (фиг,Зб) и монодоменный (фиг.За) образцы, изготовленные из монокристалла танталата лития, одновременно Оодвергают травлению в расплаве едкого кали при...
Способ травления монокристаллов ниобата лития
Номер патента: 1583479
Опубликовано: 07.08.1990
МПК: C30B 29/30, C30B 33/00
Метки: лития, монокристаллов, ниобата, травления
...существенно понизитьтемпературу травления, сократитьего время и получить четкие Фигурытравления. Монокристаллы ниобаталития обрабатывают расплавом КОНс добавкой ИаОН в количестве 35 мас.Епри 150+0,2 С в течение 5 - 7 с. Пос -ле травления образцы опускают встаканчик с кипящей дистиллирован -ной водой, через 1 мин стаканчикоснимают с плитки и охлаждают до 30 С.Затем образцы обтирают и исследуютпод микроскопом. Способ позволяетполучить большую инФормацию о реной структуре, а также выявить до -менные структуры отрицательного иположительного дисков поляризации, 1583479травления ведет к потере контрастности или искажеиию картины травления.На снимке видны домены обоих знаков Использование предлагаемого способа по сравнению с известным позволяет...
Состав для травления
Номер патента: 1594222
Опубликовано: 23.09.1990
Авторы: Груздев, Карпеев, Купрюнин, Мелкумянц, Раков, Федоров
МПК: C30B 29/30, C30B 33/00
...нагревают до 133 С, поме.- щают в образовавшийся расплав подложки ниобата и танталата лития и травят при этой температуре. Количество исходных компонентов для приготовления травителя и температуру травления определяют из фазовой диаграммы системы КР-НР при концентрациях КР 61 мас,Ж и НР 39 мас.й. зовано для химической обработки подложек ниобата и танталата лития. Цельизобретения - повышение скороститравления, Состав для травления монокристаллических подложек ниобата итанталата лития представляет собойрасплав компонентов, взятых в количестве, соответствующем на фазовойдиаграмме НР-КР, где И-щелочной металл и/или аммоний, соотношению,мас.7: МР 48-89, КР 11-52. Скоростьтравления повьшается в несколько разпо сравнению с прототипом. 1 табл....
Способ подготовки подложек ниобата лития для фильтров на поверхностно-акустических волнах
Номер патента: 1627601
Опубликовано: 15.02.1991
Авторы: Карпеев, Купрюнин, Мелкумянц, Ракитин, Раков, Федоров
МПК: C30B 29/30, C30B 33/10
Метки: волнах, лития, ниобата, поверхностно-акустических, подготовки, подложек, фильтров
...1 Л ОИНЫ 5(ЛОК ТРДВ,(ЦИ 51Пг)и.)( г) I. 10 пц;ь 1 ожк и ( нио 6;т( .1 ития дидметроч 50 чм и толп(Но 1 мч с о;(ной стороны Илифуюг алманыч дбрдивм ло о 6 р( ц В ( н и 5 н (н (. й ч и к р о н р 0 В н Ост и Гл у нци 20 м кч. 11 оков;1 01 ь ил(еря к)т и; прфи,цгрдф(-профГол( гр н;1 пяти рд - ,изныл отрнкдк. 11 ц.ьо кку 06 рдбдтывдк; н рави (,е и ( У(П/ь нгр Ол,(ц 240 (:,И ци( 1 О чн. 1 ц,л ;1 о Ин( ркнцсь ,м 6 ипци ячцк Гр;н 1 ня,)81;) л(кч, 11 ылцл и)лложек в 0,(нук п 1 нлук(ию тгяц,учния фильтров нд поверкностпо-акусти искик Вцлндк 1(Н)".П(и, р 2 110.1 ожкирис цтдвливдк)т к( к (при л 1 ре. Иц ил 1(Н 5 к)т ВИ.1, и ст( и(.нь лилН(кц) 06 р;160 тки, сос:и( 1 р;Вит(,1 я,ЛПрдтурЛ И .ЬИт.ЬНОТЬ тр;ГкСиня 2104(:1 О(.1 11,11 ОБ)л 11 111 ;(л 1. )л 1...
