Кристаллах — Метка (original) (raw)
Патенты с меткой «кристаллах»
Устройство для возбуждения пьезоэлектрических колебаний в кристаллах
Номер патента: 14520
Опубликовано: 31.03.1930
Авторы: Мандельштам, Папалекси
МПК: H03H 3/02
Метки: возбуждения, колебаний, кристаллах, пьезоэлектрических
...Такое устройство электродов дает хорошие результаты при возбуждении колебаний вдоль электрической оси (поперечные" колебания) и при возбуждении колебаний, соответствующих основному и первым четным обертонам в направлении длины кристалла (продольные" колебания), но мало пригодно для возбуждения высоких обертонов продольных" колебаний, так как распределение знака электрической поляризации в кристалле и пьезозарядов на его поверхности чередуется таким образом, что действие внешнего однородного на всем протяжении пластинки поля, каким практические тся поле между электродами обыч типа, на каждые две смежные стоя полуволны прямопротивоположно но уничтожается. Кроме этого, воз ние нечетных обертонов оказываетс, нанесенных на...
Устройство для возбуждения пьезоэлектрических колебаний в кристаллах
Номер патента: 14521
Опубликовано: 31.03.1930
Авторы: Мандельштам, Папалекси
МПК: H03H 3/02
Метки: возбуждения, колебаний, кристаллах, пьезоэлектрических
...И. Мандельштама1927 года,3 выдаче патента опубликовано 31 ма няется на 15 летД. Папалевси, заявленносвид.18951).величину вдоль всей пластинки, то отсюдаследует, что пространственная структура возбуждающего поля должна быть периодически повторяющейся с пространственным периодом, равным длине стоячей волны того обертона, мощные колебаниякоторого желательно возбудить. Для этойцели поверхнЬстям электродов, прилегающим к пьезокристаллической пластинке, придается форма решетки, гребенки или правильная зубчатая форма электрическое поле между выступающими частями (зубцами) электродов (напр.- 1 и 1"), ближе прилегающими к поверхности кри-5сталла, сильнее, чем между другими частями (выемками, напр. 2 и 2"), поэтому действие поля на полуволну 1,...
Способ определения напряжений и неоднородностей в полупроводниковых кристаллах
Номер патента: 145033
Опубликовано: 01.01.1962
Авторы: Гречушников, Дистлер, Чудаков
МПК: G01L 1/24
Метки: кристаллах, напряжений, неоднородностей, полупроводниковых
...определения напряжений и нсоднородцостей В ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ КРИСТЯЛЛЯХ ОСЦОВЯН НЯ СКЯИИПОВЯНИЦ УЗКИМ ПУЧ- ком инфракрасного излучения исследуемого полупров дникового кристалла с одновременной трансформацией выходного усиленного сигнала в видимое излучение, регистрируемое на обычном фотоматериале, который сканируется синхронно с исследуемым образцом. При применении предложенного способа исслсдованце производится в широком диапазоне инфракрасного спектра.Эффективность способа для выявления различного рода дефектов В полупроВодникоВых материалах подтВсрждяется практической про веркой. рсдмст изобретен об определения напрян(сций и неоднородностей в кристаллах путем цзмер=н: я их дво 1 Ного лучеп ю щ и й с я тем, что, с целью повышения...
Способ изготовления омических контактов на полупроводниковых кристаллах или фотосопротивлениях
Номер патента: 151260
Опубликовано: 01.01.1962
Автор: Карл
МПК: H01L 21/283, H01L 21/40
Метки: контактов, кристаллах, омических, полупроводниковых, фотосопротивлениях
...не имеющему запорного слоя на кристалле из соединения элемента второй подгруппы и элемента шестой основной группы периодической системы элементов, путем напыления алюминия в вакууме.Перед напылением алюминия кристалл нагревается до температу. ры 150 - 250, После напыления алюминия кристалл отхкигается при151260температуре 200 в 3 С. В качестве контактного материала отдается предпочтение алюминию с высокой степенью чистоты. Особенно вредной для процесса напыления примесью алюминия является бор.Части иоверхности кристалла, не предназначенные для контактирования, умед напылением накрываются термостойким шаблоном.Целесообразно кристалл еще в течение некоторого времени подвергнузь 4 фгЖгпературной выдержке, чтобы обеспечить полную...
