Дистлер — Автор (original) (raw)

Дистлер

Устройство для улавливания падающих предметов

Номер патента: 1161683

Опубликовано: 15.06.1985

...сетки с продольн нию опорные элем их улавливающи анатами и приес ньшения способления для ких воздействий е с я тем, что ею т вьппени ел ации,я дина риспосомических виде ве экспл ния для уменьшен воздействий выпо кальных стержней цах, верхние из прикреплены к оп иены и- нколь ирн оторыхрному лементу ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССР О ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИЙ КОМЪ/ СВИДЕТЕЛЬСТВ(56) Авторское свидетельство СССРУ 138354, кл. Е 04 С 21/32, 1960.Авторское свидетельство СССРУ 759689, кл. Е 04 С 21/32, 21/32,1980.(54) (57) УСТРОЙСТВО ДЛЯ УЛАВЛИВАНИЯПАДАКЩИХ ПРЕДМЕТОВ, включающее принижние выполнены разомкнутыми,ичем продбльные канаты сеткиопущены через нижние кольца сзможностью свободного перемещепродольном направлении,фиг. 2 Составитель...

Многоэтажное здание

Номер патента: 1011804

Опубликовано: 15.04.1983

Авторы: Дистлер, Канчели, Платонов, Якушин

МПК: E04B 1/18

Метки: здание, многоэтажное

...и связевый каркас, состоящий из колонн, ригелей и диафрагм жесткости, выполненных в виде колонн и панелей заполнения, диафрагмы жесткости снабжены дополнительной панелью заполнения, установленной в верхнем этаже здания и жестко прикрепленной к диафрагме жесткости и шарнирно - к колонне соседнего ряда.При этом дополнительные панели заполнения могут быть установлены с двух сторон диафрагмы жесткости.На фиг. 1 схематически изображен каркас здания, план; на фиг, 2 - то же, разрез; на фиг. 3 - то же, с выполнением панели заполнения в виде железобетонных элементов; на фиг. 4 - то же,с выполнением панели заполнения в видебалочной конструкции.Многоэтажное здание включает фундаменты. 1 и связевый каркас 2. Каркас 2состоит из колонн 3,...

Сейсмостойкое здание

Номер патента: 987064

Опубликовано: 07.01.1983

Автор: Дистлер

МПК: E04H 9/02

Метки: здание, сейсмостойкое

...последних, причем тяги выполнены гибкими,На чертеже изображен фундамент здания, разрез.Сейсмостойкое здание включает каркас 1, фундамент 2, фундаментную плиту 3, подвешенную на вертикальных гибких тягах 4 к верхней части фундамента 2, и демпфирующие устройства 5, прикрепленной наклонно одним концом к стенке 6 фундамента 2. На другой конец демпфирующих устройств 5 оперты гибкие тяги 4 с образованием наклонного участка 7 последних.При появлении сейсмических вертикальных нагрузок здание в силу инерции стремится сохранить первоначальное положение,987064 Формула изобретения СоставительТехред И. Вер ираж 722дарственногоизобретенийЖ - 35, Раунт, г. Ужго Г. Ивановс Редактор Н. ВоловикЗаказ 10235/9ВНИ ИПИ Гос по делам 113035, Москва лиал ППП...

Фонд вноертш

Номер патента: 400139

Опубликовано: 25.02.1974

Авторы: Власов, Дистлер, Лобачев, Мельников, Триедина

МПК: C30B 23/00, C30B 7/10

Метки: вноертш, фонд

...ти, хам якро- травках е через СОКОй С частцос чеством ыс ца за рсдмет цзобретец 1 лИзобретение может использоваться прц выращивации моцокристаллов любыми способами, осцовяццыми ца примецециц моцокрцсталлических затравок.Известны способы выращивания моцокристаллов ца затравках, которые це устраняют дефектности используемых моцокристалличе- СКИХ ЗЯ 11 РЯОК.Для получения бездефектцых моцокристяллов с повышенной степенью совершенства рсальцой структуры предлагается затравки предварительно покрывать гряци ппми слоями из материалов, отличных от маеридлов затравок. Для более эффективного теплоотВодя В по ялс роста и испол ьзОВ я и и 51 макси мальцой толщины граничных слоев, обладающих ицформяциоццыми свойствами, в качестве материалов для...

Способ определения напряжений и неоднородностей в полупроводниковых кристаллах

Номер патента: 145033

Опубликовано: 01.01.1962

Авторы: Гречушников, Дистлер, Чудаков

МПК: G01L 1/24

Метки: кристаллах, напряжений, неоднородностей, полупроводниковых

...определения напряжений и нсоднородцостей В ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ КРИСТЯЛЛЯХ ОСЦОВЯН НЯ СКЯИИПОВЯНИЦ УЗКИМ ПУЧ- ком инфракрасного излучения исследуемого полупров дникового кристалла с одновременной трансформацией выходного усиленного сигнала в видимое излучение, регистрируемое на обычном фотоматериале, который сканируется синхронно с исследуемым образцом. При применении предложенного способа исслсдованце производится в широком диапазоне инфракрасного спектра.Эффективность способа для выявления различного рода дефектов В полупроВодникоВых материалах подтВсрждяется практической про веркой. рсдмст изобретен об определения напрян(сций и неоднородностей в кристаллах путем цзмер=н: я их дво 1 Ного лучеп ю щ и й с я тем, что, с целью повышения...