Способ сухого травления ниобата лития
Номер патента: 1638222
Опубликовано: 30.03.1991
Авторы: Гольдфарб, Дикарев, Перелыгина, Петраков
МПК: C30B 29/30, C30B 33/12
Метки: лития, ниобата, сухого, травления
...типа на расстоянии 45 мм от потенциального электрода.Диаметр камеры 120 мм, Вакуумы тема обеспечивает уровень предв тельного разрежения в РРК не2,7 Па, Процесс травления 1.1111 ЬО про" водят при давлениях плаэмообразующего газа Р=40, 53, 66 Па и средних эначеИзобретение относится к обл ионики, в частности к методамовления приборов на твердомтеиспользованием ниобата лития.ечиваетсяповьппение скоростиения. Спо соб включает сухоеение в плазме высокочастотногода газообразного гексафторида5 Р при условии Т 700-39 4 Р,- температура ниобата лития, К;авление Баб 9 равное 406 Р 66 Па.гнута скорость травления 0,25 мкм/мин. 1 табл,В таблице приведены рез ы травления образцов 1 ЙЬОз при различных параметрах процесса: Р - д ение,.Па; И - среднее...
Способ получения монокристаллов стибиотанталата калия
Номер патента: 1641899
Опубликовано: 15.04.1991
МПК: C30B 29/30, C30B 7/10
Метки: калия, монокристаллов, стибиотанталата
...3,9-4,5 мм,Основные параметры процесса получеиия монокристаллов К БЬТаО представлены в таблице,Определение химического состава и идентификацию монокристаллов осу ществляли методом рентгеноспектрального и рентгеноструктурного анализа.В рентгеноструктурных исследованиях использованы методы Лауэ, Вейсенберга и порошка при СцК 0-излуче нин аУстановлено, что монокристэллы относятся к дитригональнопирамидальному (3 щ) классу тригональной сингонии с параметрами элементарной ячейки: а = 10,653+0,004, с= 11,597++0,005 А (в гексагональной установке).Изучение систематики погасанийрефлексов на вейсенбергограммах,симметрии лауэграмм с учетом изучения пироэффекта позволяет выбрать длямонокристаллов К БЬТа 0 полярнуюпространственную группу...
Способ получения монокристаллов (sв bi )nво, где х = 0, 1 0, 3
Номер патента: 1668496
Опубликовано: 07.08.1991
Авторы: Адхамов, Дыменко, Пополитов, Цейтлин
МПК: C30B 29/30, C30B 7/10
Метки: nво, где, монокристаллов
...исходные компоненты ИЬг 05, ЗЬгОз, В 1 гОз, взятые в мольном отношении 1,2:1,4;0,4. В автоклав заливают водные растворы КР кон центрацией 32 мас и НгС 20 а концентрацией 6 мас взятые в объемном соотношении 4,0:1,2, Соотношение объемов жидкой и твердой фазы составляет 4,5:1,3. Заряженный автоклав с размещенной пере городкой герметически закрываю и помещают в печь сопротивления, где его нагревают до 420 С, вследствие чего давление жидкой среды в нем достигает порядка 760 атм. Температурный градиент составля ет 1,5 градсм. При установившемся стационарном режиме происходит синтез монокристаллов твердых растворов (ЗЬ 1-хВ 1 х)ЙЬ 04, выход которых составляет соответственно 90 от веса исходной ших ты, что в среднем в шесть раз превышает...
Способ выращивания профилированных кристаллов сложных оксидов
Номер патента: 1691433
Опубликовано: 15.11.1991
МПК: C30B 15/34, C30B 29/22, C30B 29/30, C30B 29/32 ...