Устройство для возбуждения и регистрации упругой волны в кристаллах
Номер патента: 488277
Опубликовано: 15.10.1975
Авторы: Гришмановский, Леманов
МПК: H01V 9/00
Метки: возбуждения, волны, кристаллах, регистрации, упругой
...При этом, если рабочая температурд устройства в пределах 2 - 3"1( соответствует середине области переориентации, то магнпто- стрпкцпоппыЙ преоорязовател. возбухдает и 20 кристаллической лппип задержки попере 1 пу 0уп 1)гую Воли.Продольпую упругую волну магпптостри- цпопиый преобразователь яапболсс эффективно,возбуждает прп температуре начала обла; стп переориептацги в диапазопе трех градусов в ту пли другую сторону, если поляризация высокочастотного магпитпого поля параллельа оси а ортоферрита, Если поляризация,высокочастотного поля параллельн 1 п осп с, то наиболее эффективно магнпто488277 Формула изобретения 10 Составитель Н. Игнатенко Техред О. Луговая Редактор С. Хейфиц 1(орректор Н. Аук Заказ 545 Изд. Ме 1911 Тираж 833 Подписное...
Способ контроля внутренних напряжений в полупроводниковых кристаллах
Номер патента: 502282
Опубликовано: 05.02.1976
Авторы: Баранский, Галкин, Климов, Коломоец, Левинзон, Шаповалов
МПК: G01N 3/00
Метки: внутренних, кристаллах, напряжений, полупроводниковых
...достигается тем, что испытуемый образец подвергают одноосному сжатию вдоль определенного кристаллографического направления, измеряют величину удельного электро- сопротивления по этому направлению в функции от напряжения сжатия, и по средней величине смещения линейного участка этой зависимости для испытуемого образца относиалкин, В. А. Климов, В, В. Коломоевинзон и В, П. Шаповалов линеиного участка тои же зависимосятой для контрольного образца, судят ошении напряжений в этих образцах, ертеже изображены графики исследуевисимостей. Согласно предложенномуконтроль осуществляется путем изя для сравниваемых образцов зависиудельного сопротивления от приложенешнего механического напряжения при ом сжатии. Затем для каждого обстроят график...
Способ определения концентрации активаторов люминисценции в кристаллах
Номер патента: 600425
Опубликовано: 30.03.1978
Авторы: Евтропов, Калинин, Царенков
МПК: G01N 21/52
Метки: активаторов, концентрации, кристаллах, люминисценции
...прямого тока, Регистрируют в каком-либо направлении спектр вышедших иэ кристаллалюминесцентных лучей, которые прошли сквозь поглощаю. щий слой, легированный азотом, Зарегистрированный спектр люминесценции отличается от истинного главным образом из-за поглощения в области бесфононной А - полосы, тогда как стоксовское Фононное крыло этой 1 полОсы почти не поглощается н потому не искажено (фнг. 1 и 2) . Штриховойлинией показан истинный спектр, пунктирной - регистрируемый.Вырезают из спектра люминесценцииИ р -центра компоненту, поглощаемуютолщей фосфида галлия и потому расположенную где-либо внутри бесфононнойА -полосы (фиг. 1 и 2 - заштрихованная полоска на длине волны Л А ). СоаАсиз. - Слт 5 1 т с тлт,-у сс, 1 Г,1 (С,)д)д 1где А -...
