Данцев — Автор (original) (raw)
Данцев
Способ изготовления кремниевых транзисторных структур с диэлектрической изоляцией
Номер патента: 1116919
Опубликовано: 15.04.1994
Авторы: Брюхно, Громов, Данцев, Комаров, Хочинов
МПК: H01L 21/76
Метки: диэлектрической, изоляцией, кремниевых, структур, транзисторных
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КРЕМНИЕВЫХ ТРАНЗИСТОРНЫХ СТРУКТУР С ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ИЗОЛЯЦИЕЙ, включающий образование на исходной монокристаллической пластине высоколегированных скрытых слоев того же типа проводимости, что и пластина, травление разделительных канавок, нанесение на них диэлектрического слоя, наращивание на него поликристаллической кремниевой подложки, вскрытие монокристаллических карманов, формирование в монокристаллических кремниевых карманах транзисторных структур, отличающийся тем, что, с целью упрощения технологии и увеличения процента выхода годных структур, до образования высоколегированных скрытых слоев или одновременно с ними формируют на исходной монокристаллической пластине локальные высоколегированные области того же типа...
Способ изготовления кремниевых транзисторных структур с диэлектрической изоляцией
Номер патента: 1108966
Опубликовано: 15.04.1994
МПК: H01L 21/76
Метки: диэлектрической, изоляцией, кремниевых, структур, транзисторных
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КРЕМНИЕВЫХ ТРАНЗИСТОРНЫХ СТРУКТУР С ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ИЗОЛЯЦИЕЙ, включающий формирование на монокристаллической кремниевой подложке первой пленки двуокиси кремния, вскрытие в ней локальных областей, вытравливание первой группы разделительных канавок, удаление первой пленки двуокиси кремния, формирование скрытого слоя в разделительных канавках первой группы, формирование второй пленки двуокиси кремния, вскрытие в ней локальных областей, вытравливание второй группы разделительных канавок, формирование пленки двуокиси кремния в разделительных канавках второй группы, наращивание на рельефную поверхность структуры слоя поликристаллического кремния, удаление части кремниевой подложки с образованием изолированных...
Способ получения изолированных монокристаллических областей
Номер патента: 1115630
Опубликовано: 30.01.1994
Авторы: Громов, Данцев, Хочинов, Черный
МПК: H01L 21/308
Метки: изолированных, монокристаллических, областей
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ИЗОЛИРОВАННЫХ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ОБЛАСТЕЙ, включающий нанесение маскирующего слоя на пластину монокристаллического кремния, травление через маску разделительных каналов, окисление рельефной поверхности, нанесение на окисленную поверхность материала подложки, удаление электрохимическим травлением монокристалла, отличающийся тем, что, с целью упрощения и повышения качества процесса вскрытия монокристаллических областей для кремния любой степени легирования и любого типа проводимости, положительный потенциал подводят к монокристаллу снизу через проводящий материал подложки, причем окно в окисном слое, обеспечивающее омический контакт, создают перед наращиванием материала подложки.
Способ изготовления микросхем
Номер патента: 1085439
Опубликовано: 30.01.1994
Авторы: Брюхно, Данцев, Комаров, Усманова, Юлдашев
МПК: H01L 21/26
Метки: микросхем
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МИКРОСХЕМ, включающий создание областей p-типа в кремниевой подложке n-типа проводимости, диэлектрическую изоляцию этих областей, контроль качества полученных областей с диэлектрической изоляцией для определения областей с повышенной концентрацией примеси p-типа проводимости и формирование в диэлектрически изолированных областях рабочих структур, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных, области с повышенной концентрацией примеси p-типа проводимости перед формированием в них рабочих структур подвергают облучению тепловыми нейтронами в течение времени t, определяемого по формуле
Схват робота
Номер патента: 1821360
Опубликовано: 15.06.1993
Авторы: Абраров, Алферов, Данцев, Клетнев, Кондратьев, Поздняков, Рыженков, Яковлев
МПК: B25J 15/00, B25J 15/06
...колебаний переменного. напряжения от 45генератора 3, и далее через усилитель мощности 5 подается, либо нэ обмотку возбуждения 10 магнитострикционного вибрэтора(фиг. 2), либо на Э 13 и 15 пьезоэлектрического вибратора 6 (фиг. 3), возбуждая вибратор 6.Таким образом формируется устойчивая эона захвата между электродами 13 ЭЗи поверхностью детали, достаточная дляобеспечения стабилизации усилия захвата, 55а в моментвозникновения силы электростатического взаимодействия по всей границераздела подложки 12 с закрепленными наней электродами 13 и ЗД. В режиме открепления детали, сигнал, поступающий от электронной системы управления манипулятором, на БУ 2, отключает источник постоянного напряжения 1. При этом изменяется коэффициент передачи...