Метки: выращивания, кристаллов, оксидов, профилированных, сложных
...Включение материала формообразователя и дефекты,связанные контактом с формообразователем, наблюдаются только на поверхностнойчасти кристалла,Измерить давление в замкнутом объемене представляется возмокным но онолегкорассчитывается из следующих условий;рЧ = сопэт(закон Бойля-Мариотта) и Р -Р.= рцэр,где Р - давление в замкнутом объеме;Р - давление в камере;р - плотность расплава;о - ускорение свободного падения;Ь - высота поднятия расплава в замкнутом обьеме относигельно уровня расплава.Но в данном случае наиболее вахнойхарактеристикой является расстояниеотпластины затравки до места схлопывания(фиг. 4), в зависимости гп Р - давления в 10 15 20 25 30 35 40 45 50 камере. Зто расстояние рассчитывают поформуле Н-Н+ Нф,Ну р цРгде Н -...
Монокристаллический материал на основе танталата калия лития и способ его получения
Номер патента: 1693134
Опубликовано: 23.11.1991
Авторы: Гейфман, Круликовский
МПК: C30B 15/00, C30B 29/30
Метки: калия, лития, материал, монокристаллический, основе, танталата
...когда подвижность ионов лития (и обусловленная их движением диэлектрическая проницаемость) существенно завис т от температуры,Расширен ге температурного диапазона двулучепреломления при снижении диэлектрических потерь и низком температурном коэффициенте диэлектрической проницамости обеспечивается образованием ниэ осимметричной структуры не за счет эамопаживания при определенной температурп (Т,) ионов, как в случае монокристалла-прототипа, а за счет синтеза нОвого соединения, имеющего низкую симметрию (и, следовательно, аниэотропные физические свойства) при кристаллизации. Элементами структуры здесь являются искаженные октаэдры, пентагочальные и15 ЗО трехшапочные призмы, образованные изионов кислорода, окружающих...
Способ получения монокристаллов твердых растворов на основе ортотанталата сурьмы
Номер патента: 1710602
Опубликовано: 07.02.1992
Авторы: Дыменко, Пополитов, Сыч
МПК: C30B 29/30, C30B 7/10
Метки: монокристаллов, ортотанталата, основе, растворов, сурьмы, твердых
...отношение жидкой и твердой фаз являетсясущественным для поддержания длитель-.ного пересыщения в зоне синтеза, Если,например, взять количество твердой фазы45 по объему равной жидкой, то практическиполучается вязкий раствор, который затрудняет массоперенос и снижает подвижность растворенных компонентов, Этообстоятельство лимитирует синтез и вы 50 ход монокристаллов твердых растворов(ЯЬ 1-, Вх) Та 04,Таким образом, все отличительныепризнаки способа причинно связаны сцелью изобретения и достаточны для его55 осуществления. Нарушение того или иногопараметра приводит к невоспроизводимости предложенного способа. Разработанный способ позволяет синтезироватьмонокристаллы (ЯЬ 1-, Вх) Та 04 с выходом80 - 93 мас.от исходной шихты с содержанием 0,1...
Гидротермальный способ получения монокристаллов твердых растворов sb(sb nb )о
Номер патента: 1754806
Опубликовано: 15.08.1992
Авторы: Дыменко, Пополитов, Сыч
МПК: C30B 29/30, C30B 7/10
Метки: sb(sb, гидротермальный, монокристаллов, растворов, твердых
...скорость образования которых превышает 35 скорость их роста. Результатом этого конкурирующего процесса является незначительный размер монокристаллов.Отношение жидкой и твердой фазы является существенным для поддержания 40 длительного пересыщения в реакционнойзоне образования кристаллов. Если, например, взять количество твердой фазы по объему равной жидкой, то практически получается вязкий раствор, который затруд няет массоперенос и снижает подвижностьрастворенных компонентов шихты. Это об- .стоятельство лимитирует образование и выход монокристаллов твердых растворовЯЬ(ЯЬхй Ь 1.х)0450 . Таким образом, все отличительные признаки способа причинно связаны с целью изобретения и достаточно для его осуществления, Нарушение того или...