Способ изготовления индикаторных устройств на жидких кристаллах
Номер патента: 496853
Опубликовано: 05.10.1978
Авторы: Банников, Берестенко, Быков, Мягков, Сотников
МПК: G02F 1/07
Метки: жидких, индикаторных, кристаллах, устройств
...вещества выбирают таким, чтобы на поверхности ванны образовался разреженный мономолекулярный слой. Поверхность, занимаемая мономолекулярным слоем, ограничена по параметру: с трех сторон краями ванны, а с четвертой стороны подвижным барьером, скользящим по краям ванны так, что вода легко проходит пол барьером при его движении. Для молекул поверхностно-активного вещества, находящихся на поверхности, барьер явчяется непроницаемым. Далее, контролируя поверхностное натяжение воды, уменьшают с помощью барьера площадь, занимаемую мономолекулярным слоем. При увеличении поверхностной концентрации молекул поверхностно-активного вещества возникает взаимодействие между молекулами мономолекулярного слоя, и они ориентируются...
Фотоэлектрический преобразователь для наблюдения малоконтрастных дефектов в кристаллах
Номер патента: 661310
Опубликовано: 05.05.1979
Авторы: Гречушников, Чудаков
МПК: G01N 21/40
Метки: дефектов, кристаллах, малоконтрастных, наблюдения, фотоэлектрический
...луча наблюдается приРЕусловии Яс 6= - При этомпаЕ РОЯамана2 пеиоУгол 1 обычно незначителен, ввиду то- ГочтО Ре - и с 1пОэтОму мОжнО считать, чтогЧОкс(3)2 пепРаздваивание лучей на выходе из пластинки на обыкновенный и необыкновенный обуславливает раздваивание действительного иэображенияобъекта. Одно иэображение, формируемое обыкновенными лучами,-проецируется в то место, где оно было бы при условии, если бы пластинка 3 была изотропной, например стеклянной, Другое изображение, построенное необыкновенными лучами, сместится на величину 3 или 1 Мо в направлении наклона оптической оси двупреломляющей пластинки, Смещение необыкновенного иэображения на величину 1 достигается при установке пластинки Между объективом и полевой...
Способ измерения величины циркулярного дихроизма в кристаллах
Номер патента: 672549
Опубликовано: 05.07.1979
Авторы: Вологин, Калдыбаев, Перекалина
МПК: G01N 21/40
Метки: величины, дихроизма, кристаллах, циркулярного
...оси,В этом выражении в отличие от выражения, полученного для аналогичнойсистемы, в которой вместо кристаллапомещено иэотропное вещество (например, раствор), имеется два члена,один из которыхъЬь соъ 2-2 К ьл 215(сЬд"-соьдЦ соьд(М -хаюактериэует изменение линейных эффектов, а другой2 ЬМд+ Киль) апой),где г(КМд "+ К "Мм)-2 аЫ"/Лсвязанй с четными гармониками модуляции, а циркулярность - с нечетными, Для того чтобы отделитьциркулярные эффекты от линейных, вращают образец вокруг оси светового луча. ВНИИРИ Заказ 3881 44филиал Прр Патент ,формула изобретения 45 50 55 60 Ти аж 10 89 По пи свое г. Ужгород, ул. Проектная, от право- до левоцир кул ярной, Такое изменение поляризации является практически синусоидальным, т,е, падающий на образец...
Устройство для исследования колебаний в магнитоупорядоченных кристаллах
Номер патента: 693228
Опубликовано: 25.10.1979
Автор: Даньшин
МПК: G01N 27/78
Метки: исследования, колебаний, кристаллах, магнитоупорядоченных
...одной спиновой системы в колебания другой системы.Указанная цель достигается тем, что плоскопараллельный цилиндрический образец исследуемого магнетика установлен в плоскости поворотной диафрагмы плоскостями параллельно дну резонатора, а ось магнитной симметрии кристалла, направление постоянного магнитного поля и магнитная составляющая СВЧ-поля совмещены с плоскостью вращения поворотной диафрагмы. На чертеже приведена схема устройства.Устройство состоит из следующих основных узлов: передающего прямоугольного вол:3новода 1 с типом колебаний Но,цилиндрического резонатора 2, расчитанного на тип колебаний Но,с поршнем 3; прямоугольного приемного волновода 4 с типом колебаний Н, . Образец магнетика 5, вырезанный в форме диска, вставлен во...