Устройство для решения задач календарного планирования
Номер патента: 1817105
Опубликовано: 23.05.1993
Авторы: Барабанов, Борисов, Данцев, Ячкула
МПК: G06F 15/20
Метки: задач, календарного, планирования, решения
...выхода элементов И 14 блоков 12 а 1, триггер 13 которых находится в единичном состоянии, сигнал уровня логической единицы поступает на инверсный вход элемента И 17 соответствующего блока моделирования работы, Этим исключается воэможность включения в первое подмножество работ, претендующих на общий с первой работой ресурс.По завершению этих операций на тактовый вход 20 распределителя импульсов поступает второй импульс, он распределяется на выход 212 и начинается второй шаг решения, который как и последующие аналогичен вышерассмотренному первому,Если на очередном р-том шаге (рН) осуществится включение в искомое подмножество М-й по счету работы, то появится импульс на выходе счетчика 5, который поступит на вход элемента ИЛИ 9....
Устройство для зажигания газоразрядных ламп
Номер патента: 1774530
Опубликовано: 07.11.1992
Авторы: Данцев, Назаренко, Семенов
МПК: H05B 41/231
Метки: газоразрядных, зажигания, ламп
...16, при этом второйвывод первого резистора 11 катод тиристора 9 соединены с первым выводом для подключения сети 3, второй вцвод второго резистора 12 соединен с катодом второго диода 14, анод которого соединен с первым выводом первого конденсатора 6, второй вывод второго конденсатора 8 и анод третьего диода 15 подключены к отводу 2 балластного дросселя 1, катод третьего диода 15 подключен к упрааляющему выводу управляемого ключа 16, подключенного параллельно третьему конденсатору 10.Балластный дроссель 1 с отводом 2 предназначен для стабилизации тока газо- разрядной лампы 4 и создания высоковольтного импульса.Первый вывод для подключения сети 3 и второй вывод для подключения сети 5 служит для подключения устройства для зажигания...
Устройство для оптимизации работы параллельных процессов
Номер патента: 1569844
Опубликовано: 07.06.1990
Авторы: Алексеев, Васильковский, Данцев, Ячкула
МПК: G06F 15/173
Метки: оптимизации, параллельных, процессов, работы
...осуществляется запись длин дуг эквивалентного графа в счетчики соответствующих моделей дуг (к) строки модели графа.Таким образом, за - 1 п(п+1) шагов этапа работы устройства будет сформирована модель графа, эквивалентного задаче оптимизации схемы использова 15 ния,общих данных.По окончании последнего шага первого этапа распределитель 20 перейдет в (и+1)"е состояние и на этом заканчивается первый этап работы уст 20 ройства и начинается второй этап, на котором определяется кратчайший путь в полученном эквивалентном графе.На втором этапе сигнал с выходараспределителя 20 коммутатора 3 25 поступает на управляющий вход ключа 17 блока 2 управления. Информационная цепь ключа 17 замыкается и напря,;ение от шины питания через замкнутую...
Устройство для решения задач теории расписаний
Номер патента: 1443007
Опубликовано: 07.12.1988
Авторы: Алексеев, Васильковский, Данцев, Ячкула
МПК: G06G 7/122
Метки: задач, расписаний, решения, теории
...накапливающего сумматора 4 (поскольку последний хранит наименьший код и обладает наибольшим приоритетом). Через время Т 2, достаточное для записи информации в сумматор 4 и обре ботки исполнителем признака назн,- чения задания блок 1 синхронизации сбрасывает сигналы на выходах 18 и 9 и формирует импульсный сигнал единичного уровня на выходе 20, гри этом на выходе счетчика прибавляет к текущему значению единицу, Через время ТЗ, достаточное для прибавления единицы; блок 1 сбрасывает сигнал на выходе 20 и формирует сигнал единичного уровня на выходе 18, Далее устройство работает аналогично, и второе и третье по величине задания назначаются второму исполнителю, Однако после того, каг сбраУстройство для решения задач теории расписаний,...
Устройство для анализа параметров графа
Номер патента: 1437875
Опубликовано: 15.11.1988
Авторы: Алексеев, Данцев, Ячкула
МПК: G06F 15/173
Метки: анализа, графа, параметров
...вершины графа), который поступает на тактовый вход блока 15 синхронизации. При этом блок 15 синхронизации снимает сигнал единичного уровня с первого выхода 23 первой группы и вырабатывает импульсный сигнал на первом выходе 24 второй группы, который поступает на вход признака записи первого регистра 8. При этом в первый регистр 8 записывается информация о величине внешнего радиуса из первой вершины графа. Через время Т, достаточное для записи информации в первый регистр 8, блок 15 синхронизации формирует импульсный сигнал единичного уровня на выходе 21, который поступает на входы установки в "О" всех преобразователей 7 и всех триггеров 4. Через время Тз, достаточное для установки в ноль преобразователей 7 и триггеров 4, блок 15...