Бесконтактные испытания — G01R 31/265 — МПК (original) (raw)
Измерительный элемент
Номер патента: 421956
Опубликовано: 30.03.1974
Авторы: Алена, Вильдфангс, Эриньш
МПК: G01R 31/265, H01L 21/66
Метки: измерительный, элемент
...структур с помощью высокочастотного электромагнитного поля.Известные измерительные элементы для измерения толщины металлических покрытий, толщины и удельного сопротивления полупроводниковых материалов дают удовлетворительные результаты при изучении сравнительно низкоомных полупроводников в диапазоне частот от десятков килогерц до нескольких десятков мегагерц, но мало эффективны при изучении высокоомных полупроводниковых материалов из-за низкой чувствительности.Для повышения чувствительности необхо. димо увеличить частоту до 200 - 300 Лги, однако с повышением частогы увеличивается влияние на результаты измерения собственной емкости катушки.Цель изобретения - повышение чувстви;ельности измерительного элемента. Цель достигается тем,...
Способ бесконтактного измерения коэффициента холла в полупроводниках и металлах
Номер патента: 438946
Опубликовано: 05.08.1974
Авторы: Пожела, Ряука, Толутис
МПК: G01R 31/265, H01L 21/66
Метки: бесконтактного, коэффициента, металлах, полупроводниках, холла
...в виде тонкой плоскопараллельной пластинки толщи ной д, примерно в 5 раз меньшей других размеров, Обычно пластинке придают форму квадрата, Если материал анизотропен или квазианизотропен, плоскости пластинки выполняют параллельными кристаллографичес ким плоскостям, в которых проводимость изотропна, т. е. компоненты теизара электропроводности Ьи Л, соответствующие любым перпендикулярным направлениям О, и Ов плоскости образца, равны (Я=Я). Напри мер, для л - бе это плоскости (100). Образецпомещают в постоянное магнитное поле Во, перпендикулярное плоскостям образца. Величину Во подбирают такой, чтобы выполнялось условие Во) р -(или просто увеличивают 25 до возникновения незатухающих колебаний).При Во) р- в образце могут распространяться...
“бесконтактный способ измеренияконцентрации носителей заряда вполупроводниках на свч4
Номер патента: 508760
Опубликовано: 30.03.1976
МПК: G01R 31/265, H01L 21/66
Метки: бесконтактный, вполупроводниках, заряда, измеренияконцентрации, носителей, свч4
...коэффициента отражения соответствует значению магнитного поля, при котором дейсдаительцая часть фогтовской диэлектрической проницаемости становится приблизительно равной диэлектрической проницаемости свободного пространства (фогтовская диэ геквричеокая проницаемость - диэлектрическая проницаемость в плоскости, перпендикулярной напраыенггю напряженности магнитного поля). Нижний предел измерения концентраций ограничивается условием первым (т. е, ырт" 3), а верхний - величиной магнитного поля и длиной СВЧ-волны.При использовании магнитных полей до 200 кэ и СВЧколебаний с длиной волны от 1 мм до 3 см значения измеряемых концентраций при температуре 77 К в материалах и-типа лежат в цгггврвале 1 О" - 5 1 О" см - " (для аггтггмоггида и...
Способ бесконтактного определения зонной структуры полупроводников
Номер патента: 559197
Опубликовано: 25.05.1977
МПК: G01R 31/265, H01L 21/66
Метки: бесконтактного, зонной, полупроводников, структуры
...максимальномузначению поперечной составляющей интегрального потока В 4 переменной магнитной индукции. По зависимости Н от угла Я между направлениями Н и одйим из кристал лографических направлений определяют особенности зонной структуры и компоненты тензора подвижности носителей заряда,По технической зависимости Н= (ф могут быть определены особенности зонной фо структуры и компоненты тензора подвижноо. ти электродов в отдельной изоэнергетической долине, электронного твердотельного -.плава 33 Ь (см. фиг. 2), Образец ыл вырезан в виде куба с плоскостями, перпендикулярными к бинарному, тригональному и биссекторному направлениям.Измеряемые значения Н как известно, обратно пропорциональны эффективным циклотролным подвижностям...
Способ измерения э. д. с. холла
Номер патента: 960680
Опубликовано: 23.09.1982
МПК: G01R 31/265, G01R 33/07, H01L 21/66 ...
Метки: холла
...участка.На чертеже приведено устройство реализующее предлагаемый способ.Устройство содержит два соосных магнитных зонда 1 и 2, которые являются составной частью магнитопровода электромагнита 3, причем размеры поперечных сечений магнитных зондов 1 и 2 равны. Магнитный зонд2 укреплен на измерительном столена котором расположена полупроводниковая пластина 5, таким образом, цто участок 6, в котором измеряется ЭДС Холла находится в зазоре между магнитными зондами 1 и 2. По границе б участка 7 установлены четыре электрических зонда: два токовых 8, 9 и два холловских - 10 и 11Предлагаемое устройство позволяет обеспечить .резкий перепад индукции магнитного поля до нуля на границе 6 измеряемого участка 7.При протекании тока между токовы.ми...