Способ контроля примесей в некубических кристаллах
Номер патента: 693239
Опубликовано: 25.10.1979
МПК: G01N 27/78
Метки: кристаллах, некубических, примесей
...контроле нелегироваггных монокристаллов, трудоемкость обгггег о анализа на содержание парамагнитных примесей.Пелью изобретения является повышение чувствительности и экспрессности контроля образцов некубических моно- кристаллов на предмет содержания в них парамагнитных и комплексообразующих примесных ионов.Поставленная цель достигается тем, что регистрируют спектр ядерного магнитного резонанса (ЯМР), затем к кристаллу прикладывают переменное электрическое поле, вновь регистрируют спектр ЯМР, и по изменению интенсивностей сигналов ЯМР судят о концентрации парамагнитных и комплексообразукщих примесей.Способ контроля примесей основан на фундаментальном свойстве некубических кристаллов - избирательном возбуж дении ядерных квадрупольных...
Спо об записи и считывания оптической информации в активированных щелочных щелочно-галлоидных кристаллах
Номер патента: 655233
Опубликовано: 05.12.1979
МПК: G11C 13/04
Метки: активированных, записи, информации, кристаллах, оптической, спо, считывания, щелочно-галлоидных, щелочных
...элементарныхвозбуждений активной среды.Кроме этого возможна лишь одна одноканальная запись из-зв построчного последовательного прохождении электронноголуча нв поверхности кристалла а такженеобходимо размещение кристалла в вакуумной системе,Цель изобретения- повышение надежности способа записи и считывания информадиие 1Это достигается тем, что при записиоблучают активную среду кристалла ионизируюшей радиацией с длиной волны ультрафиолетового света из спектрвльйой области длинноволнового спада экситонно го поглощения активной среды и оптическим излучением с длиной волны из области спонтанного излучения активнойсреды кристалла.Запись информации осуществляетсяультрафиолетовым излучением в областидлинноволнового спада экситонного...
Устройство освещения для индикатора на жидких кристаллах с полевым эффектом
Номер патента: 713544
Опубликовано: 30.01.1980
Авторы: Вальтер, Майнольф, Марко, Маркус, Петер, Юрг
МПК: G02F 1/133
Метки: жидких, индикатора, кристаллах, освещения, полевым, эффектом
...ЖК, обусловленные несовершенством оптической системы, а также сложность изготовления подобных устройств в условиях массового производства.Целью изобретения является повышение коэффициента использования световой энгрпш, улучшение равномерности освещения и упрощение технологии изготовЭта цель достигается тем, что монолитная светопроводная плата выполняется с утолщением с одной стороны, поверхность платы, обращенная к индикатору, выполнена шероховатой, а противоположная поверхность выполняется диффузно зеркально отражающей одним из двух способов: поверхность гладкая, а прилегающий отражатель - диффузный, либо она выполнена шероховатой, а отражатель - зеркальный.ФНа фиг. 1 изображено предлагаемое устройство, вид сбоку; на фиг. 2 - то же,...
Способ определения направления оси, вдоль которой ориентирован вектор спонтанной поляризации в кристаллах, входящих в состав сегнетокерамики со структурой типа тетрагональной калиевовольфрамовой бронзы
Номер патента: 785711
Опубликовано: 07.12.1980
Авторы: Девликанова, Крыштоп, Сидоренко, Турик, Фесенко
МПК: G01N 27/22
Метки: бронзы, вдоль, вектор, входящих, калиевовольфрамовой, которой, кристаллах, направления, ориентирован, оси, поляризации, сегнетокерамики, состав, спонтанной, структурой, тетрагональной, типа
...спонтанной деформации, метрию; в последнем случае возможныприводящей к растяжению элементарной два направления вектора спонтаннойячейки вдоль полярной оси и одновремен- поляризации: либо вдоль направленияному сжатию в перпендикулярных нап (001, (ось С), либо вдоль (010785711 формула изобретения 01 а но кристаллографической оси 001 (ось С) .П р и м е р 3. Кроме того, были выполнены измерения диэлектрической проницаемости полученного ряда твердых растворов горячепрессованной сегнетокерамики со структурой ТКВБ (1-х) К И+БЬОРц-.хРЬКНЬ Оэ, особенностью которых является налйчие морфотропной области, разделяющей составы тетрагональной и ромбической симметрии,1 О Измерения выпслнены на частоте 10 Гц при комнатной температуре, На...