Травитель для ниобата бария-стронция
Номер патента: 1660407
Опубликовано: 23.09.1992
Автор: Девятова
МПК: C30B 29/30, C30B 33/08
Метки: бария-стронция, ниобата, травитель
...1 Зерен осадка нет,чистая поверхность 1 О 2) Травление. Подготовленную дляобработки ппастнну выкладывают воткрытый торопластовый стакан, заливают слоем травителя толщиной 12 си и при перемешивании выдерживают в течение времени, предварительно определенного по контрольномуобразцу,3) Прекращение травления. По окончании необходимого времени образецвынимают из.травителя, тщательно промывают под струей деиониэованной во"ды с обеих сторон,4) Сушка. Тщательно отицтую пластину сушат либо под струей осушенно-.го воздуха нлп инертного газалибоцентрифугированием,П р и и е р. Пластину монокристаплнческого кремния с сформирован Сным слоем ниобата бария-стронция высушивают до постоянного веса на мик. роаиалитических весах с точностью(510) О" г,...
Способ выращивания монокристаллов оксидов и устройство для его осуществления
Номер патента: 786110
Опубликовано: 23.01.1993
Авторы: Аракелов, Белабаев, Бурачас, Дубовик, Назаренко, Саркисов, Тиман
МПК: C30B 15/00, C30B 15/14, C30B 29/30 ...
Метки: выращивания, монокристаллов, оксидов
...следящей системы,Постоянное вмешательство следящейсистемы в процесс выращивания обусловливает основной недостаток известного способа и устройства автоматического управления процессом ростамонокристаллов, так как постоянноевмешательство приводит к искусственным колебаниям температуры расплава,связанным с самим управлением. В своюочередь, колебания температуры отрицательно сказываются на оптическойоднородности кристалла и снижают выход годных кристаллов,Применение кристаллов ниобата лития в квантовой электронике предъявляет к качеству кристаллов повышенные требования, особенно к однородности структуры кристалла по высоте.Искусственные колебания температурырасплава, возникающие в процессе автоматического управления процессомроста,...
Способ получения крупногабаритных монокристаллов ниобата лития
Номер патента: 1468025
Опубликовано: 15.03.1993
Авторы: Ефремова, Космына, Левин, Машков
МПК: C30B 15/00, C30B 29/30
Метки: крупногабаритных, лития, монокристаллов, ниобата
...после охлаждения, и, следовательно, предотвращает электрический пробой и образование трещин.Высохшая пленка электроизоляционного лака, покрывающая монокристалл, защищает его поверхность от загрязнения, Имея высокую электрическую прочность (20-60 кВ/мм) пленка электроизоляционнаго лака предотвращает электрические пробои по поверхности монокристалла нескомпенсированного заряда, возникающего при хранении монокристалла в обычных условиях из-за небольших колебаний температуры, и, следовательно, предотвращает образование трещин в кристалле.Способ получения состоит из следующей последовательности операций;1468025- вытягивание кристалла из расплава на затравку;- послеростовой отжиг и охлаждение выросшего кристалла до температуры окружающей...
Способ получения шихты для выращивания монокристаллов ниобата или танталата лития
Номер патента: 1275931
Опубликовано: 15.11.1993
Авторы: Коршикова, Коток, Моисеенко, Романова, Салийчук, Федорова
МПК: C30B 15/00, C30B 29/30
Метки: выращивания, лития, монокристаллов, ниобата, танталата, шихты
...мельницы изорганического стекла загружают 2711,74 гпрокаленной при 1150 С.в течение 4 ч пятискиси ниобия и 712,48 г прокаленного при130 С в течение 6 ч углекислого лития иперемешивают на валках мельницы в течение 4 ч, Смесь исходных компонентов загружают в платиновые лодки и обжигают вкамерной печи при 1100 С в течение 5 ч,Выход готового продукта 98,8 О.Стехиометрический состав шихты следующий, мас.о,МЬ 63,2.0 (теор. 63,19)4,46 (теор. 4,46)Содержание микропримесей, мас,о/,А 1,Ге,М 9210; РЬ,К 1,Сг,Ч1 10Я 1 10; Мп 5 10 , Длительность процесса16 ч,П р и м е р 5. В барабан мельницы изорганического стекла загружают 2711,74 гпрокаленной при 1150 ОС о течение 4 ч пятиокиси ниобия и 712,48 г прокаленного при140 С в течение 5 ч углекислого лития...