Устройство для бесконтактного измерения параметров полупроводников
Номер патента: 995029
Опубликовано: 07.02.1983
МПК: G01R 31/265, H01L 21/66
Метки: бесконтактного, параметров, полупроводников
...параметров полупроводниковсодержащем генератор, циркулятор идетектор СВЧ, блок обработки сигнала детектора, измерительный преобразователь в виде отрезка прямоугольно 35го волновода с запредельным отверстием для возбуждения неравновесной проводимости и держатель исследуемой полупроводниковой пластины, в. измерительном преобразователе короткозамкнутом на одном конце, выполнено гантелеобразное отверстие, расположенноена широкой стенке перпендикулярно про"дольной оси волновода на расстоянии,равном половине длины волны генерато 45ра СВЧ от замкнутого конца, запредель-ное отверстие расположено на другойширокой стенке волновода, напротивгантелеобразного отверстия, и в туже стенку введен настроечный штырь.На фиг, 1 показана функциональная50схема...
Устройство контроля интегральных схем
Номер патента: 1049838
Опубликовано: 23.10.1983
МПК: G01R 31/265, G01R 31/3177
Метки: интегральных, схем
...элемента И, первая группа входов блока электрон-, ных ключей соединена с выходами ин" 60 тегральной схемы.При этом блок электронныхключей выполнен в виде первой.и второй груп-. пы электронных ключей, входы которых соединены с первой группой входов 65 блока электронных ключей, выходы первой группы электронных ключей соединены с вторым выходом блока электронных ключей, первая группа выходов которого соединена с выходамивторой группы электронных ключей,управляющие входы которых соединеныс третьим входом блока электронныхключей, второй вход которого соединен с управляющими входами первойгруппы электронных ключей.Кроме того, генератор тестов выполнен в виде блока ввода информацни, блока памяти, формирователя импульса и счетчика адреса, при...
Способ обнаружения локальных объемных дефектов в полупроводниковых образцах
Номер патента: 1132267
Опубликовано: 30.12.1984
МПК: G01R 31/265, H01L 21/66
Метки: дефектов, локальных, обнаружения, образцах, объемных, полупроводниковых
...в корпус Отбракованцых приборов без их вскрытия.Наиболее близким к предлагаемому по технической сущности является способ обнаружения локальных объемных дефектов в полупроводниковых образцах, включающий воздей. ствие на образец сфокусированного рентгенов. ского излучения, направленного в толщу об. разца, и контроль качества образца И.Недостатком этого способа является невоз. можцость осуществлять контроль локальпых объемных дефектов в полупроводниковых структурах и приборах.Целью изобретения является расширение функциональных возможностей преимуществен- . но для контроля качества готовых полупроводн 5 псовь 5 х приборов.Поставленная цель достигается тем, что согласно способу, обнаружения локальных объемных дефектов в...
Способ бесконтактного измерения концентрации носителей тока в полупроводниках
Номер патента: 702966
Опубликовано: 30.07.1986
МПК: G01R 31/265
Метки: бесконтактного, концентрации, носителей, полупроводниках
...тем, что13при низких концентрациях носителейтока магнитооптическое вращение плоскости поляризации становится нелинейным вследствие влияния переходовэона - зона.Целью изобретения является повышение точности и расширение диапазона измерения концентрации носителейтока.1СПоставленная цель достигаетсятем, что падающее на образец .излучение модулируют по форме поляризацииот йравой циркуляции к левой, прошедшее через образец излучение пропускают через компенсатор, формиру"ют дихроизм компенсатора равным повеличине и противоположным по знакудихроизму образца, а концентрациюносителей определяют расчетным путемпо значению дихроизма компенсатора,На чертеже показана схема устройства для реализации способа,Устройство содержит. источник 1...
Устройство бесконтактного контроля вращающегося тиристорного выпрямителя бесщеточного возбудителя
Номер патента: 1260878
Опубликовано: 30.09.1986
МПК: G01R 31/265
Метки: бесконтактного, бесщеточного, возбудителя, вращающегося, выпрямителя, тиристорного
...импульсы управления генерируются в двух обмотках противоположных полюсов ротора управляющей машины 19. эти импульсы 4 о проходят каждый через свою цепь 7 управления и подают, сигнал на открытие тиристоров 8. Один импульс открывает анодиый, другой - катодный тиристоры 8 противоположных фаз 45 тиристорного выпрямителя. Часть импульса управления, проходя через резистор 5 и фотодатчик 1, в виде светового сигнала передается на статор управляющей машины 19, где раз мещены фотоприемники 2 и цополнительные фотоприемники 20. Световые сигналы с помощью фотоприемников 2 или 20 преобразуются в электрические, усиливаются усилителями 3 и черезу герконы 4 подаются на блок 1 О индикации для визуального наблюдения.Переключение выходов усилителей 3 при...
Устройство для бесконтактного измерения электрофизических параметров полупроводниковых материалов
Номер патента: 1497593
Опубликовано: 30.07.1989
Авторы: Аношин, Базин, Кабак, Сагинов
МПК: G01R 31/265, H01L 21/66
Метки: бесконтактного, параметров, полупроводниковых, электрофизических
...легированными слоями толщиной0,5 мкм,д расположен в зазоре .равном толщине с структуры б, ",.ежду внешней поверхностью резонатора 1 и металлической пластиной 7 (диском), перекрывающей в плане отверстис 4 связи4 эПри измерении электрофизических параметров (удельного и слоеного сопротивления) двухслойной структуры с субмикронным легированным слоем методом малых возмущений для определе 5 О ния удельного сопротивленияподложки толщиной о и слоеного сопротивле- ния К легированного слоя используются следующие Формульп(1: А 1 (1/, - 1/Р,)-", (1)К,= В 1 (1 Ка/О,), .(2) где А,В,К (2 ( К( 3) - постоянныг для данного резонатора диаметра отверстия связи и материала подложки,измеряемые при калибровке резонатора 1 по эталонным образцам;Я -...