Способ определения концентрации активаторов люминесценции в кристаллах
Номер патента: 792111
Опубликовано: 30.12.1980
МПК: G01N 21/64
Метки: активаторов, концентрации, кристаллах, люминесценции
...ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д.4/5 Филиал ПЛП Патент, г.ужгород, ул,Проектная, 4 ления с результатами измерений по известному методу, Для выбранных нами линий А и Ф линии, коэффициент пропорциональности между Ю и (И) равен 4,5 х 10смФормула (3) применима в любом случае, когда обе линии насыщаются, когда насыщается одна линия и когда обе линии не насыщаются. А-линия в фосфиде галлия имеет свойство не насыщаться в широком диапазоне уровней10 возбуждения и температуры, поэтому если в качестве одной из линий выбрана А-линия, можно использовать другую процедуру расчета, с использованием данных об уровнях возбуждения (в этом отличие от универсального 15...
Способ получения ювенильных поверх-ностей b двойникующихся кристаллах
Номер патента: 815091
Опубликовано: 23.03.1981
Авторы: Плотников, Федоров, Финкель
МПК: C30B 33/00
Метки: двойникующихся, кристаллах, поверх-ностей, ювенильных
...цель достигается тем, что в способе получения ювенильных поверхностей в двойникующихся кристаллах, включающем упругое деформирование образца, сосредоточенную механическую нагрузку прикладывают к двум естественным граням кристалла, являющимся его плоскостями спайности. Ве-. личина нагрузки, необходимой для обоазования полости, равна Р где Р - нагрузка в направлейии двойникования;- угол между нормалью к плоскости спайности и направлением двойникования.П р и м е р, Получают ювенильные поверхности в кристалле исландского шпата. Схема получения поверхностей приведена на чертеже.Берут кристалл 1 исландского шпата размером 10 х 10 х 5 мм, ограненный естественными гранями.К двум противоположным граням 2 размером 10 х 10 мм, являющимся...
Способ локального определения концентрации окрашивающей примеси в кристаллах
Номер патента: 872976
Опубликовано: 15.10.1981
Авторы: Белая, Добровинская, Литвинов
МПК: G01J 1/52
Метки: концентрации, кристаллах, локального, окрашивающей, примеси
...в отдельных точках исследуемоге и нулевого образца пересчитывают по характеристической кривой и определяют значение логарифмов интенсивности нулевого 2 ф 0 и исследуемого образца Вф, Зная отношение 1 ф/1 фо и предварительно построив градуировочную кривую 193 /3910=(с) для образцов с извествеличину отношения,д 3/930 для образцов с известной концентрацией каксуммарного хрома, так и хрома, изоморфко входящего в кристалл, строятградуировочную зависимость 192/фо=,=Г(с) см, черт. Для определения концентрации хрома в исследуемом образцепроводят те же операции, что и припостроении градуировочной кривой.1 о Исследуемый образец и нулевой образецодновременно фотографируют на микроскопе МИМна отражение. На эту жеплевку впечатывают...
Способ определения анизотропии коэффициента поглощения ультразвука в жидких кристаллах
Номер патента: 947744
Опубликовано: 30.07.1982
МПК: G01N 29/02
Метки: анизотропии, жидких, коэффициента, кристаллах, поглощения, ультразвука
...18 и 19. Выходы последних через дифференциальные каскады 20 и 21 соединены со входами дифферен 947744циаль ного каскада 22, выход которогосвязан с регистратором 23.Анизотропия коэффициента поглощения ультразвука и его скорости описываются универсальной Функциейо(Ю) =а + с соз 6 + Ь соз 4 В,где 6 - угол между волновым вектором и директором (единичным вектором преимущественной ориентации молекул);О,Ь,С - коэффициенты угловой зависима ст и.Значения коэффициентов О, Ь, смогут быть определены по значениямизмеряемого акустического параметрадля дискретного набора углов ориентации волнового вектора относительнодиректора.Способ определения анизотропиикоэффициента поглощения ультразвукаосуществляется следующим образом.Помещают жидкий кристалл 2 в...
Устройство для измерения неоднородностей двулучепреломления в кристаллах
Номер патента: 958922
Опубликовано: 15.09.1982
Авторы: Бредихин, Кузнецов, Новиков
МПК: G01N 21/21
Метки: двулучепреломления, кристаллах, неоднородностей
...для необыкновенного луча, а по - показатель преломлениядля обыкновенного луча в клине 5. Плоско 5 параллельная пластина 4 установлена с возможностью вращения вокруг оси 2Плоское зеркало 7 установлено перпендикулярно оси формируемого источником 1 пучка света. Исследуемыйобразец 1 О помещен10между светоделительной пластиной 3 и плоскопараллельной пластиной 4, причем оптическая ось 2 образца лежит в плоскостиколебаний клина 5 и составляет с осью светового пучка угол О .Устройство работает следующим образом15 Источник 1 формирует монохроматический квазипараллельный пучок света, отдельные лучи которого вследствие расходимости светового пучка наклонены к его осипод различными углами ,Проходя через поляризатор 2, пучоксвета приобретает...
Способ корректировки фотошаблонов при изготовлении резисторов на кристаллах
Номер патента: 964490
Опубликовано: 07.10.1982
Авторы: Бабаков, Власов, Зеленцов, Козин, Стрельцин
МПК: G01L 1/22
Метки: изготовлении, корректировки, кристаллах, резисторов, фотошаблонов
...фиг, 1.изображен радиальный резистор; , на фиг. 2 - тангенциальный резистор.964490Измерительная схема представляет собойдва радиальных резистора, содержащих шестьпрямолинейных участков 1, обладающих элек.трическим сопротивлением (фиг. 1) и два/тангенциальных резистора, каждый из которыхсодержит по два прямолинейных участка 2реэистивного слоя, (фиг, 2).Методом фотолитографии на подложкеформируют монтажные площадки 3 и металлизированные перемычки 4 в изгибах резисто.ров. При этом используют негативные фото.шаблоны с единичным изображением схемычувствительного элемента, представляющие со.бой слой,для вскрытия окон под контакты.Затем после удаления незащищенных фоторезистором участков проводящего слоя формируют фоторезистивную...
Способ залечивания трещин в щелочно-галоидных кристаллах
Номер патента: 966122
Опубликовано: 15.10.1982
Авторы: Зайцева, Иванов, Финкель
МПК: C30B 33/00
Метки: залечивания, кристаллах, трещин, щелочно-галоидных
...субзерен значительно меньших разориентапий (до нескольких 1 О мин), йругим признаком полученнбй.границы бикристалйа является также восстановление оптического контакта между двумя изогнутыми половинками после их отжига, хотя это и не является абсолютно .достоверным признаком появления кристаллографической границы зерен. Это явление наблюдается, например при схлопывании трещин в щелочногалоидных кристаллах после сдавливания, Поскольку не сухо ществует критериев для определения механической прочности "собственно границы зерна", (например, разрушение может в зависимости от условий испытаний проходить вдоль границы или по телу зерна) авторы ограничиваются известными диагностическими признаками, на основании которых и сделано утверждение о...
Способ записи, хранения и стирания информации на жидких кристаллах
Номер патента: 966651
Опубликовано: 15.10.1982
МПК: G02F 1/137
Метки: жидких, записи, информации, кристаллах, стирания, хранения
...глубоко охлаждена смектическая фаза. Если охлаждение неглубокое, т.е.температура вещества близка к точке перехода в нематическую Фазу, то благодаря упругим силам в смектике ориентация молекул может за небольшое время возвратиться в исходное состояние. Если охлаждение смектика глубокое, то вследствие образонания многочисленных дефектов структуры (дислокаций и дисклинаций) места ячейки с наклонной ориентацией молекул сохраняются требуемое нремя. Это время хранения становится практически неорганиченным, еслй смектик охладить ниже точки перехода в твердый кристалл, Стереть записанную и сохраненную информацию легко, нагрев ячейку заметно выше точки перехода .в нематическую фазу.Вдоль плоскости ячейки устанавливается с помощью...
Способ определения дислокаций в кристаллах
Номер патента: 971923
Опубликовано: 07.11.1982
Авторы: Доливо-Добровольская, Перелыгин
МПК: C30B 33/00
Метки: дислокаций, кристаллах
...3 4производится экспрессное определение присутствующих в кристалле типов дислокаций. В случае преобладания того или иного типа по всему объему кристалла или в части его исследователь может прогнозировать возможные отклонения в физических свойствах кристалла(например, легкость скольжения, неоднород. ность электрофизических параметров),П р и м е р. Определяют типы дислока. ций в кристаллах германия, ориентированного по плоскости (1).Производят шлифовку по стандартной методике, затем химическую полировку шлифоваль.1 ных поверхностей по стандартной методике. Соотношение скоростей травления для германия в полирующем травителе следующее: травитель СР - 4, скорость полировки участков без дислокаций Чп в 100 мкм/мин; скорость травления участков...
Матричный индикатор на жидких кристаллах
Номер патента: 972460
Опубликовано: 07.11.1982
Автор: Кириченко
МПК: G02F 1/13
Метки: жидких, индикатор, кристаллах, матричный
...сохраняется в течение длительного времени после отключения управляющих сигналов без дополнительной затраты электрической энергии.Стирание записанной статической ин- ф9 формации осуществляется подачей на эти же электроды ячейки переменного электрического напряжения, в результате чего достигается прозрачность смеси жидких кристаллов.Динамическая информация отображается с помощью второй матричной ячейки при использовании в ней нематического жидкого кристалла, оптической "памятью" не обладающего, 50На фиг. 1 и 2 изображен матричный индикатор, представляющий собой две последовательно включенные относительно луча подсчета матричные жидкокристаллические ячейки; на фиг, 3 - графики зави- И симости нормированной интенсивности света от величины...
Способ измерения эллиптичностей, направлений обхода и азимутов осей эллипсов поляризации собственных волн в кристаллах и устройство для его реализации
Номер патента: 1006930
Опубликовано: 23.03.1983
Автор: Шамбуров
МПК: G01J 4/04
Метки: азимутов, волн, кристаллах, направлений, обхода, осей, поляризации, реализации, собственных, эллипсов, эллиптичностей
...эллиптичной поляризации собствен.ных волн в кристаллах.Известны способы и устройство дляизмерения параметров эллиптическойполяризации собственных волн в кристаллах 1.1 ООднако эти способы и устройстване позволяют одновременного и непосредственного определения параметровэллиптической поляризации собственныхволн в кристаллах.Наиболее близким к изобретениютехническим решением" является способизмерения эллиптицностей, направлений обхода и азимутов осей эллипсовполяризации собственных волн в кристаллической пластинке, заключающийсяв том, цто на исследуемую кристаллическую пластинку направляют по нормали поляризованное излучение, изменяют азимут его поляризации по отношению к исследуемой пластинке до совпадения азимута поляризации...
Способ определения растворимости ароматических примесей в органических кристаллах
Номер патента: 1012107
Опубликовано: 15.04.1983
МПК: G01N 21/25
Метки: ароматических, кристаллах, органических, примесей, растворимости
...мин в ледяной воде, эа"тем добавляют 0,2 мп 20-ного раствора нитрита натрия .и встряхиваютсодержимое в течение 1, мин, послечего приливают 0,2 мл 0,1-ного раствора еС-нафтс 1 ла в 1 н. растворе щелочи. Через 10 мин водный слой отделяют и фотометрируют при 495 нм. По,калибровочной кривой рассчитывают содержание примеси в пробе и ее концентрацию.Величина истинной растворимости2-аминодифенила - 0,20+0,01 масА,Навеску 0,1 г предварительыо отмытого твердого раствора втечение30 мин перемешивают при 41 фС с 0 2 л,насыщенного раствора 2-аминодифенилав воде о концентрацией 0,6 г/лотно"аение к пробе 2000:1,Общаярастворимость - 0,28 мас.Ф;межблочная растворимость равна 0,280,20=0,О 8 масА.П р и м е р.3. Определяют величину1 растворимости...
Способ контроля механических напряжений в кристаллах смешанных сегнетоэластиков
Номер патента: 1024818
Опубликовано: 23.06.1983
МПК: G01N 27/83
Метки: кристаллах, механических, напряжений, сегнетоэластиков, смешанных
...напряжения и регистрируют электрический сигнал, по величине которого определяют результатконтроля 1.2 1 .Недостатком этого способа являет"ся низкая чувствительность связанная с небольшой величиной спонтаннойполяризации Р -ф 0,17-0,20 мКл/см )монокристалла молибдата гадолиния,что обуславливает малый электричес" .кий сигнал, возникающий при деформа- ЗОции кристалла, а также то, цто пьезо"электрический эффект ярко выраженлишь в униполярных кристаллах, а внеуполярных полидоменных кристаллахон равен нулю. 35Целью изобретения является повь 1-.шение точности контроля механическихнапряжений в кристаллах смешанныхсегнетоэластиков,Поставленная цель достигается 40тем, что согласно способу контролямеханических напряжений в кристаллах, смешанных...
Способ выявления топографии 180-градусных -доменов в пластинчатых кристаллах титаната бария
Номер патента: 1038840
Опубликовано: 30.08.1983
Авторы: Бородин, Бородина, Кузнецов
МПК: G01N 21/17
Метки: 180-градусных, бария, выявления, доменов, кристаллах, пластинчатых, титаната, топографии
...выглядит темным в скрещенных николях, а структура доменов не выявляется. Не выявляется она и при наклонном падении света: домены просветляются одинаково, Возбуждение в кристалле электрического поля, направленного перпендикулярно оси С., сопровождается появлением компоненты поляризации, направленной по полюс. При этом происходит деформация оптических индикатрис в соседних доменах. Кристалл становится оптически двуосным; при этом главные оси индикатрис соседних доменов отклоняются от оси с на некото рый угол Ы в противоположные стороны. И в этом случае при нормальном падении светового потока доменная структура не выявляется: домены просветляются одинаково. Если же световой поток проходит вдоль главной оси индикатрисы доменов с одним...
Цветной управляемый транспарант на жидких кристаллах
Номер патента: 1049853
Опубликовано: 23.10.1983
МПК: G02F 1/13
Метки: жидких, кристаллах, транспарант, управляемый, цветной
...управления цветом изображений, изменение цвета фона и улучшение разрешающей способности цветного управляемого транспаранта.Поставленная цель достигается тем, что в цветной управляемьмтранспарант на жидких кристаллах, состоящий из поляризатора., анализатора слоя жидкого кристалла и управляющего слоя фотопроводнйка, нанесенногона прозрачный электрод, введеныдругой прозрачный электрод и второй слой фотопроводника, .при этом второй электрод .нанесен на слой второго фотрнроводника, а слой жидкого кристалла расположен между двумя слоями фотопроводников, один из которых чувствителен к ультрафиолетовому, а второй - к инфракрасному излучениям.На чертеже изображен предлагаемый цветной управляемый транспарант.Транспарант состоит иэ скрещенных...